- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
2.1 Трехмерные кристаллические системы
Наиболее общим случаем решетки в трехмерном пространстве является триклинная решетка, которая может быть представлена в виде параллелепипеда, все углы которого , а вектора трансляций а,в,с имеют различную длину (рис. 2.1, а). Из него можно получить четырнадцать трехмерных решеток Бравэ (рис.2.1, б) или представить в виде таблицы (см. табл.1).
Система |
Характеристики общепринятой элементарной ячейки. Размеры и углы |
Решетки Бравэ в данной системе |
Триклинная |
a b c
|
P (примитивная) |
Моноклинная |
a b c
|
Р (примитивная) С (базоцентрированная) |
Ромбическая |
a b c
|
Р (примитивная) С (базоцентрированная)
|
Тетрагональная |
a=b c
|
P (примитивная) I (объемноцентрированная) |
Кубическая |
a=b=c
|
P (примитивная или простая кубическая) I (объемноцентрированная) F (гранецентрированная) |
Тригональная или ромбоэдрическая |
a=b=c
|
R (ромбоэдрическая примитивная)
|
Гексагональная |
a=b c
|
P (примитивная ромбоэдрическая) |
Кубическая I является объемно центрированной кубической (ОЦК), а кубическая F (рис. 2.1) гранецентрированной кубической (ГЦК).
Индексы Миллера и кристаллографические направления
При рассмотрении кристалла необходимо обозначить, например, плоскость наибольшей упаковки атомов или какое-то направление в нем. Для этого плоскости кристалла задаются индексами Миллера, которые определяются следующим образом.
Точки трехмерной решетки O, А, В, С - узлы ее, расстояние ОА (рис.2.1, а) совпадает по направлению с единичным вектором а так, что ОА = n1а. ОВ =n2b, ОС=n3с, где n1,n2,n3 - целые наименьшие числа.
Для описания направления в кристалле выбирается, например, прямая, проходящая через начало координат. Ее направление однозначно определяется индексами [n1 n2 n3]. Индексы узла являются одновременно и индексами направления и обозначаются [n1 n2 n3]. Примеры наиболее характерных направлений показаны на рис.2.2.
Положение плоскости определяется заданием трех отрезков по соответствующим осям А, В,С. Индексы такой плоскости находятся так. Записывают величины обратные этим отрезкам:
Полученные дроби приводят к общему знаменателю. Пусть таким числом будет Д, тогда целые числа будут
h = .
Они являются индексами плоскости и записываются так: (hk). На рис.2.2. приведены характерные примеры.
[111]
[101]
[110]
[011]
Рис. 2.2. Индексы Миллера некоторых наиболее важных плоскостей кубического кристалла. Плоскость (200) параллельна плоскости (100).
Кристаллографические направления также обозначаются тремя числами, но в квадратных скобках [ ]. Эти обозначения похожи на индексы Миллера для плоскостей, и совпадают по значениям с ними для направлений по нормали к поверхности и только для кубических кристаллов.
Необходимо отметить, что это все относится к идеальным кристаллическим решеткам, т.е. решеткам без дефектов, которые свойственны практически всем без исключения металлам, встречаемым в природе или получаемым человеком. Ближе всех к ним по свойствам приближаются монокристаллы.
К середине тридцатых годов 20-го столетия стали накапливаться экспериментальные факты об отступлениях от правильного кристаллического строения, были введены представления о дефектах решетки, которые оказывали доминирующее влияние на ряд свойств металлов и их сплавов: таких как электросопротивление, теплопроводность, пластичность и прочность и многие другие.
К концу пятидесятых годов существовали прямые структурные методы изучения всех видов дефектов, а для металловедов стало возможным определять количество и расположение этих дефектов непосредственно в промышленных сплавах при их теплообработке, прокатке и эксплуатации. Без учения о дефектах кристаллической решетки уже невозможно было обойтись при рассмотрении механических и физических свойств металлов. Таким образом, наличие дефектов в идеальной кристаллической решетке заставило говорить о реальной кристаллической структуре.