![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Вигдорович, В. Н. Совершенствование зонной перекристаллизации
.pdfто суммарные затраты 1 на процесс разделения (на единицу получен ного очищенного материала) можно выразить формулой
А |
М п |
|
|
(V.40) |
|
М у Q, |
|
|
|
Используя уравнения (V.35) — (V.39), получим |
|
|
||
Q = Qa (Фх— Ф0) — (Со— Сх) |
Фо-Ф 2 |
Qo |
С2 С1 |
(V.41) |
с, —с„ |
|
Оптимальная концентрация загрязненного материала С\ опре
делится из условия |
|
dQ/dC1 = 0. |
(V.42) |
Из уравнения (V.41) получим |
|
Q = Qa [Фо- ф ; - (Cl - Со) |
(V.43) |
Вычисляя величины Ф и dO/dC из уравнения (V.34), |
находим |
|
(с; - с 0) ( 1 - 0 |
Q — Qa (1 — 2С0) In |
(V.44) |
с0(1 - с ;) |
Выражение (V.44) позволяет определить оптимальную концен трацию отходов при известных значениях стоимости работы очи стки и стоимости единицы поступающего на очистку материала (при правильно выбранном масштабе обеих величин).
Рассмотрим влияние соотношения между затратами QA и Q0 на изменение суммарных затрат Q. На рис. 49 графически показана зависимость стоимости процесса очистки от концентрации С2 при меси в загрязненном материале при различных соотношениях QA и Q0. Представленные на схеме кривые построены по результатам рас четов, выполненных при С0 = 0,5 и Сг = 0,1.
Кривая 1 (рис. 49) показывает зависимость стоимости работы разделения компонентов от изменения концентрации С2, а кривая 2— соответствующую зависимость стоимости исходного материала (для случая С0 = 0,5 и Сг = 0,1).
Изменение суммарных затрат на процесс разделения для этого случая представлено кривой 3. Кривые 4 и 5 показывают изменение суммарных затрат при относительном уменьшении QA и Q0 соответ ственно, а кривые 6 и 7 — при относительном увеличении QA и Qo
соответственно по сравнению со случаем Q0 = |
Q a = 1» представлен |
ным кривой 3. |
компонентов умень |
Если С2 —>С0, то затраты на разделение |
шаются (кривая 1), но возрастает расход исходного материала, а сле
довательно, |
и соответствующие затраты (кривая 2). Если С2 —>1, то |
1 Здесь и в дальнейшем стоимость принята равной затратам. |
|
9* |
131 |
затраты на разделение компонентов возрастают, но убывает расход питания и связанные с этим затраты. Кривая суммарных затрат 3 имеет минимум, при котором оптимальной концентрации загрязнен ного материала CJ соответствует минимальная стоимость Q* для
данного случая. Решая уравнение (V.44) относительно С\ при С0 = 0,5 и (?л = Q0 — К получаем для кривой 3 величину С* = 0,78.
Минимальная стоимость процесса, определяемая по уравнению (V.41), будет при этом Q0 = 5,18. Рассчитанные таким образом зна чения С* и Q* при разных соотноше
ниях @2 и Q0 представлены на рис. |
49. |
||
|
С понижением |
стоимости исходного |
|
материала и работы разделения |
или |
||
очистки соответствующие кривые зат |
|||
рат |
становятся |
более пологими, и |
|
Рис. |
49. Зависимость условной стоимости Q единицы |
|
|
|
очищенного материала |
от концентрации С2 |
примеси • |
||||||||||||
|
|
|
|
в |
загрязненном |
материале |
при |
С0 — |
0,1; |
|
|||||||
|
|
|
/ — затраты на работу разделения компонентов |
при |
|||||||||||||
|
|
|
Q д — Qo = |
1; |
2 — затраты |
на исходный |
материал |
||||||||||
|
|
|
при |
фд = Qq = I; |
з |
— суммарные |
|
затраты |
(для |
||||||||
|
|
|
Q а |
= |
Qo — 1 |
имеем |
С^= 0,78 и Q = 5 , I8 j; |
4 — |
|||||||||
|
|
|
суммарные |
затраты |
|
при |
удешевлении |
исходного |
|||||||||
|
|
|
материала |
(для Q ^ |
= |
|
|
|
|
|
|
* |
0,72 |
||||
|
|
|
1 и Qq —0,5 имеем С 2 = |
||||||||||||||
|
|
|
* |
|
3,90); |
5 — суммарные затраты |
при удешевле |
||||||||||
|
|
|
и Q |
= |
|||||||||||||
|
|
|
нии работы разделения |
компонентов (для Qд |
— 0,5 и |
||||||||||||
|
|
|
Q q = |
1 |
|
|
г * |
|
* |
= |
3 , 7 |
\ . |
6 — суммарные |
||||
|
|
|
имеем ь 2 = |
О»84 и Q |
2 |
||||||||||||
|
|
|
затраты |
при |
удорожании |
работы |
разделения |
(для |
|||||||||
|
|
|
Од = |
|
|
|
|
|
* |
|
|
и |
* |
7,42); 7 — |
|||
|
|
|
2 и Q0 — 1 имеем C<i — 0,86 |
Q = |
|||||||||||||
|
|
|
суммарные |
затраты |
при удорожании исходного мате |
||||||||||||
|
|
|
риала (для |
QJ4 -- 1 |
и Qq = |
2 имеем Со = |
|
0,73 и |
|||||||||
0,'5 |
0,7 |
0,9 |
Сг |
|
|
|
|
|
q* __ 7 tso) |
|
|
|
|
|
|
||
минимум |
их |
менее |
выражен |
|
(кривые |
4 |
и |
5) |
по |
сравнению |
с минимумом кривых, построенных для более высоких значений указанных стоимостей (кривые б и 7). С изменением стоимостей ми нимумы соответствующих кривых сдвигаются (штриховые стрелки на рис. 60). При увеличении стоимости единицы исходного мате риала в четыре раза соответствующая минимуму оптимальная кон
центрация загрязненного материала Сг увеличилась с 0,72 (кривая 4) до 0,86 (кривая 6). Очевидно, при дальнейшем увеличении стоимости
исходного материала Сг—»1. Повышение в четыре раза стоимости
единицы работы разделения привело к уменьшению Сг с 0,84 (кри вая 5) до 0,73 (кривая 7). При дальнейшем увеличении стоимости
работы разделения Сг —» С0.
Анализ расчетных данных позволяет сделать следующие практи ческие выводы. В том случае, когда исходный материал не представ ляет большой ценности, значение секции загрязненного материала
132
в каскаде или колонне уменьшается, и при определенных условиях она может вообще отсутствовать. Когда стоимость исходного мате риала относительно велика, применение секции загрязненного материала позволяет существенно снизить затраты на исходный ма териал, а следовательно, и на суммарные затраты.
Рассмотрим зависимость затрат Q от величины С2 при уменьшении значений Сг и С0, т. е. в области значений, характерных для про цессов очистки.
На рис. 50 приведены зависимости условий стоимости очищен ного материала от концентрации примеси в загрязненном материале.
Рассматривая |
группы |
кривых |
1, |
|||
5 и 6 (рис. 50), можно заключить, |
что |
|||||
при |
неизменном |
составе |
исходного |
|||
материала, |
имеющего |
сравнительно |
||||
большую |
концентрацию |
примесей |
||||
(в данном случае |
С0 = 0,5), увеличе |
|||||
ние |
суммарных |
затрат |
|
на процесс 12 |
||
очистки происходит за |
счет повыше |
|||||
ния |
затрат |
на |
работу |
|
разделения |
|
(кривые 1", 5" и 6 ” соответственно). |
||||||
Кривые /, |
5 и 6 имеют |
ярко выра |
||||
женные минимумы. |
|
|
|
|||
Рис. 50. Зависимость условной |
стоимости |
еди |
||||
ницы очищенного материала Q от концентрации |
загрязненного |
материала С2 при различных зна |
|
||||||||||
чениях исходной концентрации С0 и концентра |
^ |
|||||||||||
ции |
очищенного материала |
Сг для случая |
|
|
||||||||
Q0 — 1. |
Кривые, |
обозначенные цифрами с двумя |
|
|||||||||
штрихами, соответствуют затратам на |
работу |
|
||||||||||
разделения, |
с |
одним . штрихом — затратам |
на |
|
||||||||
питание, |
без |
штрихов — суммарным |
затратам; |
|
||||||||
кривые |
= |
1, |
2, |
3, |
4 получены при Ct = |
1*10- 4 |
|
|||||
для |
С0 |
0,5 (/), |
0,3 (2), 0,1 (3), 0,01 |
{4)\ |
кривые |
л |
||||||
2,-7, |
8 |
получены при С0 = |
0,3 для Сх = |
1* 10~ 4 |
||||||||
{2), 1«10- 2 (7), |
Ы 0 - 1 |
(8); |
кривые /, |
5, 6 полу |
|
|||||||
чены при |
С0 = 0,5 для |
Сх = I* 10—1 (/), |
Ь 10-2 |
|
||||||||
|
|
|
|
|
(5); 1- 10-4 (£) |
|
|
|
|
|||
С уменьшением |
концентрации |
примесей в исходном материале |
(С0 = 0,3) соответствующие кривые (2, 7, и 8) суммарных затрат становятся более пологими, т. е. величина затрат в меньшей степени зависит от изменения С2 на среднем участке этих кривых. При даль нейшем уменьшении исходной концентрации до С0 = 0,1 и С0 = 0,01 (кривые 3 и 4 соответственно) суммарные затраты еще меньше зави сят от С2. При С0 = 1-10“ 2 эта зависимость практически отсутст вует почти во всем интервале концентрации С2 (кривая 4). Рассмот рение группы кривых 1, 2, 3 и 4 подтверждает этот вывод. Стоимость процесса очистки по абсолютной величине уменьшается с уменьше
нием концентрации С0 (при С\ = const). |
разделения при С0 = |
Кривая 4" изменения стоимости работы |
|
= Ы 0 -2 и Сх = Ы 0 ~ 4 имеет заметное |
увеличение наклона |
в сторону малых значений С2 (начиная с С3 = 0,2)., Исследование уравнения (V.39), на основе которого построена кривая 4", показало, что в этой точке имеет место возрастание функции (первая произ-
688 |
133 |
водная по С2 положительна как для значений С2 < 0 .2 , так и для значений С2 >■ 0,2).
Расчетным путем были получены значения оптимальной концен
трации загрязненного материала Сг по |
уравнению (V.44) и соответ |
|||||||
ствующие значения минимальной стоимости Q* по уравнению (V.41): |
||||||||
Кривая на рис. 50 . . |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
С*2 ...................................... |
0,79 |
0,63 |
0,34 |
0,06 |
0,79 |
0,79 |
0,63 |
0,63 |
Q * ...................................... |
13,20 |
10,48 |
8,21 |
5,40 |
8,52 |
5,20 |
5,88 |
2,90 |
Анализируя имеющиеся расчетные данные, можно заключить, что с уменьшением С0 минимум кривых суммарных затрат сдвигается в сторону меньших значений С2. При этом по мере уменьшения С0 этот минимум становится все менее выраженным, и при достаточно малых значениях С0 (начиная с С0 = 0,01) условные суммарные затраты практически не зависят от С2 (кривая 4). Это приводит к мысли о том, что при использовании относительно чистого исход ного материала роль секции загрязненного материала незначительна и секцию можно исключить.
При уменьшении концентрации примесей Сх в очищенном ма териале, полученном из исходного материала с одной и той же кон центрацией С0, суммарные затраты повышаются в результате уве личения стоимости разделения, причем положение минимума соот ветствующих кривых суммарных затрат и форма этих кривых оста ются неизменными (кривые 1,7 и 8), как это и следует из уравнения
(V.44).
Таким образом, при определенных условиях конструирование каскадов или колони можно упростить, исключив секцию загряз ненного материала. Существенные затруднения испытывают иссле дователи при разработке методов и аппаратов колонной зонной пере кристаллизации из-за необходимости налаживать согласованную работу секций чистого и загрязненного материалов. При глубокой очистке колонной зонной перекристаллизацией достаточно чистых исходных материалов можно отказаться от секции загрязненного материала, предупредив возможность загрязнения примесями ма териала в питателе. Для этого достаточно осуществить слив рас плавленных зон до их объединения с расплавом в питателе в конце прохода.
ОДНОСЕКЦИОННЫЕ АППАРАТЫ КОЛОННОЙ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ
На рис. 51 показана схема аппарата, в котором использован полост ной способ продвижения загрузки по колонне. Секция загрязненного материала отсутствует, а расплавленная зона сливается в конце продвижения и ее место занимает исходный материал. Слив расплав ленной зоны через отверстие может сочетаться с одновременным раз бавлением зоны исходным материалом.
Для более полного разделения расплавов, выпускаемых через отверстие при сливе в конце продвижения расплавленной зоны вдоль
134
разделителя колонны, может использоваться специальная перего родка. Перегородка предотвращает смешение расплава зоны, загряз ненного примесями, с расплавом, образующимся при проплавлении материала в приемнике (рис. 52).
Устройство, представленное на рис. 53, А, а, отличается нали чием перегородки 6 цилиндрической формы, образующей щель со стенкой колонны 7. Щель в свою очередь, соединяется с трубкой 4. Нагреватель 5 движется снизу вверх. Нижняя часть аппарата не показана, так как она ничем не отличается от уже известных аппа ратов, на которые была ссылка выше. Аппарат конструируется таким образом, чтобы при перемещении ее до касания перегородкой
а 6 в г д е ж
рузки по колонне:
а — схем'а аппарата; б, в, г, д и е — последовательные стадии слива расп лавленной зоны;
1 — твердая загрузка; 2 — нагреватель; 3 — исходный материал; 4 — слив ное отверстие; 5 — отверстие для вывода очищенногоматериала
Л — расплавленная зона; Б — полость (пустота); В — приемник; Г — пи татель
фронта кристаллизации между расплавом 1 в питателе (2 — его нагреватель и 3 — теплоизоляционная футеровка) и парой зона— полость оставалась нерасплавленная пробка материала (рис. 53, А, б). Далее, в капиллярной трубке создается разряжение и расплавлен ная зона отсасывается (рис. 53, А, в). При дальнейшем движении нагревателя пробка расплавляется и исходный материал заполняет свободное пространство в верхней части колонны (рис. 53, А, г). Поскольку при отводе нагревателя в нижнюю часть аппарата мате риал в трубке кристаллизуется, то при следующем проходе перед созданием разряжения включается нагреватель трубки для расплав ления заставаемого в ней материала.
В аппарате, показанном на рис. 53, Б (1 — расплав в питателе, 2 — нагреватель, 3 — теплоизоляционная футеровка), отличитель ной особенностью, помимо перегородки 6, является поршень 7, с помощью которого обогащенная примесями зона выжимается через щель за пределы колонны. Когда нагреватель 5 и зона занимают по ложение, при котором перегородка почти касается фронта кристал
135
лизации (рис. 53, Б, в), поршень опускается и выжимает зону через капилляр (рис. 53, Б, г). Далее поршень поднимается до положения выше отверстия подпитки, расположенного в боковой части колонны. Исходный материал, застывший в соединительном патрубке, рас плавляется с помощью нагревателя 4 и заполняет свободное про-
Рис. 52. Схема односекционного аппарата, колонной зонной пере кристаллизации, работа которого основана на полостном методе:
а — общая схема аппарата; |
б — верхняя |
часть; |
в — нижняя часть; |
г, д, е, ж — последовательные стадии |
слива |
зоны и заполнения |
|
приемника |
расплавом из |
питателя; |
/ —- контейнер исходного материала (питатель); 2 — нагреватель; 3 — теплоизоляционная футеровка; 4 — приемник расплава из питателя; 5 — сливное колено; 6 — разделитель; 7 — сечение приемника и слив ного колена и 8 — нагреватель
странство колонны (рис. 53, Б, е), а затем поршень 7 опускается и перекрывает отверстие подпитки (рис. 53, Б, ж). При следующих проходах перед удалением зоны включается нагреватель трубки для расплавления твердого материала в ней. При этом часть мате риала от предыдущего прохода остается в вертикальной щели, обра зованной перегородкой и стенкой. Этот материал при последующем проходе будет загрязнять очищаемый материал. Но это не будет заметно сказываться на очистке ввиду малого объема щели. Этого
136
недостатка можно избежать с помощью устройства, имеющего пор шень с отверстиями для подачи сжатого воздуха или инертного газа под давлением. В этом случае в процессе перемещения поршня через имеющиеся в нем отверстия газ подается под давлением, и обогащен-
А
Рис. 53. Схема устройства:
А — с перегородкой, образующей щель со стенкой колонны, для удаления расплавленной зоны с помощью разрежения; Б — с перегородками, образую щими щель, и поршнями для удаления расплавленной зоны под действием поршня (а—ж) и под действием сжатого газа (а'—ж'); В — с поршнем и сквозным отверстием для удаления расплавленной зоны
ная примесями расплавленная зона полностью удаляется из колонны и капилляра (см. рис. 53, Б, а'—ж').
Наконец, можно обеспечить удаление расплавленной зоны из колонны без помощи отверстий и перегородок, используя только поршень с отверстиями (6) для вакуумного отсасывания расплава (рис. 53, В, а—ж). Остальные цифровые позиции соответствуют цифровым позициям на рис. 53, Б.
137
Для последнего участка разделителя (Н — I < I < Я), где происходит удаление расплавленной зоны при одновременном ее разбавлении 'исходным материалом, было получено уравнение рас пределения примесей
|
|
|
|
|
С = С0~ (С0 -C „ ) ( ~ |
^ |
) \ |
|
|
(V-45) |
|||||
где |
Я — длина |
колонны х; |
|
в точке |
х — Я —■I |
после я-го |
|||||||||
|
Сп — концентрация |
примеси |
|||||||||||||
|
|
|
прохода. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Расчеты по уравнению (V.45), а также сравнение полученных |
||||||||||||||
результатов с |
расчетами |
для обычной зонной перекристаллизации |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
показывают, |
что колонный |
метод зон |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
ной перекристаллизации имеет преиму |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
щества, причем значения концентрации |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
примеси для |
колонного |
метода и для |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
загрузки полубесконечной длины прак |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
тически совпадают (рис. 54). |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
По методу Хамминга с учетом про |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
движения загрузки |
вдоль |
|
колонны за |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
каждый цикл |
рассчитаны |
кривые рас |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
пределения и оценена очистка мате |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
риала при различных параметрах про |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
цесса. |
|
установления |
равновес |
||||
Рис. |
54. |
Распределение |
примеси |
Быстрота |
|||||||||||
ного распределения |
примеси в колонне |
||||||||||||||
на участке последней |
зоны после |
||||||||||||||
первого |
прохода |
(Я = |
L = 16; |
является одной из |
наиболее важных |
||||||||||
' |
|
k = |
0,1; I |
= |
1): |
|
|
||||||||
/ — |
колонная |
зонная |
перекри |
характеристик колонного |
зонного про |
||||||||||
сталлизация; |
2 — загрузка |
полу |
цесса, поэтому был рассмотрен пуско |
||||||||||||
бесконечной длины; |
3 — загрузка |
||||||||||||||
|
|
конечной длины |
|
|
вой период при следующих значениях |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
параметров: высота колонны Я = 16, |
|||||||
длина полости П = 4, длина расплавленной зоны I = |
1 при коэф |
||||||||||||||
фициенте распределения |
k — 0,1. |
Расчет показал, что кривые рас |
пределения концентрации примеси вдоль колонны с увеличением числа прохождений отклоняются от горизонтальной линии исходной концентрации С = С0, приближаясь к положению предельного распределения, которое в данном случае практически достигается после десяти-двенадцати прохождений. В установившемся режиме содержание примеси в материале, выходящем из выпускного отверс тия, составляет лишь 0,0035 величины исходной концентрации, причем после пяти проходов отношение С/С0 составило 0,0104, что свидетельствует о Довольно быстром установлении режима.
Влияние высоты колонны на ход очистки исследовали при сле
дующих |
параметрах: |
длина |
полости П = 4, |
длина зоны 1 = 1 , |
высота |
колонны Я = |
8, 16 |
и 32, коэффициент |
распределения k = |
= 0,1. Расчет показал, что с увеличением высоты колонны резко возрастает степень очистки материала: содержание примеси у вы-
1 За длину колонны принято расстояние от выпускного отверстия до отвер стия для слива загрязненного’примесями расплава, т. е. разделительной ее части,
138
пускного отверстия при высоте колонны Я = 8; 16 и 32 составляет соответственно 0,0256; 0,00357 и 0,00009. Так как кривые распре деления имели сходный характер, располагались симбатно и могли быть совмещены при наложении друг на друга, то был сделан вывод о том, что кратность очистки возрастает прямо пропорционально высоте колонны.
Очень существенно сказывается влияние размера полости, опре деляющей скорость перемещения материала. Уменьшение длины
полости |
с |
четырех |
до двух при |
|
|
|
||||
Я = 16, |
/ |
= 1 и k = 0,1 |
приво |
|
|
Т а б л и ц а 8 |
||||
дит к снижению содержания при |
СРАВНЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ |
|||||||||
меси соответственно |
с 0,00357 до |
ОБЫЧНОЙ (Л) И КОЛОННОЙ (Б) |
||||||||
8,2 -10~6; дальнейшее уменьше |
ЗОННОЙ п е р е к р и с т а л л и з а ц и и " |
|||||||||
ние длины |
полости |
до |
единицы |
|
Среднее содержание |
|||||
снижает |
содержание |
примеси |
до |
Число |
||||||
примеси |
в материале |
|||||||||
1,0-10” 9, |
что |
свидетельствует |
о |
проходов |
|
|
||||
наличии |
квадратичной функцио |
|
А |
Б |
||||||
нальной зависимости. |
Интересный |
4 |
3,0-10"2 |
1,5-10' = |
||||||
результат |
|
дает |
исследование |
от |
||||||
ношения высоты колонны к длине |
8 |
2,5- КГ4 |
2,4-10“5 |
|||||||
16 |
2 ,0 - 16“8 |
6 ,0 - 1 0 ~ 10 |
||||||||
полости, |
которое определяет про |
|
|
|
||||||
должительность |
пребывания мате |
|
|
|
риала в колонне — при каждом прохождении зоны материал опус кается на расстояние длины полости. Так, уменьшение этого отно шения в два раза при сокращении длины полости с четырех до двух (Я = 16, / = 1 и k — 0,1) приводит к возрастанию логарифма коэф фициента очистки lg CJC также вдвое (соответственно— 2,5 и—5,1).
В табл. 8 приводится сравнение очистки при обычной зонной перекристаллизации по данным работы [115]. Различие степеней очистки увеличивается с каждым последующим проходом: если после четырех проходов они различаются в 2 раза, то после шестнадцати проходов — в 35 раз.
Теоретическое исследование односекционных аппаратов колонной зонной перекристаллизации ] 112, 116] показало, что при рабочем режиме справедлива формула
1 — exp kq> -5- -f (1 — k ) <p exp £q> -
С (х) = k &+ (!.+6) |
J L lc |
|
/. _г° |
II |
H — l |
(V.46) |
exp / |
(1 — /e) cp exp kff |
|
где cp — коэффициент, определяемый по уравнению
1 +ср = exp&p (l + х ) • -
Врезультате стало возможным установить связь отношений П/7
иНИ, т. е. параметров аппаратов П и Я (в длинах расплавленных зон /) и коэффициентов очистки а и обогащения |3:
139
С |
[^ + (1 + k ) j |
j j |
0 — k) ~ k ] exp Acp |
----1 ^ |
|||
|
|
|
|
|
|
(V.47) |
|
Cr |
|
|
|
|
H — |
||
|
-exp /гср — 4- (1 |
/ |
|||||
|
|
■k ) cp exp ky- |
|
|
|||
|
|
|
P= |
C0Cj.= |
|
|
|
k + ( l - k ) ^ ~ |
k — k exp kq> |
IT |
|
|
н |
, H — n |
|
—— P (1 — k) (exp k(p |
—— |
|
|||||
|
|
[T |
|
|
L-f |
f |
- |
|
k |
1 — exp k y —— p (1 — k ) ф exp kcp — -— |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
(V.48) |
Анализ производительности аппаратов колонной зонной пере кристаллизации [115] показывает, что они выгодно отличаются от аппаратов обычной зонной перекристаллизации. Была получена формула производительности аппаратов
|
Wn |
pfS |
|
|
i + |
н |
|
|
|
||
|
|
п |
|
где р — количество |
расплавленных |
зон; |
|
/ — скорость их |
перемещения; |
|
S — площадь поперечного сечения разделителя колонны. Выход очищенного материала составляет величину
1
(V.49)
(V.50)
Отсюда видно, что отношение //П аналогично флегмовому числу.
В результате расчетов была намечена схема проектирования рассматриваемых аппаратов. Выбрав размеры полости и расплава зоны, по одной из формул (V.47) или (V.48) определяют величину разделителя секции, другую формулу используют для проверки.
В простейшем варианте аппарата (рис. 55, /(.возможности варьи рования его параметров ограничены. При наличии в колонне не скольких отверстий, расположенных на различной высоте (варианты 2 и 3), возможности изменения параметров Я, / и П увеличиваются. Такие же возможности обеспечивает использование составной ко лонны (вариант 4), которая собирается из определенного количества стандартных элементов.
Значительное увеличение производительности достигается при обслуживании группы колонн одним нагревателем или блоком жестко связанных нагревателей (вариант 5). Изменение размеров расплав ленной зоны и полости можно достичь применением имеющегося сечения колонны (варианты 6 и 7).
Выгодно располагать нагреватели в коаксиальных каналах (ва рианты 8 и 9). При этом удается эффективно увеличивать площадь сечения колонны.
Колонне может быть придан наклон (вариант 10). Развитием этого варианта является обширная группа Спиральных аппаратов (варианты 11—23), отличающихся компактностью [128].
140