- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.2.1. Энергия основного состояния
Общее выражение ЕS для энергии основного состояния дается формулой (5.9).
Если рассматривать нормальное состояние сверхпроводника, то взаимодействие между электронами отсутствует, они заполняют все состояния под поверхностью Ферми и тогда энергию основного состояния запишем
. (5.14)
Суммирование ведется по парам состояний (k, -k), поэтому и появился коэффициент 2.
Энергию основного состояния сверхпроводника будем естественно отсчитывать от энергии основного состояния нормального металла, т.е. найдем величину
(5.15)
Используя выражения (5.9) и (5.14), а также выражение (5.13) получим
(5.16)
Переходя от суммирования в правой части уравнения (5.16) к интегрированию и учитывая, что имеем окончательно
, (5.17)
где N (0) - плотность состояний около уровня Ферми.
Видим, что разность W между энергиями сверхпроводящего и нормального состояний при Т=0 оказывается отрицательной, т.е. сверхпроводящее состояние более выгодно, а значит именно такое состояние в этих условиях и будет реализовано.
5.3. Энергетическая щель
Для наших рассуждений выберем пару состояний (р, - р) в пространстве импульсов в основном состоянии сверхпроводника. Какой вклад в полную энергию вносит эта пара? Обозначим его через . Из уравнения (5.11) видно, что
. (5.18)
Первое слагаемое - кинетическая энергия пары (р, - р), второе слагаемое - вклад в отрицательную часть энергии основного состояния, происходящий от того, что эта пара участвует во всевозможных процессах взаимодействия: она может перейти в любое другое состояние (k, -k) и наоборот, когда любые другие пары (k, -k) переходят в нами выбранное состояние (р, - р). Коэффициент 2 во втором слагаемом появился потому, что пара (р, - р) в сумме (5.9) встретится дважды - один раз при суммировании по k, а другой - при суммировании по k. Учитывая выражения (5.11 ), (5.12) и (5.13) получим
окончательно
р = р - Ер . (5.19)
Рассмотрим это выражение. Положим, что в основном состоянии сверхпроводника пара состояний (р, - р) пуста. Введем один электрон в состояние Р, поэтому пара состояний (р, - р) не может участвовать в процессах рассеяния, т.е. не может давать вклад в энергию основного состояния сверхпроводника (он равен ). Следовательно, энергия сверхпроводника с одним "лишним" электроном в состоянии Р будет
. (5.20)
Этот лишний электрон назовем элементарным возбуждением. В выражении (5.20) W - энергия основного состояния сверхпроводника, а - учитывает кинетическую энергию этого "лишнего" электрона. Подставим (5.19) в (5.20) получим
. (5.21)
Поскольку помним, что
.
то добавив один "лишний" электрон к сверхпроводнику в основном состоянии, мы повышаем его энергию минимум на , т.к. р =0 (состояние р находится на поверхности Ферми). Это значит, спектр элементарных возбуждений сверхпроводника отделен от энергетического уровня, соответствующего основному состоянию сверхпроводника, энергетической щелью. Это можно пояснить рис. 5.5. Все пары сосредоточены по энергии только в одном состоянии - основном. Одиночный электрон на этом уровне оказаться не может и должен занять первый незаполненный уровень спектра элементарных возбуждений. При разрыве пары оба электрона должны занять места в спектре одночастичных возбуждений и поэтому должна быть затрачена энергия как минимум 2 .
Вспомним, что одночастичные возбуждения подчиняются статистике Ферми-Дирака и вероятность заполнения k – состояния одиночным электроном равна
,
ЕК - энергия элементарного возбуждения. При кТ<<ЕК, fФ<< 1, при кТ >>ЕК . Пары Купера описываются статистикой Бозе - Эйнштейна
,
при kТ<< ; <<1, при kТ >> , .
Запишем еще один важный результат
,
где ТК- критическая температура сверхпроводника.
Из нее следует, что при Т> ТК пары будут разрушаться, т.к. их энергия будет больше энергии щели 2 0.
Рассмотрим другой важный параметр сверхпроводника - длину когерентности. Ранее мы говорили о волновой функции основного состояния сверхпроводника. Основное состояние может быть изображено распределением спаренных электронов в k - пространстве и дается функцией . График (к) был представлен на рис.5.4. Область k-пространства, где функция испытывает сильные изменения, имеет порядок
. (5.22)
Отсюда следует, что область в k-пространстве, где волновая функция основного состояния сверхпроводника будет существенно изменяться, должна определяться соотношением
.
Откуда
, (5.23)
где pF- импульс электрона на поверхности Ферми, - фермиевская скорость электрона, а - величина, которую принято называть длиной когерентности .
Значит из (5.23) можно определить длину когерентности при Т= 0
.
Точный расчет дает
при имеем