
- •Н.А. Андреева
- •Введение
- •Сведения о материальных средах
- •1. Системы микрочастиц
- •1.1 Случай классических частиц
- •1.2. Вырожденные коллективы частиц
- •1.2.1. Фермионы
- •1.2.2 Бозоны
- •2. Кристаллические твердые тела
- •2.1 Трехмерные кристаллические системы
- •Индексы Миллера и кристаллографические направления
- •2. 2 Классификация дефектов
- •2.2.2 Дислокации и их движение
- •Плотность дислокаций
- •Взаимодействие дефектов
- •Физические свойства твердых тел
- •3. Тепловые свойства.
- •3.1. Теплоемкость твердого тела
- •3.1.1. Область низких температур
- •Теплоемкость электронного газа
- •3.2. Тепловое расширение твердых тел
- •3.3. Теплопроводность
- •4. Электрические свойства
- •4.1. Дрейф электронов
- •4.2. Время релаксации
- •4.3. Закон Видемана - Франца
- •4.4. Температурная зависимость подвижности носителей
- •4.5. Электропроводность чистых металлов
- •I II III Рис. 4. 4 Температурная зависимость удельного сопротивления металла ост
- •5. Электрон - электронное взаимодействие.
- •5.1. Взаимодействие электронов
- •5.1.1. Какие электроны участвуют во взаимодействии?
- •5.2. Основное состояние сверхпроводника
- •5.2.1. Энергия основного состояния
- •5.3. Энергетическая щель
- •6. Механические свойства.
- •6.1. Деформация растяжения
- •6.1.1. Расчет технической прочности при хрупком разрушении
- •6.2. Пути повышения прочности
- •7. Магнитные свойства твердых тел
- •7.1. Магнетизм веществ
- •7.1.1. Ферромагнетизм
- •7.1.2 Магнитные материалы
- •7.2. Парамагнетизм
- •7.2.1. Теория Ланжевена
- •7.3. Диамагнетизм
- •Получение низких и сверхнизких температур. Низкотемпературные жидкости.
- •8. Физические основы охлаждения.
- •8.1. Изоэнтропное расширение
- •8.2. Дросселирование сжатого газа
- •8.3. Расширение из постоянного объема
- •8.4. Десорбционное охлаждение
- •8.5. Откачка паров кипящей жидкости
- •9. Получение низких температур
- •Конструкция поршневого детандера
- •10. Получение сверхнизких температур
- •10.1 Метод адиабатического размагничивания
- •Криостат
- •10.2. Метод растворения 3Не в 4Не
- •1 0. 3. Метод Померанчука.
- •Энтропия
- •Криостат
- •11. Низкотемпературные жидкости.
- •11.1 Свойства криогенных жидкостей
- •1 1.2. Сверхтекучесть 4Не
- •11.3. Квантовые жидкости
- •11.4. Температурные волны
- •11.5. Квантовая жидкость 3Не
- •Библиографический список
- •Оглавление
4.1. Дрейф электронов
Приложим к проводнику внешнее поле и в нем, естественно, возникнет ток
,
(4.1)
где
коэффициент пропорциональности
- удельная проводимость [
]=ом.м
(Сименс).У металлов
=107
См. То же уравнение можно записать через
удельное сопротивление
.
Все это свидетельствует о том, что в этих условиях существует направленное движение электронов и естественно происходит изменение в функции распределения по энергии или скорости (см. рис.4.1). Такое направленное движение электронов называют дрейфом, а средняя скорость их движения - скоростью дрейфа Vд . Вычислим ее.
Сила, действующая на электрон со стороны поля равна
.
(4.2)
Если бы не было сопротивления движению электронов, то последние под действием Fд двигались бы ускоренно (F = ma). Поэтому формально можно ввести силу сопротивления Fс
, (4.3)
me- эффективная масса электрона, VД – скорость дрейфа электрона.
Это уравнение можно переписать как уравнение направленного движения электрона по 2-му закону Ньютона
,
общий баланс сил запишем F = FД – Fc, подставляя соответствующее значение FД и Fc из уравнений (4.2) и (4.3) получим
.
(4.4)
Из уравнения (4.4) видно, что электроны будут ускоряться ,т.к. действует внешняя сила F, но до тех пор, пока FД > Fс, когда же FД = Fc, то результирующая сила исчезнет и движение электронов будет продолжаться по инерции с некоторой затухающей скоростью.
Из уравнения (4.4) при F = 0 имеем
,
откуда
.
(4.5)
В связи с тем, что заряд отрицателен, то движение электронов будет происходить навстречу вектору напряженности электрического поля.
Отношение скорости дрейфа к напряженности поля называют подвижностью (носителей). В случае классических частиц
(4.6)
для квантовых частиц
,
(4.6 а)
где
-
время релаксации электронов на поверхности
Ферми,
Вообще проводимость можно записать
,
где
.
Подставляя сюда значения для U из (4.6) и из (4.11) запишем проводимость в классической теории
,
(4.7)
по аналогии с ней для квантовых частиц используя (4.6) и (4.11) запишем
,
(4.7 а)
для электронов Ue<О, для дырок Up>О.
Таким образом, еще раз отметим, что причиной появления электрического сопротивления является реальная кристаллическая решетка и тепловые возбуждения.
4.2. Время релаксации
Для этого положим, что при некотором условии Fс = FД, когда UД - сonst выключим внешнее поле тогда движущая сила FД = 0. На движущиеся по инерции электроны будет действовать только сила сопротивления Fс и, следовательно, газ электронов будет переходить из ранее возбужденного в равновесное состояние. Такие процессы перехода в равновесное состояние в системе, ранее выведенной из нее, называются релаксацией.
Уравнение, описывающее этот процесс, можно записать из уравнения (4.4):
.
(4.8)
Интегрируя (4.8) найдем
.
(4.9)
Параметр характеризует время установления в системе равновесного состояния: чем меньше , тем быстрее система переходит в равновесное состояние и за время t= скорость дрейфа уменьшится в e раз. Время называется временем релаксации. Для чистых металлов =10-14 с.
При описании движения электрона в рамках кинетической теории газов, нам потребуется ввести длину свободного пробега электрона
.
(4.10)
Это
выражение справедливо, в случае если
скорость движения гасилась бы за один
акт рассеяния. В реальных условиях это
происходит не так. Требуется некоторое
число столкновений
и естественно средний путь, который
пройдет электрон за время
,
будет уже не
,
а некоторая суммарная величина
,
(4.10 а)
где ср - некоторая средняя за время движения скорость.
Величину L называют транспортной длиной свободного пробега. Из уравнения (4.10, а) найдем
.
(4.11)
Под действием электрического поля возникает дрейф, приводящий к появлению электрического тока, что говорит о перераспределении электронов проводимости по состояниям, как это показано на (рис.4.1) кривые, представленные штриховыми линиями, сдвинуты против направления вектора напряженности поля.
Плотность
электрического тока j
пропорциональна градиенту потенциала,
что следует из (4.1) при
.
(4.12)
В
отсутствии электрического поля также
возможно движение электронов за счет
температурного поля. Плотность теплового
тока jT
пропорциональна градиенту температуры
,
где коэффициент пропорциональности К,
есть коэффициент теплопроводности,
т.е.
.
(4.13)
Поток тепла, переносимый электронами, также направлен навстречу градиенту, но уже температуры.
Отметим, что классическая и квантовая теории приводят к различным результатам. Так, в обоих теориях электроны участвуют в тепловом движении и взаимодействуют с остовами ионов, которые в свою очередь совершают тепловые колебания около положений равновесия. Чем выше температура, тем больше амплитуда этих колебаний. В соответствии с квантовой теорией колебания существуют и при Т=0. При отсутствии внешнего электрического поля электроны между взаимодействиями движутся равномерно, при наличии же электрического поля, т.е. с появлением силы возникает ускорение, а следовательно, и кинетическая энергия. Таково происхождение одной из причин возникновения активного сопротивления и, следовательно, джоулева тепла, которое выделяется при протекании тока. Однако здесь существуют и различия в теориях. В классической - сопротивление обусловлено взаимодействием решетки с электронами, а в квантовой теории, решетка не создает препятствий движению, т.е. она прозрачна для электронов, а сопротивление обусловлено тепловыми колебаниями решетки, т.е. фононами, которые взаимодействуют с электронами. Средняя длина свободного пробега ( ) электрона уменьшается с ростом температуры.
Классическая и квантовая теория приводят к следующим результатам. В классической теории имеем
;
(4.14)
. (4.15)
В случае квантовой же теории запишем
;
(4.16)
,
(4.17)
где h и k- универсальные постоянные.