Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ЛЕКЦИИ ПАБТ бакалавры часть 2 2013 (1).doc
Скачиваний:
4
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
2.4 Mб
Скачать

Кинетика процесса

Образования центров кристаллов

Рост кристаллов

Кристаллизация идет с достаточной скоростью лишь в пересыщенных растворах. В подобных растворах на начальном этапе образуются «зародыши» кристаллов.

Начало и скорость образования кристаллов зависит:

  • от степени пересыщения;

  • при проды растворенного вещества и растворителя;

  • наличие нерастворимой твердой фазы;

  • наличие электрического поля.

Причина появления «зародышей» – флуктуация концентраций, в результате которой образуются «дозародыши» кристаллов, представляющие собой скопления молекул или ионов растворенного вещества. При достижении некоторого критического размера «дозародышей» образуются зародыши кристаллов. Начиная с некоторого критического размера rкр = 0,5-5нм, начинается быстрый рост зародышей и образование большого числа полидисперсных кристаллов. Чем меньше критический размер кристалла, тем больше должна бють степень пересыщения раствора.

Эта закономерность выражается следующим выражением

где с – действительная концентрация

с* – равновесная концентрация;

σ – поверхностное натяжение, Н/м;

М – молекулярная масса кристаллов;

ρт – плотность кристаллов.

Величина – называется степенью пересыщения.

На стадии роста кристаллов происходит образование крупных кристаллов за счет массообмена с жидкой фазой.

Скорость обоих стадий можно повысить:

  • увеличивая степень пересыщения;

  • увеличивая температуры;

  • используя интенсивное перемешивание;

  • добавляя нерастворимые твердые частицы.

Рост самого кристалла протекает в две стадии:

  1. Диффузионная – подвод растворенного вещества к поверхности зародыша;

Скорость этой стадии определиться по уравнению:

где G – масса кристаллической фазы, кг;

βс – коэффициент массоотдачи в жидкой фазе;

с – концентрация вещества в объеме раствора, кг/м3;

сп – концентрация вещества у поверхности кристалла, кг/м3.

  1. Роста кристалла

Скорость этой стадии определиться:

βт – коэффициент массоотдачи в твердой фазе;

с* – концентрация насыщения.

Если скорость одной из стадий будет велика, следовательно вторая стадия будет лимитировать процесс.

В случае соизмеримых скоростей процессов в сплошной и дисперсной фазах общая скорость процесса определиться по уравнению массопередачи:

где – коэффициент массопередачи при кристаллизации.

Конструкции аппаратов

Аппараты в которых осуществляют процесс кристаллизации называются кристаллизаторы.

По условию образования и роста кристаллов кристаллизаторы классифицируются:

1. Поверхностные, в которых образование кристаллов происходит на охлаждаемой поверхности;

2. Объемные, в которых образование и рост кристаллов происходят во всем объеме аппарата;

3. Смешанного типа, в которых образование и рост кристаллов происходят на охлаждаемой поверхности и в объеме аппарата (прямоточные, емкостные, циркуляционные).

По типу создания условий пересыщения кристаллизаторы можно подразделить на три группы:

  1. Изогидрические;

  2. Вакуумные;

  3. Испарительные.