Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Все / - ПР / Multisim_Руководство пользователя_2007 / Multisim_Руководство пользователя_2007.pdf
Скачиваний:
624
Добавлен:
22.03.2015
Размер:
11.35 Mб
Скачать

компонента.

Пользовательские поля состоят из двух элементов: поле заголовка и поле значения. Поля заголовков обобщаются по базам данных (так и есть, все компоненты во всех базах данных имеют те же самые заголовки пользовательских полей), а поля значений уникальны для каждого компонента. Обычно менеджер или руководитель проекта заполняет этот уровень базы данных.

Примечание: Пользовательским полям должны быть даны заголовки до того, как они могут использоваться для записи значений.

► Для задания или модификации заголовков пользовательских полей:

1.Щелкните по кнопке Database Manager на стандартной инструментальной панели.

Или

Выберите Tools/Database/Database Manager.

2.Щелкните по закладке User Field Titles.

3.Щелкните подходящий Title, чтобы вокруг него появилась рамка.

4.Введите или измените имя для Title. Это имя появится в диалоговом окне Component Properties для всех компонентов во всех базах данных.

6.12 Создание модели компонента с использованием Model Makers

Multisim предлагает такое расширение, как Model Makers, автоматически генерирующие симулируемые модели, достаточно ввести им справочные значения. Model Makers сохранят вам время и силы, но потребуют от вас опыта и умения работать с ними.

Для каждого Model Maker предоставлены начальные значения для заданных моделей. Однако это не предопределенные значения, и вы можете выбрать числовые значения, основываясь на компоненте, в котором вы заинтересованы, используя данные из справочника (databook).

Когда вы работаете со справочником, заметьте, что разные справочники предоставляют параметры для моделей компонентов в разных стилях. Если одна информация представлена численно в таблицах или списках для специфических операционных целей, другая дана в форме диаграмм или графиков. Оба типа информации требуются для Multisim Model Makers. В случае таблиц или списков вам понадобится ввести рабочие точки и значения, которые вам нужны. В случае диаграмм и графиков способ выбора точек на соответствующих кривых повлияет на точность параметров конечной модели. Данное руководство предлагает методы выбора точек, описанные в процедурах для Model Makers. Также заметьте, что информация, предлагаемая справочниками, обычно одинакова от одного производителя к другому, даже если имена или этикетки и описания параметров различны.

Примечание: См. также «Редактирование модели компонента».

6.12.1 AC Motor

1.На закладке Model диалогового окна Component Properties щелкните по Add/Edit. Появится диалог Select a Model.

2.Щелкните по Start Model Maker. Появится диалоговое окно Select Model Maker.

National Instruments Corporation

239

Multisim User Guide

3.Из списка Model Maker List выберите AC Motor (двигатель переменного тока) и щелкните Accept (или Cancel, чтобы вернуться на закладку Model). Появится диалоговое окно 3 Phase AC Motor.

4.Введите нужные значения в диалог 3 Phase AC Motor.

5.Когда все значения введены, щелкните ОК, чтобы завершить ввод данных модели или Cancel, чтобы выйти без изменений.

6.12.2 BJT Model Maker

1.На закладке Model диалогового окна Component Properties щелкните по Add/Edit. Появится диалог Select a Model.

2.Щелкните Start Model Maker. Откроется диалог Select Model Maker.

3.Из списка Model Maker List выберите BJT (биполярный транзистор) и щелкните Accept (или Cancel, чтобы вернуться на закладку Model). Появится диалог BJT Model.

4.Введите значения в диалоговое окно BJT Model, как описано в разделе ниже.

5.Когда все значения введены, щелкните по ОК, завершая вввод данных, или по Cancel, чтобы прервать ввод.

Примечание: Диалоговое окно BJT Model показывает предустановленные значения для модели MPS2222.

Ввод основных и табличных данных

1.В диалоговом окне BJT Model щелкните по закладке General.

2.Найдите данные для BJT модели в справочнике.

Для ввода General данных:

1.Введите подходящий тип BJT (NPN или PNP) в поле Type of BJT. Обычно это находится на первой странице в справочнике.

2.В поле Type of Semiconductor введите тип полупроводника. Обычно это следует за типом компонента.

3.Если нужно, измените предопределенное значение, заданное в Multisim для Nominal Temperature (номинальная температура).

4.Если нужно, измените предопределенное значение для Base Temperature для Input. Как правило это расположено в левом верхнем углу таблицы «Electrical Characteristics, электрические характеристики) справочника.

Для ввода Maximum Ratings данных:

1.В справочнике для BJT найдите таблицу Maximum Ratings, например:

National Instruments Corporation

240

Multisim User Guide

2.Найдите значение для Emitter-Base Voltage и введите его в поле Emitter-Base Maximum Voltage (VEBO).

Для ввода Output Admittance (выходная проводимость) данных:

1.В справочнике найдите таблицу «Small Signal Characteristics, характеристики малого сигнала» и найдите значения для Output Admittance, например:

Если данные недоступны, установите Check if data not available.

2.Базируясь на табличных данных, введите:

Output Admittance (hoe), полная выходная проводимость.

Collector Current (Ic1), ток коллектора.

Collector-Emitter Voltage (Vce), напряжение коллектор-эмиттер.

Примечание: Справочник предлагает значения максимума и минимума для параметра Output Admittance. Выберите типичное значение для него.

Для ввода Switching Characteristics данных:

1.В справочнике найдите таблицу «Switching Characteristics, характеристики переключения», например:

National Instruments Corporation

241

Multisim User Guide

2. Основываясь на табличных данных, введите:

Storage Time (ts)

Collector Current (lc2)

Base Current (Ib1)

Base Current (Ib2)

Ввод Capacitances Data (емкостные данные)

1.Щелкните по закладке Capacitances.

2.В справочнике найдите «Ceb and Ccb vs. Reverse Voltages (RV)» график, например:

Чтобы ввести Emitter-Base Capacitance (входная емкость) данные:

1.На кривой Ceb найдите точку, относящуюся к наименьшему напряжению или начальную точку кривой Ceb. Используйте координаты этой точки для ввода значений для:

Capacitance (Ceb1)

Low-Value of Reverse Voltage

2.На той же кривой найдите точку, относящуюся к максимальному напряжению или конечную точку. Используйте координаты этой точки для ввода значений для:

Capacitance (Ceb4)

National Instruments Corporation

242

Multisim User Guide

Hi-Value of Reverse Voltage

3.Для ввода Intermediate Values выберите две промежуточные точки ближе к левой стороне в районе низких напряжений. Убедитесь, что они не слишком близки, чтобы избежать чрезмерной ошибки в модели.

Используйте координаты первой и второй точек для ввода значений для:

Capacitance (Ceb2) at Reverse Voltage

Capacitance (Ceb3) at Reverse Voltage

Чтобы ввести Collector-Base Capacitance Chart (выходная емкость) данные:

1.Используйте кривую Ccb того же графика «Ceb and Ccb vs. Reverse Voltages (RV)», повторив шаги от 1 до 3, как и выше, чтобы ввести данные для:

Capacitance (Ccb1)

Low-Value of Reverse Voltage

Capacitance (Ccb2) at Reverse Voltage

Capacitance (Ccb3) at Reverse Voltage

Capacitance (Ccb4)

Hi-Value of Reverse Voltage

Ввод DC Current Gain Chart данных

1.Щелкните по закладке DC Current Gain Chart (hFE vs. Ic).

2.В справочнике для BJT найдите график hFE vs. Ic (зависимость усиления от тока коллектора).

Чтобы ввести DC Current Gain (hFE) at base Temperature данные:

1.Между кривыми hFE vs. Ic при основной температуре для BJT выберите одну, чье значение Vce более всего напоминает рабочую точку транзистора. Например:

Примечание: Вы должны выбрать кривую с тем же напряжением, что и кривая IcVbe, которую вы будете использовать для ввода данных на последней закладке этого

National Instruments Corporation

243

Multisim User Guide

диалогового окна. См. «Ввод «On» напряжений и данных усиления тока в полосе частот».

2.Найдите точку на кривой, относящуюся к минимальному току коллектора или начальную точку кривой. Используйте координаты этого значения для ввода:

DC Current Gain (hFE1)

Minimal Collector Current

3.Выберите точку в области маленьких Ic (ток коллектора) той же кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

DC Current Gain (hFE2)

Intermediate Collector Current (в области маленьких значений)

4.Найдите наибольшую точку на кривой и введите ее DC Current Gain значение в поле

Max Value of DC Current Gain (hFE_Max).

Примечание: Вы должны отметить значение Ic этой точки для построения точек на кривой Ic-Vbe, которые вы хотите использовать при вводе данных на последней закладке этого диалогового окна. См. «Ввод «On» напряжений и данных усиления тока в полосе частот».

5.Найдите две точки, относящиеся к 0.5 максимума значения DC current gain, одну в области маленьких значений Ic, а другую в области больших значений Ic. Используйте эти точки для ввода:

Collector Current (IL) at 0.5 Max DC Current Gain (low values range)

Collector Current (Ikf) at 0.5 Max DC Current Gain (high values range)

Примечание: Вы должны отметить значение Ic точки в области маленьких значений для построения точек на кривой Ic-Vbe, которые вы хотите использовать для ввода данных на последней закладке этого диалогового окна. См. «Ввод «On» напряжений и данных усиления тока в полосе частот».

Для ввода DC Current Gain (hFE) at another Temperature данных:

1.Используйте график hFE vs. Ic, найдите кривую с другой температурой, чем основная (это может быть любая другая температура). Например:

National Instruments Corporation

244

Multisim User Guide

2.Введите температуру выбранной кривой в поле Another temperature on the Chart (t2).

3.Найдите точку на кривой, относящуюся к минимальному току коллектора или начальную точку кривой. Используйте координаты этого значения для ввода:

DC Current Gain (hFE1_t2)

Minimal Collector Current

4.Выберите точку из области низких значений Ic той же кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

DC Current Gain (hFE2_t2)

Intermediate Collector Current (low values range)

5.Найдите навысшую точку на кривой и введите ее значение DC Current Gain в поле

Max Value of DC Current Gain (hFE_Maxt2).

6.Найдите точку, относящуюся к 0.5 максимума значения DC current gain в области малых заначений Ic и введите ее значение в поле Collector Current (IL_t2) at 0.5 Max DC Current Gain (low values range).

Ввод «On» напряжений и данных усиления тока в полосе частот

1.Щелкните по “On” Voltages закладки Current-Gain Bandw.

2.В справочнике найдите график Ic vs. Vbe.

Чтобы ввести DC Current Gain (hFE) at Base Temperature данные:

1.На графике найдите кривую с тем же Vce, как то, что использовалось в данных hFE. Введите ее значение Vce в поле Collector-Emitter Voltage for Vbe vs. Ic (same as hFE curve). Например:

2.Найдите точку на этой кривой, относящуюся к минимальному значению Ic или начальную точку кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

“On” Base-Emitter Voltage (Vbe1)

Low-Value of Collector Current

3.Используя график Ic vs. hFE из предыдущего раздела, найдите кривую Ic-hFE при основной температуре, которая была использована для ввода данных на третьей закладке этого диалогового окна. В точке максимума DC Current Gain (hFE) отметьте координату для тока коллектора (Ic).

4.На графике Ic-Vbe найдите точку, относящуюся к этой координате для Ic на кривой,

National Instruments Corporation

245

Multisim User Guide

использованной в шагах от 1 до 3. Введите напряжение для этой точки в поле “On” Base-Emitter Voltage (Vbe_hFEMax) at Max Gain.

5.Используя график Ic vs. hFE из предыдущего раздела, найдите кривую Ic-hFE при основной температуре, которая была использована для ввода данных на третьей закладке этого диалогового окна. В точке, относящейся к 0.5 максимума DC Current Gain (hFE) отметьте координату для тока коллектора (Ic).

6.На графике Ic-Vbe найдите точку, относящуюся к этой координате для Ic на кривой, использованной в шагах с 1 по 4. Введите напряжение для этой точки в поле “On” Base-Emitter Voltage (Vbe_iL) at 0.5 Max Gain Collector Current (low values range).

Чтобы ввести Vbe(sat)-Ic данные:

1.Используя график Ic vs. Vbe найдите кривую, где Vbe(Sat)@Ic/Ib=10. Например:

2.Найдите наивысшую точку на кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

Saturation Base-Emitter Voltage (Vbe2_sat)

Hi-Value of Collector Current

3.Выберите точку на кривой в диапазоне больших значений коллекторного тока. Используйте координаты этой точки для ввода:

Saturation Base-Emitter Voltage (Vbe1_sat)

Collector Current in the high values range

Для ввода Vce(sat)-Ic данных:

1.Используя график Ic vs. Vbe найдите кривую, где Vbe(Sat)@Ic/Ib=10. Например:

2.Найдите наивысшую точку кривой. Используйте координаты этой точки для ввода:

Saturation Collector-Emitter Voltage (Vce2_sat)

Highest Value of Collector Current

3.Выберите точку на кривой в диапазоне больших значений коллекторного тока.

National Instruments Corporation

246

Multisim User Guide