- •В.Н. Игумнов Основы высокотемпературной криоэлектроники
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Предисловие
- •Введение
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Глава 1 сверхпроводимость
- •1.1. Нулевое сопротивление
- •Критические температуры некоторых сверхпроводников
- •1.2. Сверхпроводник в магнитном поле
- •Значения напряженности критического поля
- •1.3. Сверхпроводники второго рода. Вихри Абрикосова
- •Сверхпроводники второго рода
- •1.4. Энергетическая щель. Одночастичное туннелирование
- •Величина щели для различных сверхпроводников
- •1.5. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •1.6. Теория Бардина-Купера-Шриффера. Основные результаты
- •1.7. Особенности высокотемпературной сверхпроводимости
- •Контрольные вопросы
- •Глава 2 высокотемпературные сверхпроводники
- •2.1. Структура высокотемпературных сверхпроводников
- •Основные свойства некоторых втсп
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Синтез втсп материалов
- •Размеры частиц порошков, полученных разными методами
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Технология объемных сверхпроводников
- •2.3.1. Методы жидкофазного полученияBi-2212 сверхпроводников
- •Основные параметры расплавных методов и характеристики Bi-2212 [10]
- •2.3.2. Методы жидкофазного получения y-123 сверхпроводников
- •Основные параметры раслоенных методов и характеристики y-123
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Технология пленочных сверхпроводников
- •2.4.1. Физические методы получения тонких пленок
- •2.4.2. Химические методы получения пленок и покрытий
- •2.4.3. Подложки. Буферные слои
- •Удельное сопротивление и тСпленокY-123
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Основные свойства сверхпроводников
- •2.5.1. Переход металл-изолятор
- •2.5.2. Терморезистивные характеристики
- •2.5.3. Критический ток
- •2.5.4. Высокотемпературные сверхпроводники в магнитном поле
- •Результаты резистивных измерений в различных сверхпроводниках [5]
- •Контрольные вопросы
- •Глава 3 устройства криоэлектроники
- •3.1. Пассивные сверхвысокочастотные устройства
- •3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
- •Зависимость ширины микрополоска от длины линии
- •Линии задержки
- •3.1.2. Фильтры
- •Полосовые фильтры
- •3.1.3. Резонаторы
- •3.1.4. Приборы наS–Nпереходах
- •Контрольные вопросы
- •3.2. Болометры
- •Контрольные вопросы
- •3.3. Устройства на основе переходов Джозефсона
- •3.3.1. Джозефсоновские криотроны
- •3.3.2. Цифровые устройства на д-криотронах
- •3.3.3. Квантроны
- •3.3.4. Приемные устройства
- •3.3.5. Генераторы
- •Контрольные вопросы
- •3.4. Устройства на основе квантовых интерферометров
- •3.4.1. Сверхпроводящий квантовый интерферометр
- •3.4.2. Цифровые устройства на основе сквиДов
- •3.4.3. Магнитометры и градиентометры
- •3.4.4. Магнитометрические системы
- •Основные параметры ссм
- •Контрольные вопросы
- •3.5. Магнитные экраны
- •Контрольные вопросы
- •Глава 4 лабораторный практикум
- •4.1. Синтез втсп материалов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.2. Получение и исследование тонкопленочных втсп элементов
- •Общие сведения
- •Характеристики распылительных систем
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.3. Получение и исследование колец-фрагментов магнитного экрана
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.4. Исследование свойств колец-фрагментов магнитного экрана
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •4.5. Изготовление и исследование свойств магнитных экранов
- •Общие сведения
- •Задания
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 1 16
- •Глава 2 50
- •Глава 3 107
- •Глава 4 165
3.1.1. Микрополосковые линии. Линии задержки
Исключительным свойством СВЧ схем, отличающим их от низкочастотных интегральных схем, является применение микрополосковых линий (МПЛ) как основных элементов схемы. МПЛ относится к элементам с распределенными параметрами и представляет собой, как правило, проводящую дорожку на изолированной подложке. Одно из основных требований к МПЛ – минимизация потерь при прохождении сигнала.
В сверхскоростных ЭВМ работают транзисторы, способные обеспечить логические операции при передаче информации импульсами тока или напряжения длительностью 10-10 с крутизной фронта до 10-11 с. Спектр таких импульсов несет частоты до 100 – 200 ГГц. При прохождении столь коротких импульсов по обычной полосковой линии из меди или алюминия сказывается частотная дисперсия, т.е. зависимость фазовой скорости от частоты. Уже на длине линии передачи в несколько сантиметров частотная дисперсия разрушает форму импульса.
Сверхпроводящие МПЛ выгодно отличаются от медных отсутствием дисперсии и малым затуханием сигналов в очень широком диапазоне частот (для ВТСП 0–1012Гц). Существенный выигрыш в параметрах, однако, реализуется только для достаточно длинных и узких микрополосков. Приведем значения длин полосковых линий в зависимости от ширины микрополоска, начиная с которых замена меди на ВТСП приводит к уменьшению времени распространения импульса более чем на 33% приТ= 77 К.
Таблица 3.1
Зависимость ширины микрополоска от длины линии
Длина линии, см |
18 |
8 |
2 |
0,5 |
Ширина микрополоска, мкм |
12 |
6 |
3 |
1,5 |
Для решения о замене проводниковой на ВТСП линию необходимо учитывать выигрыш и необходимые затраты. Так, если в супер-ЭВМ на джозефсоновских элементах использование сверхпроводниковых межэлементных соединений естественно, то в случае аналогичных ЭВМ на транзисторах целесообразность их использования не столь очевидна.
Существует, однако, целый ряд причин, не связанных с быстродействием и затуханием, по которым сверхпроводящие МПЛ могут оказаться предпочтительней медных и при длинах, меньших указанных в табл. 3.1. Одна из таких причин заключается в том, что замена меди сверхпроводниками уменьшает паразитную связь между микрополосковыми линиями.
Одно из существенных ограничений использования сверхпроводящих МПЛ связанно с их ограниченной токонесущей способностью. Для того чтобы линия оставалась в сверхпроводящем состоянии, транспортный ток не должен превышать критической величины. Этот ток, в свою очередь, определяется произведением площади поперечного сечения на плотность критического токајс:
IC=adjC, (3.8)
где d– толщина микрополосковой линии;
а– ее ширина.
С учетом того, что плотность критического тока ограничена (~106А/см2), а толщина пленки определяется технологией, величина транспортного тока связана с шириной пленки и последняя, как следует из табл. 3.1, зависит от длины линии.
На основе МПЛ может быть построена линия задержки, которая является простейшим процессором сигналов и предназначена для временной задержки сигналов без заметных их искажений. Линии задержки используются при необходимости обеспечения задержки сигнала от пикосекунд до микросекунд при его минимальном ослаблении. Поэтому ВТСП линия задержки предпочтительнее линий на традиционных металлах. В отрезке линии сверхпроводника ослабление может быть на три порядка ниже, чем в золотом проводнике той же длины и с таким поперечным сечением. В табл. 3.2. приведены сравнительные данные по параметрам линий задержки на поверхностно акустических волнах (ПАВ), спиновых волнах (МСВ), МПЛ на низкотемпературных сверхпроводниках и на ВТСП линиях.
Таблица 3.2