Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Теоретические основы переработки полимеров (механика процессов)

..pdf
Скачиваний:
45
Добавлен:
15.11.2022
Размер:
21.7 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

низких температурах формируют­

 

 

 

 

 

ся

преимущественно

линейные

 

 

 

 

 

структуры, соответственно т = 2.

 

 

 

 

 

При

 

более

высокой

температуре

 

 

 

 

 

идет

 

спорадическое

формирова­

 

 

 

 

 

ние сферических структур, т = 4.

§-20/70

 

 

 

Обычно в качестве характери­

 

 

 

стики температурной зависимости

 

 

 

 

 

константы

скорости

 

кристалли­

 

 

 

 

 

зации используют значения не са­

Рис.

VI. 4.

Температурная

зависимость

мой константы, а величину полу-

периода кристаллизации, числен­

полупериода

кристаллизации

натураль­

ного каучука

(7^ — температура стеклова­

но равного

времени,

требующе­

ния,

Тт — температура

плавления).

муся для достижения половинной

 

 

 

 

 

степени кристалличности. Типич­

 

 

 

 

 

ная

кривая

температурной зави­

 

 

 

 

 

симости полупериода

кристалли­

 

 

 

 

 

зации приведена

на рис. VI. 4.

 

 

 

 

 

Вблизи

температуры плавле­

 

 

 

 

 

ния Тт (или стеклования Tg) ско­

 

 

 

 

 

рость

кристаллизации

мала;

по­

 

 

 

 

 

этому появление кристалличности

 

 

 

 

 

не удается наблюдать даже при

 

 

 

 

 

очень

большой продолжительно­

 

 

 

 

 

сти эксперимента. По мере пони­

 

 

 

 

 

жения температуры от Тт (и по­

 

 

 

м

 

вышении от Tg) скорость кристал­

 

 

 

 

лизации возрастает,

проходит че­.IV*

 

 

 

 

 

рез максимум, а затем вновь

Рис. VI. 5. Зависимость

полупериода кри­

уменьшается практически до нуля.

сталлизации от молекуляоной

массы.

Максимальная

скорость

кри­

 

 

 

 

 

сталлизации

уменьшается с уве­

личением молекулярной массы. Это проявляется в зависимости об­ ратных полупериодов кристаллизации от молекулярной массы (рис. VI. 5).

VI. 2. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ И СКОРОСТИ ОХЛАЖДЕНИЯ НА КРИСТАЛЛИЗАЦИЮ

Известно, что при температурах, на много превышающих темпе­ ратуру плавления, в расплавах полимеров существуют упорядо­ ченные микрообласти (ближний порядок) [4]. Дальнейшему упо­ рядочению и образованию устойчивых кристаллических зароды­ шей препятствует дезориентирующее влияние теплового движения, уменьшающееся при понижении температуры. Однако при слиш­ ком быстром охлаждении процессу кристаллизации, связанному с необходимостью кооперативного перемещения пачек цепных

 

 

 

молекул, мешает быстро увеличивающая­

 

 

 

ся вязкость. Поэтому при быстром ох­

 

 

 

лаждении структура кристаллических по­

 

 

 

лимеров в блоке оказывается преимуще­

 

 

 

ственно ламелярной. Дальнейшая уклад­

 

 

 

ка образующихся ламелей в сферолиты

 

 

 

не успевает пройти.

охлаждении

имею­

 

 

 

При

медленном

 

 

 

щиеся в расплаве упорядоченные области

 

 

 

играют роль центров

кристаллизации.

 

 

 

Число таких центров зависит не толь­

 

 

 

ко от начальной температуры расплава,

 

 

 

но и от всей

его температурной

преды­

 

 

 

сторииЕсли расплав нагрет на 10—20 К

Рис. VI. 6.

Схема

зародыша

выше

температуры

плавления,

то

при

последующем

охлаждении

ниже

темпе­

кристаллита

[6].

 

сталлизации

 

ратуры

кристаллизации зародыши

кри­

образуются практически

мгновенно.

Это

связано

с тем, что в таком «холодном» расплаве сохраняются почти все прежние зародыши. Поэтому при последующем охлаждении кри­ сталлизация начинается именно на этих зародышах и протекает с высокой скоростью.

Если температура расплава велика и в нем сохранилось мало зародышей, то при последующем охлаждении необходимо допол­ нительное время (индукционный период) для их возникновения. В этом случае большое значение приобретают рассмотренные выше ориентированные области, играющие роль своеобразных искусственных зародышей кристаллизации. Время, необходимое для появления первых признаков кристаллизации, называется ин­ дукционным периодом ti. Величина индукционного периода сильно зависит от температуры и может быть описана эмпирическим уравнением вида [5, с. 164].

t i = ( T m - T ) - 1

 

(VI. 4)

где Т — температура, при которой происходит кристаллизация;

значение пока­

зателя степени лежит в пределах 2,5 ^

^ 9

 

Количественные зависимости, описывающие влияние темпера­ туры на основные характеристики процесса кристаллизации, сформулированы в работах [I, с. 247; 6]. В соответствии с приве­ денным в них термодинамическим анализом кристаллизации по­ лимеров присуща сильная зависимость критических размеров зародыша от степени переохлаждения. Для прямоугольного заро* дыша, подобного изображенному на рис. VI. 6, справедливы сле­ дующие соотношения:

л =

4сг/Л/; /^=4(УГ/Л/

(VI. 5)

где

а, От— соответственно

удельные свободные энергии по боковой поверхно­

сти зародыша и его торцу;

А/ — свободная объемная энергия образования заро­

дыша.

 

Величина А/ определится выра­ жением

А/ =

2а2сгг + Aalo —■аЧ Л/г

(VI. 6)

где

Ah — теплота плавления

единицы объ­

ема

кристалла.

 

Если воспользоваться обычно применяемым в физике твердого тела соотношением между темпера­ турой плавления и температурой кристаллизации [7, с- 364], то полу­ чим:

Рис.

VI. 7.

Температурная

зависи­

Л/ = Ah (Т - Тщ) =

АЛ АТ/Тт

(VI. 7)

мость

скорости кристаллизации:

 

 

 

/ —суммарная

скорость кристаллиза­

где АТ — величина переохлаждения.

 

ции о; 2—скорость зародышеобразова

 

ния

/V; 3—скорость роста

з а р о д ы -

Для скорости первичного заро-

шей

О.

 

 

 

 

 

 

дышеобразования

(первая

стадия

процесса кристаллизации) теория [1, с. 247; 6] дает следующее вы­ ражение:

Г

Е

8 n o Ta 2T 2m I

 

(VI 8)

N = N0exp

RT

кТ (ДЛ)-’ (ЛП2 J

L

 

где #о = NkT

(N — число сегментов

в единице объема расплава, k — постоян­

ная Больцмана,

Л— постоянная Планка); Е — энергия

активации переноса сег­

ментов через поверхность раздела жидкость — зародыш.

 

Очевидно, что при малых степенях переохлаждения повышение

температуры

кристаллизации

приводит к

увеличению скорости

зародышеобразования (рис. VI.7, кривая 2, область Те — Т\). При

слишком большом переохлаждении зародышеобразование замед-

ляется (область т\ Тт).

 

рост

образо-

Вторая стадия

процесса кристаллизации — это

в а в ш и х с я

з а р о д ы ш е й . В ы р а ж е н и е , о п и с ы в а ю щ е е

т е м п е р а т у р н у ю за­

в и с и м о с т ь

с к о р о с т и

р о с т а

к р и с т а л л о в [1, с. 250;

6],

и м е е т

вид

G =

Г - —

---- 1™— J

 

 

(VI. 9)

 

L

kT

(An*(A/0‘ J

 

 

 

где Ge константа, имеющая размерность с-1; a — размер боковой грани кри­ сталлита (сМ. рис. VI. 6); / — показатель степени, который в зависимости от ме­ ханизма образования кристаллов может принимать значения 1 или 2 (в случае

кристаллизации неориентированного расплава i = 1).

 

 

Легко заметить, что выражения (VI. 8) и

(VI. 9)

отличаются

Друг От Друга. Следствием этого различия

является

разница в

форме кривых, описывающих температурную

зависимость скоро­

сти зародышеобразования (кривая 2 на рис. VI. 7) и температУРную зависимость скорости роста кристаллов (кривая 3 на рис. VI.7). Качественно это различие связано с большим влиянием

7 За^аз 403

193

уменьшающейся при переохлаждении подвижности сегментов на процесс роста, что приводит к более раннему достижению темпе­ ратуры максимальной скорости роста. Итоговое выражение, опи­ сывающее суммарную скорость кристаллизации, имеет вид

v = v0exp [

Е

32ai+lTlm ]

 

~RT

kT (Ah)l (bT)1 J

(VI. 10)

Температурная зависимость суммарной скорости кристаллиза­ ции изображена кривой 1 на рис. VI. 7. Видно, что скорость кристаллизации близка к нулю при температуре плавления и температуре стеклования. Температура максимальной скорости кристаллизации Т\ занимает промежуточное положение между

температурой максимальной скорости зародышеобразования Т\ и

температурой максимальной скорости роста Т".

Температурная зависимость полупериода кристаллизации опи­ сывается выражением вида

32dl+lT‘m 1

т1/а = с ехр

(VI. 11)

kT (дл)г(ДП'J

 

где с — константа, имеющая размерность времени;

а — среднее значение удель­

ной свободной поверхностной энергии.

 

Приведенные в этом разделе зависимости, строго говоря, прило­ жимы к кинетике изотермической кристаллизации. Однако с их по­ мощью можно проводить сравнительный анализ кинетики неизотер­ мической кристаллизации в процессах переработки полимеров.

VI. 3. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ В ПРОЦЕССАХ ПЕРЕРАБОТКИ ПОЛИМЕРОВ

В реальных процессах переработки полимеров кристаллизация протекает в неизотермических условиях. При этом скорости охла­ ждения различных сечений изделия в связи с низкой теплопровод­ ностью полимеров сильно отличаются друг от друга. Дополни­ тельное осложнение состоит в том, что при экструзии (или литье) термопластов кристаллизация развивается на фоне ориентацион­ ных напряжений, возникающих вследствие существования в ра­ сплаве тангенциальных и нормальных напряжений.

ВЛИЯНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПРОЦЕСС КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Если кристаллизация начинается в деформируемом расплаве, в ко­ тором существуют механические напряжения, то под их воздей­ ствием в полимере образуются необычные в морфологическом отношении формы — сплюснутые сферолиты. Такие своеобразные структуры, напоминающие диски или пластины, нанизанные на общий стержень, получили название структуры типа «шиш-кебаб»

[8, 10]; пример структуры такого типа приведен на рис. 1.3, а, на котором изображена сильно ориентированная структура линейного полиэтилена. Направление деформации сдвига указано стрелкой. Хорошо видны первичные фибриллярные образования, вытянутые в направлении деформации сдвига. На эти первичные фибриллы нанизаны пачки ламелей, поверхности которых расположены перпендикулярно направлению ориентации.

Структуры, внешне сходные с образованиями типа «шиш-ке­ баб», наблюдались при кристаллизации каучука. И в этом случае наибольшие по размеру элементы надмолекулярной структуры ориентируются нормально к направлению растяжения, несмотря на то, что направление молекулярных цепей в кристаллах не совпа­ дает с этим направлением [11].

Хилл и Келлер установили [12], что при охлаждении ориенти­ рованных расплавов наличие поля напряжений приводит к воз­ никновению двухступенчатого механизма кристаллизации. Вначале зарождается сравнительно небольшое число фибриллярных кри­ сталлов с явно выраженной ориентацией вдоль оси с. Эти кри­ сталлы играют роль зародышей кристаллизации, на которых на­ чинается массовый рост кристаллов ламелярного типа.

Значение действующих напряжений оказывает на образую­ щуюся структуру двоякое влияние.

Во-первых, от уровня напряжений зависит число первичных фибриллярных зародышей, которое увеличивается с ростом на­ пряжений. Поэтому элементы вторичной ламелярной структуры оказываются тем меньше, чем выше напряжения.

Во-вторых, уровень напряжений определяет ориентацию ламе­ лей, образующихся на первичных зародышах. Если напряжение мало, то ламели оказываются скрученными, как в обычных сферолитах. Возникающие при этом структуры напоминают плоские диски, поверхность которых ориентирована перпендикулярно ориентационным напряжениям. Такой характер имеют структуры, образующиеся в изделиях, полученных методом экструзии. При высоких напряжениях полимерные молекулы образуют плоские ламели, поверхность которых по-прежнему нормальна к направ­ лению поля напряжений. Однако эти ламели уже не укладывают­ ся по радиусам и не образуют сплюснутых сферолитов [13].

С увеличением напряжений сдвига температура начала кри­ сталлизации повышается. Приведенные на рис. VI. 8 данные были получены при кристаллизации расплава линейного (кривая 1) и разветвленного (кривая 2) полиэтиленов в рабочем зазоре рота­ ционного вискозиметра [11]. Эксперимент проводили, охлаждая деформируемый расплав от 180°С со скоростью 2°С/мин. Момент начала кристаллизации фиксировался по резкому увеличению на­ пряжений сдвига. После охлаждения до комнатной температуры образцы извлекали из прибора и исследовали методом рассеива­ ния рентгеновского излучения под малыми углами. Приведенные на рис. VI. 8 данные показывают, что увеличение напряжения

ЧР
Рис. VI. 8. Влияние напряжений сдвига на температуру кристаллизации линейного полиэтилена:
/ —шолекс 6039, М —50 000; 2— эполен П

сдвига приводит к повышению температуры начала кристалли­ зации на 8-10 К.

Подробный термодинамиче­ ский анализ влияния поля напря­ жений на процесс кристаллиза­ ции содержится в работах [14— 17]. Основной вывод из этих ра­ бот состоит в том, что эффект сплющивания сферолитов связан с изменением свободной энергии образования зародышей критиче­ ского размера; величина и знак этого изменения зависят от ориен­ тации молекулярных цепей заро­.IV* дыша относительно направления действующих в расплаве (или рас­ творе) нормальных напряжений. Если направление полимерной цепи совпадает с направлением ориентации, для образования за­

родыша требуется дополнительная энергия. Напротив, для цепей,

нормальных к направлению

ориентации,

энергия,

необходимая

для образования зародыша

критических

размеров,

уменьшается.

VI. 4. КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ, УЧИТЫВАЮЩИЕ ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ НА КРИСТАЛЛИЗАЦИЮ

Исходное положение, на котором базируется предложенный метод расчета процесса кристаллизации, основано на результатах работ [6—18]. Из этих работ следует, что число зародышей, скорость кристаллизации и толщина ламелей (размер складок) зависят от разности значений свободной энергии Af, приходящейся на еди­ ницу объема в расплаве и в кристаллической фазе. Изменение свободной энергии при кристаллизации можно выразить через из­ менения внутренней энергии (теплота плавления Дh) и энтро­ пии Д5:

(VI. 12)

Энтропия ориентированного расплава существенно отличается от энтропии неориентированного, поэтому толщина кристаллита, образованного пачкой сложенных молекулярных цепей, и скорость кристаллизации в напряженном состоянии отличаются от соответ­ ствующих параметров для аналогичного образца, полученного кристаллизацией из неориентированного расплава.

В соответствии с существующими представлениями о меха­ низме кристаллизации полимеров изменение кинетики кристалли­ зации, вызванное ориентацией, можно чисто формально свести к повышению равновесной температуры кристаллизации, эквива­ лентному увеличению переохлаждения.

Из теории высокоэластичности следует, что изменение энтро­ пии, вызванное высокоэластической деформацией полимера, опре­ деляется выражением [19, с. 74]

N k

(VI. 13)

Д50 = — -Tjj—(Я2 + 2/Я - 4)

где Я — относительное удлинение; А — коэффициент (при растяжении 4 = 3, при простом сдвиге 4 = 2).

Следовательно, изменение свободной энергии ориентированного (растянутого) расплава будет меньше на величину TAS0:

Д/о = — Д/г — Т (Д5 - Д50) = — Д/г + Г | AS | — Г | Д501

(VI. 14

Вводя новое значение температуры кристаллизации Гшо, полу­ чим для ориентированного состояния:

Д/о = — Д/г ДГо/Тmn

(VI. 15)

(индекс «О» указывает на то, что соответствующий параметр отно­ сится к ориентированному состоянию).

Приравнивая выражения (VI. 14) и (VI. 15), получим после ряда преобразований выражение для расчета температуры кри­ сталлизации ориентированного расплава:

Ттй = Тт/ \ \ + Л)] (VI. 16)

Выражение (VI. 16) позволяет чисто формально учесть влияние высокоэластической деформации расплава, вызванной наличием

ТАБЛИЦА VI. 1.

Влияние ориентации расплава па т ем перат уру начала крист аллизации

С к о р о сть

де ф о р м а ц и и р а с п л а в а .

с " " 1

2 ,7

4 3 ,2

1 7 3 ,0

6 9 2 ,0

1 3 8 3 ,0

Н ап р я ж ен и е

к

 

д г о-

4 Г Э, К

с д в и г а х 103,

 

 

(эксперим ент)

М П а

 

 

К (теория)

 

 

 

 

 

 

 

0 ,0 6

1,01

4 0 3 ,0 7

0 ,0 7

0,1

0 ,3 2

1 ,2 8

4 0 4 ,8 5

1 ,85

3 ,0

0 ,7 5

1 ,4 5

4 0 7 ,7 0

4 ,7 0

5 ,7

1 ,6 6

1,5 5

4 0 8 ,1 0

5 ,1 0

7 ,7

2 ,0 8

1,7 0

4 1 1 ,7 0

8 ,7 0

10 ,0

 

 

 

 

нормальных

напряжении,

 

на

про­

 

 

 

 

цесс кристаллизации. Анализ

выра­

 

 

 

 

жения (VI. 16)

показывает,

что вы­

 

 

 

 

сокоэластическая деформация

рас­

 

 

 

 

плава приводит к повышению тем­

 

 

 

 

пературы кристаллизации. Экспери­

 

 

 

 

ментальные данные, свидетельствую­

 

 

 

 

щие о существовании такого эффек­

 

 

 

 

та, широко известны. В качестве ил­

 

 

 

 

люстрации

 

возможности

расчета

 

 

 

 

температуры

кристаллизации

мож­

 

 

 

 

но воспользоваться

данными

Ка-

 

 

 

 

баяши [13], исследовавшего влияние

риода для ориентированных образцов

скорости сдвига на температуру на­

чала кристаллизации

линейного по­

Рис. VI. 9.

Зависимость большого пе­

лиэтилена

в

рабочем зазоре

рота­

полиэтилена

низкой плотности от вы­

сокоэластической

деформации, вы­

ционного

вискозиметра.

(Величину

званной

нормальными напряжениями.

Кривые — расчет, точки — эксперимен­

высокоэластической

деформации

тальные

данные;

числа у кривых —

расплава

рассчитывали

по форму­

Расчетные

 

лам, приведенным в гл. II.)

высоко­

и экспериментальные данные

о влиянии

эластической деформации расплава полиэтилена высокой плотности на температуру начала кристаллизации приведены в таблVI. 1. При определении АТэ температуру кристаллизации находили по точке перегиба на кривых температурной зависимости вязкости при постоянной скорости деформации.

Видно, что значения величины переохлаждения, рассчитанные

по формуле

(VI. 6), удовлетворительно совпадают с данными экс­

перимента.

 

 

Влияние ориентации на длину элементарных кристаллитов

можно оценить по выражению

 

4(ТГ _

4оГГ7'тО

(VI. 17)

|Д/0 |

ДЛ Д^о

 

На рис. VI. 9 приведены значения большого периода, рассчитан­ ные по формуле (VI. 17) для полиэтилена низкой плотности, кри­ сталлизующегося в ориентированном состоянии при разном пере­ охлаждении. Там же нанесены экспериментальные точки, получен­ ные методом малоугловой дифракции рентгеновских лучей на дифрактометре ДРОН-I с приставкой КРМ.

Относительное изменение скорости зародышеобразования ори­ ентированного расплава по сравнению с неориентированным опре­ делится выражением

N 0 = 8яагсг ( Т т _ Т то

(VI. щ

N

АгГ (ДЛ)2 \ДТ 2 ДГ§

 

 

 

 

Относительное

 

изменение

 

 

 

скорости роста кристаллов для

 

 

 

ориентированного расплава на­

 

 

 

ходится из соотношения

 

 

 

 

In

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16агог

I

1 тп______ 1 тэ

1

 

 

 

kT ДЛ*43

\ Д Ti+l

 

A TlQ+ l)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(VI. 19)

 

 

 

где i =

2, если

направление ориента­

 

 

 

ции совпадает с направлением роста,

 

 

 

и i = l ,

если

направление

ориента­

 

 

 

ции

перпендикулярно

направлению

 

 

 

роста.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Типичные

примеры

резуль­

 

 

 

татов расчета влияния

ориен­

 

 

 

тации на кристаллизацию рас­

 

 

 

плава

полиэтилена

 

низкой

 

 

 

плотности

 

представлены

на

 

 

 

рис. VI. 10. Видно, что уже при

 

 

 

сравнительно малых величинах

 

 

 

ориентации,

соответствующих

 

 

 

Л = 1 ,

2,

скорость

зародыше-

 

 

 

образования

увеличивается в

 

 

 

100

раз

(рис.

VI. 10,а),

при

 

 

 

этом скорость

роста

кристал­

 

 

 

литов возрастает лишь в 10 раз

 

 

 

(рис.

VI. 10,б).

Затруднению

 

 

 

роста

кристаллитов

 

способ­

 

 

 

ствует

и уменьшение подвиж­

 

 

 

ности ориентированных макро­

Рис. VI. 10. Зависимость скорости зародыше-

молекул, поскольку температу­

образования

(а) и скорости роста кристал­

ра

максимальной скорости за-

лов {б)

от

высокоэластической деформации

родышеобразования всегда ни­

расплава. Числа на кривых — температура, К.

 

 

 

же температуры максимальной

В

 

 

скорости роста кристаллитов.

направлении, перпендикулярном

направлению

ориентации,

величина скорости зародышеобразования меньше. Поэтому рост кристаллитов происходит преимущественно поперек потока, что и приводит к образованию в сильно ориентированных расплавах структур типа «шиш-кебаб».

Таким образом, изменения, вносимые присутствием механиче­ ского поля в процесс кристаллизации, можно учесть, если из­ вестны параметры, ответственные за величину молекулярной ориен-

Методы, описанные в гл. II и III, позволяют определить высо­ коэластические деформации расплава в зависимости от условий течения. Полученные значения высокоэластических деформаций совместно со сведениями о температурном поле могут быть ис­ пользованы для количественного анализа процессов кристалли­ зации.

VI. 5. ВЛИЯНИЕ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ПРОЦЕСС КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Так же как и для низкомолекулярных веществ, увеличение гидро­ статического давления повышает температуру плавления поли­ меров. Это изменение температуры плавления описывается урав­ нением Клапейрона — Клаузиуса:

d In Тт _

ДУ

(VI. 20)

dP

Дh

 

где Д У— изменение объема при плавлении.

Следовательно, кристаллизация в условиях повышенного дав­ ления происходит при большом переохлаждении, и все приведен­ ные выше зависимости, описывающие влияние температуры (или ориентации) на основные характеристики процесса кристаллиза­ ции, могут быть использованы и для оценки влияния повышенного давления. При этом повышение давления, повышая температуру плавления, приводит к существенному ускорению процесса кри­ сталлизации даже при малой величине фактического переохлаж­ дения. Это, в свою очередь, увеличивает вероятность формирова­ ния монокристаллов с вытянутыми цепями; этот прием получил довольно широкое распространение в практике исследовательских

 

 

Структуры,

формирующиеся

 

 

при повышенном давлении, отли­

 

 

чаются

высокой

степенью

одно­

 

 

родности

по размерам. Одновре­

 

 

менно

с

изменением

структуры

 

 

наблюдается увеличение плотно­

 

 

сти и динамического модуля по­

 

 

лимера

(рис. VI. И). Повышение

 

 

давления

кристаллизации,

как

 

 

видно из рисунка, приводит к по­

 

 

чти двукратному возрастанию дей­

Рис. VI. 11. Частотная

зависимость дина­

ствительной компоненты динами­

мического модуля для литых образцов

ческого

модуля

практически но

линейного полиэтилена при давлении:

всем

исследованном

интервале

/ —280 МПа ф = 0,973

г/смЗ); 2—56 МПа

(р =0,945 г/см3).

 

частот [20].

 

 

 

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]