Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Валеев Введение в физику мезоскопических систем 2012

.pdf
Скачиваний:
26
Добавлен:
12.11.2022
Размер:
3.92 Mб
Скачать

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

В. Г. Валеев, Э. А. Маныкин

ВВЕДЕНИЕ В ФИЗИКУ МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ СИСТЕМ

Рекомендовано УМО «Ядерные физика и технологии» в качестве учебного пособия

для студентов высших учебных заведений

Москва 2012

УДК 538.9 ББК 22.3 В15

Валеев В. Г., Маныкин Э. А. Введение в физику мезоскопических систем: Конспект лекций. – М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – 160 с.

Настоящее учебное пособие создано на основе одноименного курса лекций, читаемого в НИЯУ «МИФИ», и предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, изучающих физику конденсированного состояния вещества и физику наноструктур. Оно содержит относительно простое описание ряда физических явлений, характерных для мезоскопических систем, в котором изложение основных модельных представлений сочетается с анализом ключевых экспериментов. Рассмотрены основы теории баллистического транспорта и влияние квантовой интерференции на проводимость квазиодномерных структур. Дано описание одноэлектронного туннелирования, кулоновской блокады и физических принципов работы одноэлектронных транзисторов. Проанализированы некоторые особенности металлов с беспорядком: явление локализации волн в случайном поле, слабая локализация электронов, универсальные флуктуации кондактанса в магнитном поле. Обсуждается физическое содержание и экспериментальный статус скейлинговой гипотезы локализации. Отдельные главы посвящены мезоскопическим эффектам в двусвязных системах

– равновесным токовым состояниям в кольцах из нормальных металлов и эффекту Ааронова–Бома, а также некоторым свойствам квантовых электромеханических систем.

Пособие подготовлено в рамках Программы создания и развития НИЯУ МИФИ.

Рецензенты: доктор физ.-мат. наук, проф. В.А. Алексеев

ISBN 978-5-7262-1593-8 © Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2012

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

 

1.

Основные понятия .....................................................................................

4

 

1.1. Формула Друде и соотношение Эйнштейна......................................

5

 

1.2. Характерные масштабы расстояний, времен и энергий ..................

8

 

1.3. Двумерный электронный газ ............................................................

14

2.

Некоторые свойства систем пониженной размерности .....................

17

 

2.1. Волновые функции электронов в 2DEG ..........................................

17

 

2.2. Плотность состояний электронов в системах

 

 

пониженной размерности .................................................................

19

3.

Основы теории баллистического транспорта .......................................

23

 

3.1. Режимы проводимости мезоскопических систем ...........................

24

 

3.2. Баллистический режим проводимости в квази-

 

 

одномерных проводниках .................................................................

26

 

3.3. Квантовые каналы проводимости ...................................................

27

 

3.4. Сопротивление квантового резистора. Формулы Ландауэра ......

29

 

3.5. Простые применения формализма Ландауэра ..............................

33

4.

Эффект Ааронова–Бома и незатухающие токи

 

 

в нормальных проводниках ....................................................................

44

 

4.1. Эффект Ааронова–Бома в металлических кольцах .......................

44

 

4.2. Незатухающие токи в кольцах нормальных металлов...................

54

5.

Кулоновское взаимодействие и зарядовые эффекты ..........................

66

 

5.1. Когда проявляется дискретность заряда ........................................

67

 

5.2. Когда формула Ландауэра неверна: Одноэлектронное

 

 

туннелирование сквозь барьеры малой емкости .........................

71

 

5.3. Одноэлектронный ящик ...................................................................

79

 

5.4. Одноэлектронный транзистор .........................................................

82

6.

Волны в неупорядоченных средах .........................................................

90

 

6.1. Диффузия частиц и концепция локализации ..................................

93

 

6.2. Квантовые поправки к проводимости. Слабая локализация .......

94

 

6.3. Скейлинговая гипотеза локализации ............................................

106

7.

Универсальные флуктуации проводимости ........................................

112

8.

Квантовые электромеханические системы .........................................

119

 

8.1. Общие характеристики квантовых элекромеханических

 

 

систем...............................................................................................

119

 

8.2. Углеродная нанотрубка как наноэлектромеханическая

 

 

система ............................................................................................

125

 

8.3. NEMS-детектор массы ...................................................................

132

9.

Заключительные замечания .................................................................

143

Приложение 1. Электронные свойства 2DEG в инверсионных

 

 

слоях Si и в гетероструктурах GaAs–AlGaAs .....................................

144

Приложение 2. Вывод формулы Ландауэра в теории линейного

 

 

отклика ..................................................................................................

146

Список использованной литературы ........................................................

157

3

Размер имеет значение. Дж. Р. Р. Толкин

1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ

Физические свойства больших систем могут быть в принципе рассчитаны усреднением по всем возможным конфигурациям их микроскопических подсистем. У такого подхода, разумеется, существует фундаментальная причина: хотя особенности поведения отдельных микроскопических подсистем макроскопического тела и являются существенно квантовыми на некотором масштабе расстояний, они, однако, не коррелируют между собой в пределах объема всей системы.

Вмезоскопических системах (термин позаимствован из статистической физики [1]), которые также состоят из множества микро-

систем, характерные масштабы квантовых корреляций имеют порядок размеров всей системы, что в существенной степени и определяет их поведение. При этом сама принадлежность той или иной системы к классам «макро» или «мезо» зависит от внешних условий – так как от внешних условий (например, от температуры, от напряженности магнитного поля) зависят масштабы квантовых корреляций.

На рис. 1. приведены некоторые объекты из мира «мезо».

Внастоящей главе мы обсудим основные факты, которые полезно иметь в виду при изучении физических свойств мезоскопических систем.

4

Рис. 1. Изображения некоторых мезоскопических систем, полученные с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ):

а – квантовая точка, построенная на поверхности GaAs при помощи пяти метал-

лических электродов (http://(pages.unibas.ch/physmeso/Pictures/pictures.html), на электродах – «минус»; б – квантовый «загон» (quantum corral) для электронов, образованный 48 атомами железа на поверхности (111) меди; диаметр «загона»

14,2 нм, ток зонда 1,0 нÅ (Crommie M. F. et al.// Phys. Rev., 1993, B48. P. 2851)

1.1. Формула Друде и соотношение Эйнштейна

Совершим небольшой экскурс в теорию электронной проводимости макроскопических проводников с примесями – так называемых диффузионных проводников. Для простоты ограничимся случаем монополярной проводимости электронного типа.

Длина волны электронов, дающих вклад в ток в таких системах, много меньше их средней длины свободного пробега, и для движения носителей заряда под действием внешнего электрического поля справедлива концепция столкновений. А именно: можно считать, что движение электронов представляет собой последовательность (мгновенных) столкновений (друг с другом, с колебаниями кристаллической решетки, с дефектами), которые разделены промежутками времени свободного движения, когда на электроны действует только сила со стороны внешнего поля. При столкновениях со статическими дефектами энергия электронов сохраняется, а направление движения изменяется случайным образом. Если внешнее поле слабое и не зависит от времени, в системе возникает стационарное токовое состояние, в котором движение электронов характеризуется средней скоростью дрейфа υdr в электрическом поле:

5

υ =

eτ

E,

(1.1)

dr m

где τ – среднее время упругих столкновений, E – напряженность поля, m – эффективная масса электрона. Подвижность носителей μ определяется как

υ E,

μ =

eτ

,

(1.2)

 

dr

 

 

m

 

 

 

 

 

 

 

плотность тока j подчиняется закону Ома,

j = enυdr

= σD E, где

п – плотность электронов, σD – друдевская проводимость:

σD =enμ =

ne2τ

.

 

 

(1.3)

m

 

 

 

 

 

 

 

Таково классическое выражение для проводимости диффузионного проводника с электронным типом проводимости. При этом ток есть результат дрейфа всех электронов в системе.

С другой стороны, при kBT << EF и в пренебрежении электрон-

электронным взаимодействием электронная подсистема представляет собой вырожденный ферми-газ, в котором квазиимпульс – хорошее квантовое число, а все разрешенные состояния ферми-моря заполнены вплоть до k = kF E = EF), где

 

2π2

 

1/3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

, d = 3,

 

 

 

 

 

 

gσgv

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1/2

 

 

 

 

 

4π

 

 

 

 

2

2

 

 

kF =

 

 

n

, d = 2 ,

EF =

 

kF

,

(1.4)

 

 

 

2m

 

gσgv

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n ,

d =1,

 

 

 

 

 

 

gσgv

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d – размерность пространства, gσ – кратность спинового вырождения, gv – число эквивалентных долин (например, для GaAs при H=0 gσ = 2, gv = 1, так что при d = 2 получим kF = (2πn)1/2, EF = π 2 nm ). Вклад в ток дают лишь электронные состояния с энергиями в интервале порядка нескольких kBT вблизи EF, которые в присутствии

6

электрического поля заполнены анизотропно – так как заполнение более глубоких состояний под действием поля не изменяется.

Записывая плотность тока в виде j = en(υdr υF )υF , где υF = kF m – фермиевская скорость, можно выразить друдевскую

проводимость системы через коэффициент диффузии электронов проводимости и плотность электронных состояний на поверхности Ферми. Например, используя (1.4), при d = 2 имеем:

e2

 

k

l

 

 

σDd =2 =

 

gs gv

F

 

,

(1.5)

h

2

 

 

 

 

где l =υFτ – длина упругих столкновений. Мы видим, что проводимость двумерного проводника зависит от отношения длины сво-

бодного

пробега электронов к фермиевской длине волны

λF = 2π

F и естественным образом измеряется в единицах не-

кой фундаментальной величины, имеющей размерность обратного сопротивления, e2 h (25,812 kΩ)1 . В двумерном случае плот-

ность состояний невзаимодействующих электронов не зависит от энергии (см. формулу (2.6) ниже), так что для ее значения на фер- ми-поверхности можно записать:

ν2 = gσgvN

 

m

 

,

(1.6)

2π 2

 

 

 

 

 

где N – число заполненных подзон размерного квантования, а ко-

эффициент диффузии электронов при d = 2 имеет вид

 

D =

1

υ2τ =

1

υ l ;

(1.7)

2

2

 

F

 

F

 

 

наконец, для проводимости двумерной системы получим

 

σDd =2 = e2ν2 D.

 

 

(1.8)

Формула (1.8) есть соотношение Эйнштейна для двумерного

вырожденного ферми-газа. И вообще, при произвольном d

 

σd

=e2ν D,

 

 

(1.9)

D

 

d

 

 

 

 

 

где νd – плотность электронных состояний на поверхности Ферми, а D – коэффициент диффузии электронов d-мерной системы.

7

Рис. 2. Упругое рассеяние электронов

1.2. Характерные масштабы расстояний, времен и энергий

Существует несколько важных масштабов длины, времени и энергии, которые естественным образом возникают при рассмотрении мезоскопических систем. Вот их краткое описание.

Фермиевская длина волны электрона λF. При kBT << EF ток в системе обусловлен движением электронов, занимающих состояния с энергиями в узком слое толщины порядка нескольких kBT в окрестности уровня Ферми. Параметр размерности длины, характери-

зующий эти состояния, есть фермиевская длина волны электрона:

λF =

,

(1.10)

kF

 

 

 

Этот масштаб зависит только от электронной плотности. Например, в двумерном случае (d = 2) λF = (n)12 ; при п 2 1011 –2 и

т = 0,067т0, где т0 – масса свободного электрона, получим EF = 7

мэВ, vF 1,95 107 см/с, λF 5,6 10–6 см = 56 нм.

Длина упругих столкновений l. Средняя длина свободного пробега электрона относительно упругих столкновений дается соотношением

l = υ τ =υ

μ

m

.

(1.11)

 

F F

 

e

 

Упругое рассеяние электронов происходит на локализованном в пространстве и не-

зависящем от времени потенциале – на-

пример, на статическом потенциале атомов примесей, хаотически распределенных в системе, или на ее неподвижных границах

(рис. 2)

Поскольку подвижность определяется электрическим сопротивлением, l по существу есть мера интенсивности рассеяния назад, а не малоуглового рассеяния. Для

μ=106см2 В с и τ = 3,8 10–11 с для длины свободного пробега и коэффициента диффузии имеем: l = 7,4 10-4см, D = 7,2 103 см2 с.

8

Рис. 3. Неупругое рассеяние электронов

Соотношение длины свободного пробега и характерного размера системы L определяет характер движения носителей заряда, которое, например, при l >> L будет баллистическим, а при l << L – диффузионным.

Длина lε и время τε неупругих столкновений. При рассеянии электронов на колебаниях кристаллической решетки и друг на друге изменяются не только импульсы электронов, но и их энергия. Среднее расстояние между последовательными актами неупругого рассеяния называется длиной неупругих столкновений (lε), а соответствующее время τε =lε υF – временем неупругих столкновений.

Неупругое рассеяние электронов обусловлено взаимодействиями, зависящими от времени – например, электрон-фононным и элек- трон-электронным (рис. 3).

При низких температурах заселены в основном длинноволновые акустические моды фононного спектра, и рассеяние электронов на фононах является малоугловым, а относительное изменение энергии электронов при столкновениях с фононами малó: EE sυF <<1, где s

скорость звука.

При электрон-электронных столкновениях величина переданной энергии и

соответствующие длина рассеяния и время между столкновениями сильно зависят от разницы энергий электронов до столкновения, а переданный импульс может быть большим, так как во взаимодействии участвуют частицы равной массы.

Время фазовой когерентности τф. Электрон – квантовомеха-

нический объект, которому присущи не только заряд, масса, импульс, энергия и спиновое состояние, но и фаза. Например, в стационарном состоянии с заданным импульсом фаза его волновой

функции ψp (r ) – величина θ = (kr + ϕ(t)) – вполне определена. И

поскольку при интерференции волн, как, например, в классическом опыте по двухлучевой интерференции, полная интенсивность суперпозиции волн не равна сумме интенсивностей компонент:

9

I = A1 + A2 2 = A1 2 + A2 2 + δIint

где ... – операция усреднения по времени, а

δIint = 2 A1 A2 Re{exp i(k1r1 k2r2 )+i(ϕ1 −ϕ2 ) }

– интерференционное слагаемое, то разность фаз электронных волновых функций может стать существенной. Если эта разность фаз по каким-то причинам изменяется во времени хаотически, результат усреднения интерференционного слагаемого по времени (которое всегда происходит в процессе измерения) обращается в нуль, – ввиду потери фазовой когерентности или, как еще говорят, ввиду

дифейзинга. Как правило,

δIint (t ) exp(tτφ ),

где τφ – среднее время, за которое интерференционное слагаемое

уменьшается в e = 2,71828… раз, или время фазовой когерентно-

сти (называемое в литературе также временем дифейзинга). Время дифейзинга – самый существенный временной масштаб

мезоскопической системы, и поэтому значительная часть исследований в этой области посвящена выяснению физических механизмов, ответственных за процессы потери фазовой когерентности волновых функций (рис. 4). Здесь важно отметить, что к дифейзин-

гу приводят только неупругие взаимодействия. Это легко по-

нять, вновь обратившись к электронной плоской волне, фаза которой, как известно, линейно зависит от времени: ϕ(t) = Ept(0)

при столкновениях электронов друг с другом, с фононами или с примесями, имеющими внутренние степени свободы (например,

спиновые), их энергия изменяется во времени случайным обра-

зом, что приводит к случайным изменениям фазы волновых функций электронов.

Разумеется, при столкновениях на статических дефектах фаза волновой функции электрона также изменяется. Однако эти изменения не зависят от времени – в том смысле, что они воспроизводятся, как только рассеивающийся электрон вновь движется по той же траектории – и к дифейзингу не приводят.

10

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]