- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Виключення тиристора
Перевести тиристор із відкритого стану в закритий можливо також декількома способами:
1. Виключення тиристора шляхом зняття напруги аноду (розривом зовнішнього кола)
Коли тиристор знаходиться в ввімкненому стані, в базах знаходиться великий збитковий заряд, який підтримується зовнішнім струмом. При розриві зовнішнього кола струм джерела живлення не буде підтримувати збитковий заряд і тиристор повинен перейти в закритий стан, але це можливо тільки тоді, коли збитковий заряд зникне із бази тиристора. А тому що зовнішнього кола немає, то бази можуть перейти в рівноважний стан тільки за рахунок рекомбінації збиткового заряду, а на це потрібний час. І якщо бази не перейшли в рівноважний стан, то при повторному включенні зовнішньої напруги опір колекторного переходу буде рівний нулю і тиристор залишиться в ввімкненому стані.
Час переходу баз від наявності збиткового заряду до рівноважного стану може бути значним, особливо в потужних тиристорах. Тому в практичних цілях такий спосіб виключення тиристора не застосовується.
2. Виключення тиристора шляхом зміни полярності анодної напруги
Для прискорення переключення тиристора необхідно прискорити процес рекомбінації і розсмоктування не рівноважних носіїв заряду в базі. Для цього треба зменшити потенційний бар’єр колекторного переходу, але при включеному тиристорі колекторний перехід знаходиться включеним в прямому напрямі і має малий опір. А тому при зміні полярності напруги в початковому стані ця напруга розподіляється між трьома переходами і на колекторний перехід на початку процесу припадає невелика частка зворотно підключеної напруги, і для того, щоб збільшити падіння напруги на колекторному переході, необхідно емітерні переходи привести до пробою. Крім того переключенню тиристора заважають ємнісні напруги переходів, і для виключення тиристора при такому способі треба значно збільшувати зворотну напругу, що може привести до виходу тиристора з робочого стану.
3. Виключення тиристора подачею на керуючий електрод напруги або струму
Для того, щоб переключити тиристор в рівноважний стан, необхідно відвести не рівноважний заряд із бази в якої є керуючий перехід, тому що анодний струм, який проходить через тиристор, підтримує тиристор в відкритому стані. Для того, щоб не рівноважний заряд якомога швидше вийшов із бази, подають напругу протилежної полярності до керуючої, це прискорює перехід тиристора із відкритого стану в закритий. Це легко відбувається в малопотужних тиристорів, в яких площа бази невелика; а у тиристорів потужних, де площа бази значна, не рівноважний заряд на ділянках бази, які віддалені від керуючого електроду, не можуть швидко стати еквіпотенціальними, і для цих тиристорів необхідно подавати потужний струм для переключення, що може привести до прогорання деяких ділянок бази.
Симетричні тиристори (симістори).
Симістор – це прилад, який має 4 p-n-переходи, і якщо переходи виконані з великою точністю, то вольт-амперні характеристики симістора будуть відповідати характеристикам двох різних тиристорів, ввімкнених паралельно так, щоб один був зашунтований іншим.
Рисунок 66 Структура симетричного тиристора
Рисунок 67 Вольт-амперна характеристика симетричного тиристора
У симістора два переходи (І і ІV) зашунтовані протилежними напівпровідниками. Якщо “+” прикладений до катоду першого переходу, а “–” до четвертого, то перший p-n-перехід буде ввімкнений в зворотному напрямі його опір буде зашунтований напівпровідником з провідністю р, який буде виконувати функцію емітера для тиристора типу p-n-p-n. Другий перехід буде ввімкнений в прямому напрямі, і дірки із р- напівпровідника будуть нагнітатися в n- базу, створюючи збитковий заряд. При деякій напрузі, як і в звичайному тиристорі, відбудеться переключення симістора із закритого стану в відкритий.
При зміні полярності напруги четвертий перехід буде ввімкнений в зворотному напрямі, і буде зашунтований напівпровідником р2 , який виконує функцію емітера другого тиристора. Відповідно струм буде проходити в протилежному напрямі і буде працювати тиристор n-p-n-р.
Якщо напівпровідники і переходи абсолютно ідентичні, то переключення симістора буде відбуватися при двох однакових напругах, але протилежних по знаку. Симістор можна виготовити керованим, для цього необхідно виводити для керування електроди від баз.