Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
21.10.2023
Размер:
9.49 Mб
Скачать

или .используя технологические приемы непрерывной разливки ме­ таллов [109]. Однако все эти варианты сложны для инженерного решения и мало пригодны для целей глубокой очистки материалов. В этом отношении следует отдать предпочтение колоннам кристалли­ зационной очистки с самопроизвольным движением потоков.

Предложено несколько методов осуществления движения загрузки в аппарате для зонной перекристаллизации (Пфанн 1 [22] и В. Н. Вигдорович с сотрудниками 2 [105, ПО]). При этом их можно разделить на самопроизвольные (например, I и II в табл. 6 или позиции а и б на рис.'45) и принудительные (например, III—VIII в табл. 6 или позиции в— ж на рис. 45).

Г л а в а V

ТЕОРИЯ И ПРАКТИКА КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

ТЕОРИЯ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Первоначально теория поведения примесей в аппаратах подобного типа была разработана Пфанном применительно к полостному методу. Он рекомендовал применять формулы и для транспортного метода [22]. Абэ [27, с. 355—364] произвел вывод формул применительно к транспортному методу с учетом возможного массопереноса. При этом обнаружились расхождения результатов решений Пфанна3 [22] и Абэ [27, с. 355—364], которые были разрешены в работе Кеннеди [27, с. 365—367 ] предварительно (была обнаружена ошибка в работе Пфанна [22]), а затем в работе Кеннеди и Парке [111 ] окончательно. Уравнения были выведены Пфанном в линейно-объемных единицах, т. е. за аргумент были приняты длина или объем секции аппарата.

Абэ [27, с. 355—364] дал описание транспортного метода и вывел уравнения для определения основных параметров аппарата. Он ввел следующие ограничения: 1) секция аппаратов и слиток твердого

1 Пат. (США), № 2739045,

 

1956

(кл. 23—310);

№ 273046,

1956

(кл. 23—310);

№ 2852351, 1957 (кл. 23—309);

№ 2926075,

1960 (кл: 23—301);

2949348, 1960

(кл. 23—301).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 В и г д о р о в и ч В . Н.

идр.

Авт. свид. №

146953, 1961

(кл.

40,

1/30). —

«Бюл. изобр.», 1962, № 9, с. 54; № 161925,

1963

(кл. С22Ь,

40а, 15/20). — «Бюл.

изобр. и тов.

знаков»,

1964,

№ 8,

с.

60;

161488,

1963

(кл. 40а,

15/20). —

«Бюл. изобр.

и тов. знаков», 1964,

№ 9,

с. 60;

182889, 1963 (кл. 40а, 9/02) —

«Изобретения,

пром.

образцы

и

тов.

знаки»,

1966,

12,

с.

86.

 

3 Пат. (США), № 2852351,

 

1957

(кл.

23—309); № 2739045, 1956 (кл. 23—310),

120

материала имеют сечение прямоугольной формы; 2) при установив­ шемся режиме площадь поперечного сечения секции аппарата и слитка постоянна по всей длине (площадь сечения приравнена к еди­ нице); 3) при установившемся режиме высота слитка постоянна по всей длине. Расчет выполнялся в линейных единицах измерения.

Выход очищенного Р и загрязненного W материала за один про­ ход (цикл) Абэ предложил определять по формулам:

 

 

к

L ,

Ях( 1 - г )

(V.1)

 

 

-у tg фх •

 

 

W = L

■tg Ф2 — Я2(1 — г)

(V.2)

где

/ х

и 12— длины зон в секциях очищенного и загрязненного

 

Я х

материала;

 

 

 

 

и Я 2 =— высоты слитков при установившемся режиме в сек­

 

 

циях очищенного и загрязненного материала;

 

г — ртв/рж— отношение плотности

твердого вещества (ртв)

 

 

к плотности расплава (рж);

 

 

Фх

и ф 2 — углы наклона секций очищенного и загрязненного

 

 

материала.

 

 

 

Эти углы должны быть больше или меньше соответствующих углов

наклона,

при которых исключается

массоперенос. Чтобы обе секции

аппарата

работали согласованно, выход очищенного

и загрязнен­

ного

материала должен

соответствовать

уравнению,

полученному

Пфанном

[22] из материального баланса

примеси:

 

Р _

W

р — 1

(V.3)

1—а ’

 

а— £оч/Спит'> Р— С’отх/Спит,

(V.4) ,

где а — коэффициент очистки, равный отношению концентрации примеси в очищенном материале к концентрации примеси

висходном материале;

Р— коэффициент обогащения (загрязнения), равный отношению концентрации примеси в загрязненном материале к кон­ центрации примеси в исходном материале.

Для определения длины секции очищенного материала Абэ [118] предложил уравнения:

Г-аР k H J s +

г (Htl ir — Р)

1.

(V.5)

L i = i ln

сД (Н]_г kHi)

J ’

 

exp ( а д

= 4 l

+ 1

 

(V.6)

 

kH1

P

 

(V.7)

 

H J i -

 

 

 

 

121

где k = Ств/Сж——коэффициент распределения примеси, равный от­ ношению концентрации примеси в твердом ве­ ществе к концентрации примеси в расплаве, соответствующему кристаллизующемуся твердому веществу.

Для определения длины секции загрязненного материала были получены уравнения:

L2 =

Г

$H2l2(r — k)

1

(V.8)

_ W ( r - $ )

+

H2l2r ( r - k )

J ’

 

 

 

exp (В Д =

p -

+ 1

 

(V.9)

И

r _

kH2

 

 

 

 

 

 

(V.10)

 

2

H2l2r + W '

 

 

 

 

Кеннеди [27, с. 365—367] дал описание полостного метода ко­ лонной зонной перекристаллизации в весовых (массовых) единицах, т. е. приняв в качестве аргумента массу материала в секции аппарата.

Масса материала в секции очищенного материала, отсчитываемая от места питания, по Кеннеди определяется уравнениями:

Ll = ^ ln ^ [ i t - 1] ’

(V.ll)

 

exp (BJij) =

1 +

B ^ ;

 

(V.12)

( l - k ) B A 11

expfil(Al

/l)]

(V.13)

 

л

_ MA — К

 

 

(V.14)

1

Ax- / i

 

 

 

где h 1 — масса твердого материала, плавящегося

при образовании

зоны;

 

 

 

 

 

 

/j — масса расплава зоны в секции очищенного материала;

L x— масса материала в

секции

очищенного

материала.

Масса материала L2 в секции загрязненного материала, по Кен­

неди, определяется уравнениями:

 

 

 

 

 

 

Г P (6-

kA2) -

_;

(V.15)

 

L k(\

р л 2)

exp B2l2 =

 

 

 

 

(V.16)

« - * ( V

/

 

 

 

(V.17)

^2

 

 

 

4 =

h<2,

 

(V.18)

-A2 -- kl2

 

122

где h 2— масса расплава зоны в секции загрязненного материала; 1%— масса материала, плавящегося при образовании зоны.

Зная плотность твердого и расплавленного материала, площадь поперечного сечения секций, количество и размеры полостей, можно определить длину секций аппарата.

Кеннеди указал, что уравнения, описывающие полостной метод непрерывной зонной перекристаллизации, можно применять и для транспортного метода при совпадении граничных условий. Уравнения (V.10)—(V. 18) Кеннеди назвал уточненными уравнениями Пфанна.

Кеннеди и Парке [111 Тдали анализ возможности использования уточненных уравнений Пфанна для описания полостного и транспорт­ ного методов колонной зонной перекристаллизации. Они рассмо­ трели наиболее неблагоприятный случай работы аппаратов, когда

концентрация примеси в очищенном материале

определялась как

максимально возможная по формуле

 

Соч = 4-

jС (х) dx,

(V.19)

/11

Q

 

где х — координата, отсчитываемая от выпускного отверстия.

В этом случае для определения массы материала в секции очищен­

ного материала применимы уравнения:

 

 

\_ In

Aj^khi -f- /i

Л

(V.20)

В1

ahx

 

 

exp (БД ) = 1 + К х

(V.21)

 

h hi

 

(V.22)

 

M l -Л)

'

 

 

Расчетные уравнения для секции загрязненного материала были выведены для случая равномерного распределения примеси в послед­ ней зоне (очищающий эффект направленной кристаллизации в по­ следней зоне не учитывается):

L2 =

In

Р (1 —

Л .) .

(V.23)

 

•М*

 

 

 

 

exp В2(/2 — W) =

\

В2- ~

(V.24)

А

 

r

 

 

(V.25)

2 _

k ( W - l t) + lt ’

 

где W — выход массы загрязненного

материала

за один цикл.

Режим работы реального аппарата колонной зонной перекристал­ лизации лежит между режимами, описываемыми уравнениями (V. 10)—

(V. 18) и уравнениями (V. 19)—(V.25).

1Ъ l2, W, Ьъ L2 и k

Для анализа влияния параметров hlt h2,

на чистоту получаемого материала Кеннеди

и Парке ввели безраз-

123

Рис. 46. Кривые взаимосвязи параметров секции очищенного материала:

а — зависимость

v t

от

k

по уравнению (5.27);

б — зависимость а от k по

уравнению (5.28)

при

k

<

1; в — зависимость а

от k по уравнению (5.28)

 

 

 

 

k > I.

 

мерные переменные, что позволило преобразовать уравнения уста­ новившегося режима каждой секции в пару универсальных урав­ нений.

Для секции очищенного материала удобно использовать следую­ щие безразмерные переменные:

 

У1 = ^ . «1 =

ВА

и гх =

.

(V.26)

 

В результате могут быть получены универсальные уравнения

 

k =

ViUi

 

(V.27)

 

e x p t» x — 1

 

 

И

a -- _________ Уi —

k __________

(V.28)

 

e x p ( U j Z j ) ( 1 —

k) -\- у 1

1 ’

 

связывающие коэффициенты распределения k и очистки а с безраз­ мерными переменными.

По уравнению (V.27) были построены кривые зависимости пара­ метра гу от коэффициента разделения k (рис. 46). С помощью зна­ чений vt, выбранных по кривым рис. 46, а, построены кривые зави­

симости

коэффициента

очистки а от

коэффициента

разделения k

(рис. 46,

б, в). Для секции загрязненного материала удобно исполь­

зовать безразмерные переменные

 

 

 

У2 =

щ =

и =

(V.29)

 

 

 

12

 

При равномерном распределении примеси в последней зоне полу­

чаются универсальные уравнения

 

 

k =

(v2y2)

(V.30)

e x p

1

124

и

e x p

v2z2

(V.31)

1— у2

 

1 +

1 + ky i [ e X P (V2ZJ — В

 

По уравнениям (V.30) и (V.31) построены кривые зависимости безразмерного параметра v2 от коэффициента распределения k и коэффициента обогащения Р от коэффициента распределения k

(рис. 47).

Для секции загрязненного материала с направленной кристалли­ зацией материала в последней зоне были получены универсальные уравнения

k =

e x p v2y2 — 1

(V.32)

 

 

( 1

ky2) e x p v2.

(V.33)

( 1 — куг) ( 1 1/2 ) + e x p [v2z2]( 1 — </2) — ( 1 —y2)

 

согласно которым зависимости

v2 от k и P от k очень схожи с зави­

симостями, приведенными на рис. 47, б, в.

 

Накопленный в настоящее время материал по теории колонной зонной перекристаллизации позволяет наметить некоторые приемы расчета аппаратов [112].

В результате расчета должны быть определены площадь попереч­ ного сечения и длина секций аппарата, производительность по очи­ щенному материалу и выход загрязненного материала.

Для расчета аппарата необходимо иметь следующие данные:

1)коэффициент распределения k примеси в очищаемом материале;

2)концентрацию примеси в исходном материале; 3) планируемую концентрацию примеси в очищенном материале; 4) планируемую концентрацию примеси в загрязненном материале.

Расчет двухсекционцых аппаратов более удобно проводить, ис­ пользуя измерения масс.

о

2

У

к

 

о

о,и

 

0,8

н

о

г

У к

Рис. 47. Кривые взаимосвязи

параметров секции загрязненного материала:

а, — зависимость

v2 от

k

по

уравнению

(5.30); б — зависимость (3 от k по

уравнению (5.31)

при k

<

1;

зависимость

р от А

по

уравнению

(5.31)

 

 

 

 

 

при

k

>

1

 

 

 

 

125

Пункты 2, 3 и 4 исходных данных позволяют определить коэффи­ циенты очистки а и обогащения Р. По уравнению материального баланса (V.3) определяется соотношение масс выхода очищенного и загрязненного материала за цикл.

По свойствам очищаемого материала выбирается площадь и форма поперечного сечения секции аппарата и слитка. Для увеличения площади сечения загрузки, а следовательно, и материального потока некоторые исследователи рекомендуют выполнять секции аппаратов с центральными полыми элементами, например в виде концентриче­ ски расположенных труб.

Далее проводится предварительный расчет с использованием гра­ фоаналитического материала (рис. 46 и 47).

Для секции очищенного материала в качестве аргумента (пере­ менной расчета) принято отношение массы расплава зоны к массе материала, плавящегося при образовании зоны, т. е. у х по формуле

(V.26). Используя выбранное значение у х, по уравнению (V.27) или

по кривым рис. 46,

а определяется безразмерный параметр v x (V.26).

Относительная

масса материала в секции zx (V.26) определяется

в зависимости от степени очистки а и коэффициента распределения k по уравнению (V.28) или по кривым рис. 46, б, если k < 1, а если &>■ 1, то по кривым рис. 46, в. По массе плавящегося при образова­ нии зоны материала 1Х, по плотности расплава и твердого материала и по площади поперечного сечения загрузки (секции) определяется масса расплава зоны, масса материала в секции и геометрические размеры секции и зоны.

В секции загрязненного материала сходные по назначению узлы аппарата желательно выполнять одинаковыми, поэтому поперечное сечение секций и нагреватели принимаются одинаковыми, при этом масса расплава зоны секции загрязненного материала будет равна массе материала, плавящегося при образовании зоны секции очищен­ ного материала.

Выход загрязненного материала за один цикл (проход) равен

W = h2~ l 2.

Расчет секции загрязненного материала можно проводить при условия, что кристаллизация последней зоны происходит с равно­ мерным распределением примеси в зоне, или при условии, что в пос-- следней зоне происходит направленная кристаллизация. Желательно проводить расчет для обоих случаев и принимать средний результат.

В качестве аргумента при расчете принята безразмерная перемен­ ная у 2 по формуле (V.29).

Используя выбранное значение у 2, определяется величина v2 (V.29) по уравнению (V.30), или по кривым рис. 47, а.

В зависимости от полученного значения v2 и от величины коэффи­ циента обогащения Р по уравнению (V.31) или по кривым рис. 47, б или а определяется оптимальная масса материала в секции загряз­ ненного материала.

Затем, аналогично расчету секции очищенного материала,, опре­ деляются материальные (по массе) и геометрические параметры сек­ ции загрязненного материала.

126

Получив результаты предварительного графоаналитического рас­ чета аппарата, можно проверить его параметры по аналитическим формулам (V. 10)—(V.18) и (V.20)—(V.25).

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНО ОСУЩЕСТВЛЕННЫЕ АППАРАТЫ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Первые аппараты колонной зонной перекристаллизации, работающие по полостному и транспортному методам, были предложены Пфанном [22]. Позднее в литературе появились сообщения с указаниями на осуществление аппаратов колонной зонной перекристаллизации,

Рис. 48.

Схема

установки

для

колонной

зонной

перекристаллизации

 

 

тетраиодида

кремния

(см.

[53]):

 

 

1 — исходный материал;

2 — резервуар

с

предварительно сублимирован­

ным Sil4; 3 к системе осушенного

гелия; 4 к вакуумной

системе;

5—сублимационное колено;

6—8 —нагреватели

(температура уменьшается

от нагревателя

6 к нагревателю 5);

9

охлаждающая ловушка; 10—суб­

лимационный

сборник;

11 — пробкообразователь;

12 —питатель; 13

секция

загрязненного

материала;

14 -г- секция „очищенного

материала;

15 — генератор полостей; 16 — контейнер; 17 — соединение с камерой для

разложения

Sil4;

18 — ртуть; 19 — контейнер

для отбора

очищенного

материала;

20— приводной механизм; 21 — контейнер для

отбора мате­

риала в пусковой

период работы аппарата;

I — атмосферное давление;

 

11—

пробка твердого материала;

111 — вакуум

 

127

основанных (Кеннеди [27, с. 384—392], Моатс [27, с. 368—376],

Буфорд и Старкс [27, с. 377—383]) на предложенных Пфанном ме­ тодах.

Аппараты имели питатель, секцию очищенного материала и сек­ цию загрязненного материала. В том случае, когда секции аппарата работали по полостному методу, на выходе материала из секций имелся генератор полостей [113]. Расплавленные зоны создавались наружными нагревателями сопротивления.

Абэ [27, с. 355—364] провел ряд опытов по очистке германия на аппарате, работающем по транспортному методу, однако описание аппарата не приводится.

Аппараты Моатса и Буфорда—Старкса работали по полостному методу, были близки по конструктивной схеме и имели много общего с аппаратом, предложенным Пфанном. Очищаемый исходный материал подавался в питатель, где поддерживался в расплавленном виде. Из питателя материал поступал в секцию очищенного материала и в секцию загрязненного материала. Обе секции работали согласо­ ванно, т. е. соблюдался материальный баланс по примеси в очищен­ ном, исходном и загрязненном материалах.-Продвижение материала вдоль секций к выходным отверстиям было возможным благодаря наличию генераторов полостей на концах секций. Чтобы создать более устойчивую расплавленную зону, секции аппарата Буфорда— Старкса имели центральную полую трубу (рис. 48).

В обоих аппаратах проводили очистку тетраиодида кремния. Аппарат Моатса работал непрерывно в течение пяти недель с произ­ водительностью 300 г/мес.

Х А Р А К Т Е Р И С Т И К А э к с п е р и м е н т а л ь н о о с у щ е с т в л е н н ы х

Очищаемый

материал

Гер м а н и й

Те т р а и о д и д

кр ем н и я

Те т р а и о д и д

кр ем н и я

На ф т а л и н

О л о в о и

н е ­

к оторы е

сол и

 

Секция очищенного материала

подлина­ %,лости

Материал

 

,длцна мм

диаметр*2, мм

расдлина­ плавленной мм,зоны

аппарата

метод работы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П и р е к с

Т р а н сп о р т н ы й

 

 

 

 

П о л о стн ы й

5 0 0

10

16

2 2

К в а р ц

»

6 0 0

5 0 /3 8

30

2 0

п л а в л ен ы й

 

 

 

 

 

П и р е к с

Т р а н сп о р т н ы й

6 7 3

2 0 /8

К в а р ц

(вер т и к а л ь н ы й )

 

 

 

 

Т р ан сп ор тн ы й

 

 

 

 

 

(п р и н у д и тел ь н ы й )

 

 

 

 

\

д в у х

число зон

5

5

1 В и г д о р о в и ч В .

Н.

Исследование кристаллизационной очистки металлов. Автореф.

* 2

Диаметр внешней трубы секции

указан в

числителе, диаметр

внутренней полой

* 3

Длина полости дана

в

процентах

от объема

расплавленной зоны

(или от объема, за

Кеннеди [27, с. 365—367] описал два аппарата колонной зонной перекристаллизации. Секции загрязненного материала обоих аппа­ ратов работали по полостному методу. Секции очищенного материала были вертикальными и работали по транспортному методу, исполь­ зуя только изменение плотности материала при плавлении (в отли­ чие от обычных горизонтальных аппаратов транспортного метода, которые используют еще и наклон поверхности материала к гори­ зонту). Если при плавлении плотность материала уменьшалась, то секция очищенного материала располагалась над питателем, если же плотность материала увеличивалась — под питателем. Обе сек­ ции аппаратов имели центральную полую трубу. Для создания более резкого перепада температур на фронте кристаллизации каждый нагреватель работал в паре с холодильником.

Экспериментально был осуществлен аппарат с верхним располо­ жением секции очищенного материала. В качестве модельного мате­ риала очистке был подвергнут нафталин.

Техническая характеристика осуществленных двухсекционных аппаратов приведена в табл. 7.

В тех случаях, когда возможен отбор загрязненного материала со сравнительно небольшой концентрацией примеси без дальнейшей очистки основного материала (растворителя), находят применение односекционные аппараты колонной зонной перекристаллизации. Отбор загрязненного материала производится из секции вблизи пи­ тателя, чтобы избежать его «отравления» примесями. Секция делится выпускным отверстием на две части — на приемник и разделитель (очиститель).

Таблица 7

СЕКЦИОННЫХ АППАРАТОВ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Секция загрязненного материала

полодлина- ; %*3,сти

зончисло

Скоростипере­ мещенияЗ О Н Ы , ч/см

 

 

 

 

мм,длина

диаметр*2, мм

расдлина­ плавленной мм,зоны

Литература, где

метод работы

 

 

 

 

 

 

описан аппарат

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т р ан сп ор тн ы й

 

 

 

\

_

_

[2 7 ,

с.

3 5 5 — 364]

П ол остн ы й

2 0 0

10

16

2 2

3

5

[27,

с.

3 6 8 — 376]

»

215

5 0 /3 8 ’

36

16

2

5

[27,

с.

3 7 7 — 38 3 ]

»

3 80

2 0 / 8

2 4 ,5

[27,

с.

3 8 4 — 392;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

113]

Т р а н сп о р тн ы й (п р и ­

 

 

 

 

 

В .

Н .

В и г д о р о ­

н уди тел ьн ы й )

 

 

 

 

 

 

 

 

вич 3,1

докт. дис. М., 1965.

трубы —■в знаменателе, ключенного внутри нагревателя)

128

9 В. Н. Вигдорович

129

ИССЛЕДОВАНИЕ РОЛИ СЕКЦИИ ЗАГРЯЗНЕННОГО МАТЕРИАЛА В АППАРАТАХ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Роль секции загрязненного материала в аппаратах колонной зонной перекристаллизации исследовали В. Н. Вигдорович и Л. М. Ферштер [114]. Для этой цели была использована получившая распростра­ нение для оценки эффективности разделительных процессов функция Дирака (см. работу [26]):

Ф,. = ( 1 - 2 С г.)1 п - Ц ^ - ,

(V.34)

где С{ — концентрация примеси.

Эта функция характеризует работу разделения, является мерой расходуемой энергии на процесс разделения компонентов и поэтому называется разделительным потенциалом.

Для колонн (а также для каскадов), применяемых при разделении или очистке химических веществ, материальный баланс можно за­

писать так:

М г +

М 2;

(V.35)

М =

М 0С0 =

М . С

, М 2С2,

(V-.36)

где М 0, М х и М 2— число молей исходного, очищенного и загряз­ ненного материалов соответственно;

С0, Сх и С2 — концентрации примесей в исходном, очищен­ ном и загрязненном материалах соответственно.

Используя представление о разделительном потенциале, можно записать выражение для работы разделения в виде

Л = Д4Д1 — 2СХ) 1п 1~CiCl + М 2(1 — 2С2) 1п - Ц с-2С» -

 

-Л 4 0( 1 - 2 С 0) 1 п ^ = ^ .

 

(V.37)

 

 

 

ь0

 

 

Если с помощью (V.35) и (V.36) выразить отношения Л40/Л4Х и

М 21Мг через концентрации,

то работа

разделения

или

очистки на

единицу количества чистого материала

будет

 

 

 

 

 

Са — С

 

 

 

 

 

с2сО1 Ф

о

(V.38)

или

 

 

 

 

 

А

Ф1 - Ф

0— (C o -Q )

 

(V.39)

М,

 

 

 

 

 

 

Стоимость процесса разделения или очистки складывается из стоимости работы разделения и стоимости исходного материала. Если условно примем, что <2д — стоимость единицы работы разде­ ления, a Q0 — стоимость единицы количества исходного материала,

130

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ