- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.1. Взаимодействие электронов
Рассмотрим металл при Т = 0. Фононов нет, так как они выморожены.
Электроны в соответствии с принципом Паули занимают все энергетические состояния ниже уровня Ферми. Представим себе, что в этих условиях уда-лось добавить каким то образом два электрона, то они естественно должны будут занимать состояния над уровнем Ферми, т.е. находиться в свободном (возбужденном) состоянии. Один из таких свободных электронов имеет волновой вектор kI и импульс р1 и движется по кристаллу. В какой-то момент времени он возбудил колебания решетки или на языке фононов: он испустил фонон, которого до этого не существовало и перешел в новое состояние с k1 и р1.
k1 = k1 + q ;
р1 = р1 + k ,
где q – волновой вектор фонона, k – импульс фонона.
При этом испущенный фонон поглощается вторым электроном, который до этого имел импульс р2 и обладал волновым вектором k2.
По закону сохранения импульса:
k2 + q = k2;
р2 + k = р2,
т.е. сначала были два электрона в состояниях k1 и k2 с импульсами р1 и р2 но после обмена фононом оказались в состояниях k1 и k2 и с импульсами р1 и р2. Значит, произошло рассеяние электронов и друг на друге, причем
k1 + k2 = k1 + k2 или
(р1) + (р2) = (р 1) + (р2 ).
Такое рассеяние двух частиц может происходить только в том случае, если они взаимодействуют. Процесс этот можно изобразить диаграммой как на рис. 5.1.
Каков знак этого взаимодействия?
В момент, когда электрон переходит из состояния k1 в k1, возникает колебание электронной плотности с частотой
,
где р1 и р1 -энергии электронов в состояниях р1 и р1 ( k1 и k1)
.
р1
р1-
р2
р2+
Рис.5.1. Схема взаимодействия частиц
Положим, что в результате такого колебания электронной плотности в данном месте произошло локальное увеличение плотности электронов. Ионы начнут притягиваться к этому месту и, обладая большей массой, будут некоторое время продолжать движение в том же направлении, хотя заряд уже будет скомпенсирован и произойдет перекомпенсация. Появится локальный положительный заряд в этой области. Вторая частица (электрон) с k2 и р2 начнет притягиваться к этому месту с перекомпенсированным зарядом. Таким образом возникает эффективное притяжение между этими электронами..
Отметим, что притяжение может возникнуть только в том случае, если колебания решетки (вынужденные!) происходят в фазе с вынуждающей силой (колебаниями электронной плотностью с ). Это будет в случае, когда частота вынуждающей силы меньше собственной частоты ионной системы. Такой характерной частотой является дебаевская частота D, т.е. максимально возможная. Поэтому условие притяжения формулируется так:
< D .
Пример: рассмотрим осциллятор с массой М и собственной частотой 0, который испытывает воздействие внешней силы fеit. Уравнение движения такой системы запишем:
+20х = (5.1)
решение уравнения имеет вид:
х = х0еit,
подставляя значения х в уравнение (5.1) имеем
Откуда следует, что пока 2 < 2D, колебания х = х0еit происходят в фазе с вынуждающей силой f. В противном случае колебания будут в противофазе.