Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Все / - ПР / Multisim_Руководство пользователя_2007 / Multisim_Руководство пользователя_2007.pdf
Скачиваний:
611
Добавлен:
22.03.2015
Размер:
11.35 Mб
Скачать

6.12.6 MOSFET (Field Effect Transistor, полевой транзистор) Model Maker

1.На закладке Model диалогового окна Component Properties щелкните по Add/Edit. Появится диалог Select a Model.

2.Щелкните Start Model Maker. Появится диалоговое окно Select Model Maker.

3.Из списка Model Maker List выберите MOSFET и щелкните по Accept (или Cancel

для возврата к закладке Model. Появится диалог MOSFET Model.

4.Введите нужные значения в диалоговом окне MOSFET Model, как описано в следующих разделах.

5.Когда все значения будут введены, щелкните по ОК для завершения ввода или по Cancel, чтобы отменить изменения.

Примечание: Диалоговое окно MOSFET Model показывает предустановленные значения для модели BS250.

Ввод General и Output Characteristics (выходные характеристики) данных

1.Щелкните по закладке General.

2.Поищите данные для MOSFET в справочнике.

Чтобы ввести General данные:

1.Введите Channel Type (тип канала) MOSFET. Это заглавие справочного листка (datasheet) и находится вверху.

2.Найдите таблицу “Ratings” для MOSFET.

3.По данным таблицы введите Max Drain Current (максимальный ток стока).

Для ввода Output Characteristics in Ohmic Region (выходные характеристики в омической области) данных:

1.В данных для MOSFET найдите график Id vs. Vds, например:

National Instruments Corporation

256

Multisim User Guide

2.Найдите кривую с наибольшим Vgs (напряжение затвор-исток). Введите это значение в Vgs для кривой (Vgs_ohmic).

3.Найдите точку омической области той же кривой.

4.Введите значение Id (ток стока) этой точки в поле Drain Current (Ids_Ohmic).

5.Введите занчение Vds (напряжение сток-исток) этой точки в Vds, когда ток стока — в поле Ids_Ohmic (Vds_Ohmic).

Для ввода других выходных характеристик:

1.Используя тот же график, что и выше, найдите область насыщения кривой. Область насыщения — это установившееся состояние изменения кривых, где точки вдоль кривой заполняют прямую линию (кривая, относящаяся к наибольшему VGS не имеет области насыщения). Например:

2.Чтобы ввести данные в поля для Ids_Vds curve 1 (for lowest Vgs), найдите кривую с наименьшим значением Vgs.

3.Введите значение Vgs этой кривой в поле Vgs for this curve (Vgs_f0).

4.Используя свой глазомер или линейку, найдите начальную и конечную точки области насыщения или область, где точки заполняют прямую линию этой кривой.

5.Используйте координаты начальной точки для ввода:

Drain Current (Ids_f00)

Vds_f00 (lower Vds)

6.Используйте координаты конечной точки для ввода:

Drain Current (Ids_f01)

Vds_f01 (higher Vds)

7.Для ввода данных в поля Ids_Vds curve 3 (for highest Vgs) найдите кривую с наибольшим значением Vgs, но еще имеющую область насыщения (это исключает самую верхнюю кривую графика Id-Vds).

8.Повторите шаги с 3 по 7 для ввода значений для:

Vgs for this curve (Vgs_f2)

Drain Current (ток стока)

National Instruments Corporation

257

Multisim User Guide

Vds_f20 (lower Vds)

Drain Current (Ids_f21)

Vds_f21 (higher Vds)

9.Для ввода данных в поля Ids_Vds curve 2 (for intermediate Vgs) найдите кривую между теми, что относятся к наименьшему Vgs и наибольшему VGS с областью насыщения.

10.Повторите шаги с 3 по 7 для ввода значений для:

Vgs for this curve (Vgs_f1)

Drain Current (Ids_f10)

Vds_f01 (lower Vds)

Drain Current (Ids_f11)

Vds_f11 (higher Vds)

Ввод данных Transfer Characteristics (передаточных характеристик)

Чтобы выбрать опции Transfer Characteristics:

1.Щелкните по закладкам Transfer Characteristics - Option A, B.

2.В справочнике найдите график Id vs. Vgs. В зависимости от доступных данных под кривой Vds для Id-Vgs и кривой Multi Id-Vgs установите подходящие опции.

Примечание: Если график содержит более, чем одну кривую Vsb, это подразумевает, что исток и подложка не соединены.

Если последние опции недоступны, вам будет предложено ввести данные в поля Option A или Option B в том же самом диалоговом окне.

Если последние опции доступны (как в нашем примере), диалоговое окно пригласит вас Go to Option C (следующая страница).

3.Для перехода щелкните по закладке Transfer Characteristics - Option C.

Для ввода данных Transfer Characteristics (Drain Current vs. Gate-to-Source Voltage)

для всех трех опций (Option A, B или C):

1.Поищите данные на графике Ids vs. Vgs, например:

National Instruments Corporation

258

Multisim User Guide

2.Если вы используете Option A, продолжайте до шага 4. Если вы используете Option B, продолжайте до шага 3.

Если вы используете Option C, для ввода данных в поле ds-Vgs Curve for lowest Vsb найдите кривую с наименьшим Vsb.

3.Если вы используете Option B, введите значение Vds в поле кривой Vds for Ids-Vgs.

Если вы используете Option C, введите значение Vsb в поле Vsb for this curve (Vsb_C1).

4.Найдите максимум Id или наивысшую точку кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

для Option A:

Drain Current (Ids_A1)

Vgs_A1 (lower Vgs) для Option B:

Drain Current Ids_B1

Vgs_B1 (lower Vgs) для Option C:

Drain Current (Ids_C11)

Vgs-C11 (lower Vgs)

5.Найдите точку на кривой, относящуюся к 10% максимума Id на той же кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

для Option A:

Drain Current (Ids_A2)

Vgs_A2 (higher Vgs) для Option B:

Drain Current (Ids_B2)

National Instruments Corporation

259

Multisim User Guide

Vgs_B2 (higher Vgs) для Option C:

Drain Current (Ids_C12)

Vgs_C12 (higher Vgs)

6.Для завершения ввода в диалог Option C, для ввода данных в Ids-Vgs Curve for highest Vsb, найдите кривую с наибольшим значением Vsb и повторите шаги с 3 по 5, вводя данные для:

Vbs for this curve (Vsb_C3)

Drain Current (Ids_C31)

Vgs_C21 (lower Vgs)

Drain Current (Ids_C32)

Vgs_C22 (highest Vgs)

7.Для ввода данных в поля Ids-Vgs Curve for Intermediate Vsb выберите кривую, относящуюся к значению Vsb из промежутка между наибольшим и наименьшим Vsb. Повторите шаги от 3 до 5 выше, чтобы ввести данные для:

Vsb for this curve (Vsb_C2)

Drain Current (Ids_C21)

Vgs_C21 (lower Vgs)

Drain Current (Ids_C22)

Vgs_C22 (highest Vgs)

Ввод Capacitances (емкостных) данных

Для ввода Conditions (условий):

1.Щелкните по закладке Junction Capacitance Chart.

2.Определите, будут ли подложка и исток модели соединены, и выберите подходящий ответ рядом с Bulk and Source connected.

Условия для подложки могут быть определены двояко. Первый путь — проверить схему устройства, где внутренние соединения MOS транзистора показаны.

Примечание: Второй — проверить график Id-Vgs. Если график содержит более одной кривой Vsb, это предполагает, что исток и подложка не соединены.

3.В справочнике найдите диаграмму “Capacitances vs. Drain-to-Source Voltage”. Если она есть, вы можете ввести данные в поля Capacitances vs. Drain-to-Source Voltage. Если ее нет, установите Coss-Vds and Crss-Vds curve NOT available и используйте

справочный листок (datasheet) для ввода емкостей.

Для ввода значений емкости из справочного листка:

1.В справочном листке найдите таблицу “Characteristics”.

2.Из таблицы возьмите данные для ввода:

Feedback capacitance Input capacitance

National Instruments Corporation

260

Multisim User Guide