- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
Контрольные вопросы
Чем отличаются интегральная электроника и функциональная электроника?
Что такое микроэлектроника?
Назовите и охарактеризуйте ограничения миниатюризации в электронике.
Что представляет собой динамическая неоднородность?
Перечислите и охарактеризуйте основные направления функциональной электроники.
Охарактеризуйте предмет и задачи криоэлектроники.
Назовите и охарактеризуйте основные направления криоэлектроники.
Назовите основные открытия и изобретения, на которых базируется криоэлектроника.
С чем связано появление высокотемпературной криоэлектроники?
Назовите основные задачи, стоящие перед криоэлектроникой.
Литература
1. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники: Учебное пособие.- Новосибирск: Изд-во Новосиб. университета, 2000.- 444 с.
2. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках / Алфеев В.Н., Бахтин П.А., Васенков А.А. и др.- М: Радио и связь, 1985.- 232 с.
3. Вендик О.Г., Горин Ю.Н. Криогенная электроника.- М.: Знание, 1977.- 64 с.
Глава 1 сверхпроводимость
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
В основе криоэлектроники лежит комплекс эффектов, объединенный общим термином “сверхпроводимость”. Часто под этим термином понимают отсутствие сопротивления у проводника в условиях низких температур. В действительности, эффект отсутствия сопротивления представляет только одну грань многогранного комплекса эффектов и явлений. К числу таких эффектов и явлений следует отнести: эффект Мейсснера-Оксенфельда – выталкивание магнитного поляиз сверхпроводника;квантованиемагнитного потока в сверхпроводниковом кольце; изотопическийэффект; эффектыДжозефсона; аномальное взаимодействие сверхпроводника с электромагнитнымизлучениеми т.д.
В данной главе рассматриваются основные эффекты и явления сверхпроводимости, на базе которых разработаны или разрабатываются элементы криоэлектроники, особенности этих явлений в ВТСП, кратко излагается микроскопическая теория БКШ, удовлетворительно объясняющая многие эффекты и явления сверхпроводимости.
1.1. Нулевое сопротивление
В 1911 г. голландский ученый Каммерлинг-Оннес проводил эксперименты по исследованию сопротивления материалов при низких температурах. Он уже получил в 1908 г. жидкий гелий и теперь имел возможность охлаждать металлы до рекордно низких температур – 4,2 К. Охладив ртуть до температуры жидкого гелия, Каммерлинг-Оннес получил сверхпроводник, и открыл новую область физики и, тогда еще виртуально, новую область техники.
Теория электропроводности металлов предсказывала обращение в нуль сопротивления бездефектного, идеального кристалла при достижении абсолютного нуля температуры, поскольку в этом случае отсутствуют тепловые колебания решетки кристалла. Длина свободного пробега электрона сравнима с длиной проводника, а удельное сопротивление стремится к нулю (рис. 1.1). Температурная зависимость сопротивления ртути, полученная Каммерлинг-Оннесом, имела качественно иной характер: сопротивление скачком обращалось в нуль, т.е. переход проходил при фиксированной температуре (рис. 1.2) Этот факт не укладывался в рамки классической теории электропроводности и получил объяснение только позднее.
Рис. 1.1. Ожидаемая зависимость удельного сопротивления идеального металла от температуры
Рис. 1.2. Зависимость удельного сопротивления сверхпроводника от температуры
Таблица 1.1