Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации

.pdf
Скачиваний:
26
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.49 Mб
Скачать

При допущении II в этих случаях в равенстве (1.40) следует поло­

жить С* = Сат/& .

Перейдем в выражении (1.39) к новой переменной х = /т — коли­ честву закристаллизованного вещества и запишем уравнение ба­ ланса летучей примеси для выращивания кристаллов нормальной направленной кристаллизации (по Бриджмену) и выращивания кри­ сталлов из расплава (по Чохральскому) при допущении I и при условии Сат (т) ф const:

X

 

Сж (х) (L - х) + к'Сж(х) V + }С © di = Сж (X + dx) X

 

о

 

х (L — x — dx) -f- k'CM(x ф-dx) V -\- х~\J-dx C(g)dg.

(1.42)

о

 

В этом уравнении V — масса газовой фазы, определяемая из усло­ вия постоянства общего количества летучей примеси в замкнутом контейнере:

V —

Г С(0)

L

 

(1.43)

V ’

 

 

Lсж (0)

 

 

С0 и Сж (0) — концентрации

летучей

примеси

в загрузке

до рас­

плавления и перед началом кристаллизации и L — масса загрузки.

Отсюда получаем

 

 

 

 

 

Сж(х)

^

р у _ х Сж(х) =

0

(1.44)

или после интегрирования и перехода к концентрации в твердой фазе

С(В) = С{0)

с( 0)

ё

1k

(1.45)

kCfj

 

где g = х/L — закристаллизованная доля загрузки.

Это уравнение аналогично уравнению, полученному Маделунгом [27, с. 55—63], но содержит постоянные, которые подлежат экспе­ риментальному определению. Если величина k' известна, то можно

выразить через нее

концентрацию

примеси в

начале кристалла:

 

= 1 + *\v ,L V

<L 4 6 )

Для зонной перекристаллизации (по Пфанну) при допущении I

аналогичным образом

получаем

 

 

 

X

 

 

Сж(х) I -j- k'Сж(х) V -j- JС (g) d%-)- С0 (L

х I) —

 

о

 

 

 

x+dx

 

= Сж(х + dx) I ф к'Сж(х + dx) V +

f C(g)dg + C0(L — х - l — dx);

 

 

 

(1.47)

30

V: ~ Со

1

1_

 

 

(1.48)

k ' ;

 

 

-Сж (0)

 

 

 

 

С 'жМ + T fW V Сж№—rpW;

(1.49)

 

 

 

 

 

С (х) = С0 — [С0 — С

(0)] ехр

С(0)

х

(1.50)

С0

I

 

 

 

 

С (0) — 1 + й'(у//) >

где J — масса расплавленной зоны.

Преимущество уравнения (1.50) по сравнению с аналогичным уравнением, полученным Маделунгом, состоит в том, что оно позво­ ляет описать распределение примеси, не используя коэффициенты k и k'.

Перейдем к допущению II и рассмотрим вначале нормальную на­ правленную кристаллизацию (по Бриджмену). Заменим в уравне­ нии (1.39) переменную по формуле (1.42) и учтем, что

dm = d [Сж(х) (L — х)] = (L х) dCx (х) — Сж(х) dx.

Учтя также изменение концентрации летучей примеси в расплаве за счет сегрегации, получим уравнение баланса примеси до и после перемещения фронта кристаллизации на величину dx:

(L -

х) dCx (х) — Сж (х) dx =

[Ср __ Сж(х) ] dx _ Юж (JC) dx_

 

 

(1.52)

Для

нормальной направленной

кристаллизации при допущении II

в случае контейнера и кристалла постоянных поперечных сечений можно считать, что F {x)/{L х) = F (0)/L, где F ( 0) — площадь контакта расплава с атмосферой до начала кристаллизации. Из ра­ венства (1.48) получаем дифференциальное уравнение

или после интегрирования (Бумгард [27, с. 36—54 ])

С (g) —

С(0)

+ C l k ( k B3) exp kB3 |

g1 k exp (-—|)-d |

X

 

 

kB36-S)

 

 

 

 

X (1 — g)ft_1exp (— kB3),

(1.54)

где k'B3 =

kB3F (0)// — безразмерный коэффициент, a

 

 

C(0)

= kCl - k ( C l - C o ) exp

kB3F (0) T0 ~

(1.55)

 

L

 

 

 

 

31

Это выражение получается в результате интегрирования уравне­ ния (1.40) по т в пределах от 0 до т 0 (время выдержки расплава до на­ чала кристаллизации) при F (т) = F (0), dm = LdCx (т) и Сж (0) =

=С0 (концентрация летучей примеси в загрузке до расплавления). Интеграл в равенстве (1.54) при наиболее часто встречающихся

значениях коэффициента распределения 0 <С k <j 2 может быть вы­ числен как разность

У[2 — k\ k'B3\ — у [2 k] k’B3(1 — g)|

двух неполных гамма-функций [48]:

2

СО

 

Т («: 2) = j Е”-1 ехР (— £) dl =

^ (а + п) » 0 < а < 1 .

(1.56)

0

п= 0

 

При других значениях k удобно разложить подынтегральное выра­ жение в ряд и почленно его проинтегрировать. Например, при k = 2

J s 1-* exp ( - 1 ) d l = J ( x - 1

+ 1 Г - Т Г + - - - ) ^ =

= l n | - g + 2! 2

J l

3! 3

Для выращивания кристаллов из расплава по Чохральскому при допущении II имеем F (х) = F (0) = const и вместо уравнений (1.53) и (1.54) получаем

 

Сж (х)

 

L х

(1.57)

 

 

 

C(g) =

kk„

с р

 

С(0) =

'-'Я

(1 г)*4-*-»"1

 

\ - k - k .

 

 

 

 

 

 

 

(1.58)

В случае зонной перекристаллизации при допущении II в урав­ нении (1.39) необходимо положить: dm — ЫСЖ(х); F (х) = F (0) = = const и, кроме сегрегации примеси, учесть подпитку зоны веще­ ством исходного состава С0. Вместо уравнений (1.52), (1.50) получим

ШСЖ(х) — k'B3[С* — Сж (х)] dx — &СЖ(х) dx

 

С0 dx\

 

Сж (х)

к + К з

, ,

c0 + kB3c l

 

 

 

 

■Сж (х)

 

 

 

 

С(х) =

Г „ ,т

А(с0 +

) 1

exp

Г (к + квз)х '\

С (0)

* ,

и’

 

1

+

 

L

к + kB3

 

 

 

 

kCo + KsCl)

(1.59)

(1.60)

(1.61)

Выражение для С0 совпадает с (1.55), если заменить в нем L на I.

32

В зависимости от соотношения величин С* и Сж(т) в уравне­

ние (1.40) возможны частные случаи: если Сж

Сж (т), то первой

из этих величин можно пренебречь (допущение Па),

если же С« »

> Сж(т), то можно пренебречь второй величиной

(допущение Пб).

Допущение Па соответствует

кристаллизации

в

динамическом

(поддерживаемом) вакууме (см. работу Зиглера

[27,

с. 36—54 ])

или в аналогичных условиях,

когда не происходит

накопления

испаряющейся примеси в атмосфере, а допущение Пб — легирова­

нию из высококонцентрированной газовой фазы. Положив С* = 0 в выражениях (1.54), (1.55), (1.58), (1.61), получим распределения

концентраций для допущения Па (см. работу Зиглера

[27, с. 36—54]

и В. В. Добровенского

[42]):

 

 

 

 

 

 

 

c te )

=

c ( 0 ) ( i - g ) k l exp(— k'B3g);

 

(1.62)

 

 

С (0) =

kC0 exp

-

L

 

 

(1.63)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C(g) =

C ( 0 ) ( l- fir)ft+ft-a-1;

 

(1.64)

C { X ) :

 

C(

0)

 

 

 

- C 0

exp

( k + *вз) ■

(1.65)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k-\- k

 

 

 

 

Положив Сж(т) =

0 в равенстве (1.39),

получим для допущения Пб

вместо уравнений

(1.62)—-(1.65)

соответственно:

 

 

 

С (0) +

kb'

гр

( 1 - ^ - 1 .

 

 

 

C(g)-

-

вз ж

 

- £ ) ;

(1-66)

 

 

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

С{0)

 

^

; / (о)т0ср

 

 

(1.67)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C(g)

 

С ( 0 ) +

^ ~

 

( 1 _ ^ - 1

hb' Гр

 

( 1.68)

 

 

-----JZJ*

 

С (х) = [С (0) -

Со -

kB3Cl]

exp (

J~) + Со +

квзСрж’ .

(I.69)

Насыщение расплава примесями из контейнера формально также может быть описано в рамках допущений I и II. При этом поверх­ ностный слой контейнера играет роль внешней среды (атмосферы), коэффициент распределения примеси между контейнером и распла­ вом — роль величины k ' , поверхность контакта расплава с контей­ нером — роль поверхности F (т) и т. д.

Конечно, в этом случае говорить о мгновенном выравнивании концентраций примеси во внешней среде можно лишь условно, имея в; виду некоторый эффективный поверхностный слой контейнера; коэффициент распределения k' в данном случае — не равновесный, а эффективный коэффициент и т. д.

Для обмена примесью с контейнером полученные зависимости остаются в силе, за исключением выращивания кристаллов по Бридж­

3 В. . Н. Вигдорович

33

мену и по Чохральскому при допущении И. Это связано с тем, что площадь контакта расплава с контейнером в случае цилиндрического контейнера изменяется по формуле F (х) = F (0) — [А (0) — F (L) ] X X(x/L), где F (0) и F (L) — площади контакта до начала кристалли­ зации и в последний момент кристаллизации. Уравнения распределе­ ния имеют вид:

С'ж(х) — (1 — k kB3 + С х ) Т = 7

= ^ ^

т ) ТУТУ 5 (1-70)

 

k exp k"’

£ з (1-<7)1-*- *83 +

 

C{g) = С(0)-С5с

 

 

 

i — k-

 

 

 

 

 

 

DJ

 

 

“Ь (1 — k) (Ка)

exp e

J

i ~ k~k™exp (— g) dl

>X

 

k*s (!-e)

 

 

 

 

X (1 — g) '*+*вз

1exp (-- tisag):

 

(1.71)

Здесь k"B3 = kB3F (L)/f, kB3 = kB3 kB3 и C (0) определяются равен­ ством (1.50). Допущение Па, очевидно, не реализуется. Допуще­ ние Пб (см. работы Ю. М. Шашков [43], А. Е. Вольпян с сотрудни­ ками [44] и Б. А. Сахаров с сотрудниками [45]) справедливо, когда кристаллизуются очень чистые материалы в недостаточно чистых контейнерах. Вместо соотношения (1.71) в этом случае получаем

C(g) = С (0) -f- кСж (

+

y z .

(1 - g )

k - \

k c l x

 

х

0 - £

)

2— k

 

(1.72)

где С (0) определяется равенством (1.67).

Не анализируя подробно полученные зависимости, отметим неко­ торые их особенности. Уравнение (1.46) характеризует распределе­ ние, которое можно получить из распределения нормальной направ­

ленной кристаллизации

 

С (g) = kC0(l — g)fe_1

(1.73)

путем растяжения вдоль оси g в С (0)lkC0 раз. Поэтому при g —>1 функция С (g) стремится не к 0 или оо, как зависимость (1.73), а к величине С (0) [1 — С (0)/^С0]*_1. Уравнение (1.50) есть из­ вестное уравнение Рида [17]:

С (х) = Со [1 — (1 — k) exp (—kx/l) ],

(1.74)

в котором коэффициент распределения уменьшен в [1 + (k'V/l)] раз. Зависимость (1.69) представляет собой уравнение Рида с измененной исходной концентрацией примеси, а зависимости (1.61) и (1.65) —

34

уравнения Рида с измененными исходной концентрацией и коэффи­ циентом распределения. Зависимости (1.54), (1.62), (1.66), (1.71) и (1.72) могут быть немонотонными. Например, условие наличия экстремума зависимости (1.62) следующее: k <; 1 и k + k'B3 > 1 . Остальные зависимости монотонные.

В данном разделе были рассмотрены однократные процессы на­ правленной кристаллизации. Многократная нормальная направлен­ ная кристаллизация еще не нашла широкого применения. Для зон­ ной очистки и легирования задача расчета распределения концен­ трацией полностью решена при допущениях Па в работе Ш. И. Пейзулаева [49] и Пб в работах А. Е. Вольпяна с сотрудниками [44] и Б. А. Сахарова с сотрудниками [45]. При допущении II в работах Бумгарда [27, с. 36—54], Голда [50] и В. Н. Романенко [25] полу­ чены интегральные выражения, позволяющие вести расчет распре­ деления концентраций для последовательных проходов зоны при многократной зонной очистке и легирования, встречном и кольцевом вариантах зонного выравнивания. При допущении I рассмотрена многопроходная очистка и легирование в работе Маделунга [27,

с. 55—63].

Следует отметить, что в подобном рассмотрении нуждаются также колонная зонная перекристаллизация [27] и зонная перекристал­ лизация с градиентом температуры [30].

НЕОДНОРОДНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ (ПРИМЕСЕЙ) ПРИ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

До сих пор рассматривалось распределение компонентов (примесей) вдоль загрузки, которое в большинстве случаев оказывалось пере­ менным, а следовательно, неравномерным. Например, в начальной части загрузки при нормальной направленной кристаллизации рас­ пределение является более равномерным, чем при зонной перекри­ сталлизации.

Одной из причин неоднородного распределения примесей по сече­ нию загрузки может служить искривление фронта кристаллизации. М. Г. Мильвидский [51 ] показал, каким путем может возникать подобная неоднородность и численно оценил ее расчетным путем при различных искривлениях фронта кристаллизации при нормальной направленной кристаллизации и вытягивании кристаллов из рас­ плава. Он получил формулу, учитывающую кривизну фронта кри­ сталлизации. Эта неоднородность из-за выпуклости или вогнутости фронта кристаллизации тем больше, чем больше его кривизна и чем больше коэффициент распределения отличается от единицы. Кроме того, такая неоднородность возрастает от начала к концу кристалла.

При зонной перекристаллизации должна наблюдаться каче­ ственно аналогичная картина.

Другими причинами неоднородного распределения примесей по сечению образцов могут быть преимущественное испарение компо­ нентов (примесей) для поверхностных слоев расплава по сравнению с внутренними слоями расплава, когда диффузионное или конвек­

3*

35

тивное перемешивание не обеспечивает выравнивание состава во всей массе расплава. Это касается и других видов взаимодействия рас­ плава с паровой фазой, контейнерным материалом и т. д.

Основным средством борьбы с химической неоднородностью по се­ чению загрузки является создание температурных полей, обеспечи­ вающих плоскую форму фронта кристаллизации и интенсивное перемешивание расплава.

Экспериментальное исследование свойств кристаллов металлов, полупроводников и других веществ, выращенных методами направ­ ленной кристаллизации, показало наличие в них микронеоднород­ ностей. Эти микронеоднородности приводят к неравномерному рас­ пределению компонентов (примесей) и свойств как по длине, так и по сечению кристаллов. Первоначально исследователи были склонны объяснять эти неоднородности случайными нарушениями темпера­ турного режима или случайными механическими помехами. Однако волнообразный характер наблюдаемой неоднородности заставляет думать, что причина кроется в концентрационном переохлаждении расплава.

Феноменологическое и математическое рассмотрение этого во­ проса (А. И. Ландау, 1958 г., и Б. Н. Александров с сотрудниками, 1958 г.) показало возможность такого явления, протекающего в виде незатухающего периодического процесса концентрированного и раз­ реженного включения примесей в растущий кристалл даже в усло­ виях, исключающих термические и механические неравномерности осуществления кристаллизации (см. [26]). Основные черты этого явления заключаются в накоплении отклонения концентрации в при­ фронтовом слое от концентрации в расплаве из-за диффузионной или конвективной недостаточности и в регулярном сбросе накопленного отклонения вследствие наступающего концентрационного переохла­ ждения. В промежутках между сбросами действуют тиллеровские допущения.

В тех случаях, когда, как это имеет место при вытягивании кри­ сталлов, из расплава, кристаллизация идет в асимметричном тепловом поле и кристалл равномерно вращается в этом поле, может наблю­ даться также волнообразное периодическое изменение скорости кри­ сталлизации. В результате периодическое неравномерное распреде­ ление примесей,, как следствие многослойного спирального роста, может становиться еще более ярко выраженным. При этом можно наблюдать хорошую корреляцию между внешней формой кристаллов («винтовая нарезка») и волнообразным распределением примесей в объеме кристалла («полосы роста»).

Основными средствами борьбы с микронеоднородным распределе­ нием компонентов (примесей) является создание равномерных и ста­ бильных температурных полей, применение совершенных механиче­ ских приводов и передач, а также интенсивное перемешивание расплава.

Г л а в а II

ТЕОРИЯ МНОГОПРОХОДНОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ПРИ МНОГОПРОХОДНОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Лорд [52] и Рейсс [53, с. 207—225] первыми в 1953 г. дали решения для распределения примесей по длине прямых слитков полубесконечной длины для любого числа проходов. Был использован метод аналитического решения дифференциальных уравнений в конечных разностях. Предположение полубесконечной длины слитков равно­ сильно отсутствию учета обратного воздействия концентрирования примеси в конечной части слитка. Следовательно, для слитков конечной длины L после л проходов полученные Лордом и Рейссом решения в строгом смысле справедливы только на участке 0 ^ I «с;

L nl. Рейсс получил, приближенные решения для слитков ко­

нечной длины при 0,9 < к <

1,1. При этом было достигнуто также

некоторое упрощение путем замены переменных: х на £ =

[2 (1 —

k)lkl]

х и л на К = {2 [(1 — &)/&]2} л. Известны также

упро­

щения

Милликена [54 ],

которые сводятся к замене тройного

суммирования двойным и одинарным с помощью формулы бинома. Точные выражения по Лорду и Рейссу записываются в виде:

 

=

1 — (1 — £)ехр(— ka)[z]\

(II. 1)

г — п — £

S ^

1exp (— sk) Yi /'s)or (/■ +!-—ka)\

(II-2)

t= 1

s = l

 

r= о

 

 

(S )

-s—r—2

(II.3)

 

 

 

fy

(s-

1)! r!

 

 

 

где a — длина загрузки, выраженная в длинах зоны = xll).

По Милликену, для определения Сп {а) для ряда требуемых зна­ чений л справедлива формула

П—1 t

= 1 — (1 — k) exp (— ka) n — S S ks~l exp (— sk) X

 

 

t= 1 s= l

 

X

(s + a)s - 2

[a (s — 1) -f- (1 — ka) (s -f- a)]

(II-4)

 

s !

 

 

37

а для единственного требуемого значения п справедлива формула

Сп (а)

 

л - 1

 

— (1 — k) exp (— ka) п — 2j (п — s) ks~l X

 

С0

 

 

S = 1

 

X exp (— sk)

[a (s — 1) + (1 — ka) (s + a)\

(II.5)

или (для k << 1)

C n ( a )

exp (— ka) 2 ( S - п ) -S + sa,} ks X

s = n + l

X exp(— &s)[a(s — 1) + (1 - k ) ( s - f а)]. (II.6)

Если величина k достаточно мала, то по формуле (II.6) сходимость при расчете обеспечивается быстро, а так как не приходится произ­ водить вычитаний из единицы, то это способствует сохранению точ­ ности расчета.

Рейсс приводит приближенное выражение для начального участка

загрузки:

 

 

 

 

 

= 1 + n(k - 1 ) -

' "

j

j

( ~ sk) t

(ц .7)

которое получается из формулы Милликена (II.5) при а = 0.

кар­

Выполненные работы

[52—54 ]

позволили

выявить общую

тину поведения примесей при зонной перекристаллизации и привели к необходимости произвести большую вычислительную работу итера­ ционными методами \ поскольку точные расчеты для последующего прохода невозможны, пока не будут получены результаты расчетов для предыдущего прохода.

Расчеты по формулам Лорда и Рейсса позволяют проследить, какая достигается чистота с каждым последующим проходом. Напри­ мер, при k = 0,9524, С0 = 1 и Ы1 = 100 для начальной части загрузки имеем следующую картину изменения концентрации с про­

ходами

[22]:

 

 

 

 

 

 

 

Число проходов

0

50

200

400

1000

2000

оо

Концентрация .

. 1

0,52

0,28

0,15

0,037

0,0058

0,00045

1 В математике под итерацией понимают результат многократного применения

какой-либо математической операции. Так, если

есть некоторая

функция f (х) =

= fi (х),

то функции / 2

(х) =

/ [fL (х)\,

(х) = f

[/2 (х)),

 

(х) = f [/„_! (*)]

будут соответственно второй, третьей, . . ., n-ной итерацией функции / (х), а пере­ ход от функции f (х) к функциям / 2 (х), / 3(х) и т. д. будет итерированием. Итерации

используются при решении различного рода алгебраических и функциональных уравнений и их систем методом последовательных приближений.

38

Хамминг (см. работу [22 J) в 1955 г. разработал вычислительный метод, состоящий в условном разбиении объема слитка на элемен­ тарные объемы и условном же скачкообразном продвижении расплав­ ленной зоны на целое число объемов. Таким образом, постепенный процесс продвижения расплавленной зоны вдоль загрузки заме­ няется искусственным прерывистым или скачкообразным, что делает возможным производить расчет распределения примеси для каждого отдельного положения или скачка зоны. Бирман [55] в том же 1955 г. разработал другой вычислительный метод, состоящий в ус­ ловном разбиении объема загрузки на элементарные объемы, что позволило использовать методы матричной алгебры. Разбив слитки на N элементарных объемов, составляют квадратную матрицу (N XN). Используя действия матричного исчисления, исходную ма­ трицу преобразуют в матрицу, характеризующую распределение после'заданного числа проходов. Преимуществом при этом является то, что основную матрицу при заданных длинах загрузки и зоны для данного значения коэффициента распределения приходится вычис­ лять только один раз. Кроме того, одной расчетной операцией удается перейтйот распределения после п проходов к распределению после п2 проходов.

Оба расчетных метода (Хамминга и Бирмана) позволяют вести расчеты при любых исходных распределениях примеси и учитывать изменение различных параметров в ходе процесса.

Были также предложены устройства для моделирования распре­ деления примесей при зонной перекристаллизации, использующие различные принципы: механический, гидравлический и электриче­ ский (см. работы [22, 26]). Расчетный метод Хамминга был применен в работе Бурриса, Штокмана и Диллона [53, с. 225—242], исполь­ зовавших вычислительную программируемую машину с интегри­ рованием по формуле трапеций, для исследования влияния различ­ ных параметров процесса на распределение примесей при зонной перекристаллизации загрузок конечной длины.

Одновременно с исследованием распределения примесей расчет­ ными методами [22, 53 ] продолжались поиски аналитических ре­ шений.

В 1956 г. Б. Н. Александров с сотрудниками [46] получил реше­ ние методом составления дифференциально-интегральных уравнений для случая, неучитывающего эффект от схода зоны со слитка в конце процесса. Наиболее полным и строгим является исследование Брауна и Маршалла [27, с. 7—19], выполненное в 1957 г. и приведшее

кполучению решений для загрузки конечной длины.

В1961 г. Рейсс и Гельфанд [56] нашли аналитическое решение, используя преобразование Фурье для любого исходного распределе­ ния примесей, для загрузки полубесконечной длины.

Экшлагер с сотрудниками [57] в 1971 г. разработал приближен­ ный балансовый метод расчета распределения при многопроходной зонной перекристаллизации, заключающийся в замене криволиней­ ной зависимости прямолинейной. Коэффициент распределения был принят зависящим от концентрации расплава по параболическому

39

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ