- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
2. 2 Классификация дефектов
По геометрическим признакам все несовершенства (дефекты) делятся на точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двумерные) и объемные (трехмерные).
2.2.1.Точечные дефекты.
Они могут быть собственными (структурными) и примесными. К собственным дефектам относятся вакансии и межузельные атомы, к примесным - атомы примеси, растворенной по способу замещения или внедрения (рис.2.3)
а) б) в)
Рис. 2.3. Основные типы точечных дефектов:
а) атом внедрения, б) атом замещения, в) вакансия
Вакансии (в) и атомы внедрения (а) могут находиться в любых узлах решетки, а атомы замещения занимать места атомов основного металла. Межузельные атомы (а) и примесные атомы внедрения располагаются в тех местах между атомами основного металла, где больше свободного места.
Вокруг свободного узла или межузельного атома решетка искажена, т.е. точечный дефект можно рассматривать как центр сжатия или расширения в упругой среде. Из теории упругого поля в непрерывной среде следует, что напряжение и деформация вокруг такого центра убывают обратно пропорционально третьей степени расстояния от него. Упругая деформация точечного дефекта должна распространяться в принципе до поверхности кристалла, однако имеет заметные смещения только на расстоянии 5-6 . Эта область называется ядром дефекта. Для ГЦК метал
лов вакансия (рис.2.4) вызывает смещение в свою сторону соседей первого слоя <110> на 2% от межатомного расстояния, а второй слой <100> от вакансии уже на порядок меньше по величине.
Точечные дефекты повышают энергию кристалла. Основная доля энергии связана с нарушением периодичности атомной структуры и сил связи между атомами. Расчеты показывают, что энергия образования вакансии ~ 1 эВ, межузельного атома 3-4 эВ.
Необходимо также отметить факт перемещения точечных дефектов в объеме, связанный с тепловым (колебательным) движением атомов решетки, которые, взаимодействуя, обмениваются энергией. Из-за спонтанного распределения энергии любой из атомов может получить импульс такой величины, что сможет занять соседнее п оложение, т.е. переместиться в объеме металла путем "протискивания". Это означает, что он преодолевает энергетический барьер ЕМ (рис.2.5), называемый энергией активации миграции (вакансии). Атомы примесей замещения мигрируют с помощью вакансионного механизма. Наибольшие атомы внедрения в отличие от больших межузельных атомов могут более интенсивно мигрировать в решетке по механизму, близкому к механизму движения вакансий.
Закалка и отжиг. С понижением температуры равновесная концентрация вакансий уменьшается по экспоненциальному закону
,
где Е0 - энергия образования вакансии.
При закалке, т.е. резком уменьшении температуры, этот процесс не успевает пройти и фиксируется избыточная концентрация вакансий. Даже закалка в обычной воде приводит к заметному избытку вакансий. При закалке с высоких температур могут образовываться как двумерные (диски вакансий), так и трехмерные агрегаты вакансий - микропустоты ( 300 ). При отжиге, т.е. нагреве металла, вновь повышается активность вакансий и они могут исчезнуть в разных стоках (границы зерен, поверхность и др.), т.е. уменьшится их концентрация.