Частотні властивості варикапів
Варикап, як елемент схеми, має такі параметри:
ємність варикапа – величина ємності, яка заміряна між виводами варикапу при заданій напрузі.
добротність варикапу Qв – це відношення реактивного опору варикапа на заданій частоті до опору втрат.
коефіцієнт перекриття по ємності – це коефіцієнт, який визначається для двох ємностей при різній напрузі живлення.
Розглядаючи еквівалентну схему варикапа можна знайти дві добротності при роботі на низький і на високій частоті.
При роботі на низьких частотах можна не враховувати малий опір бази і добротність варикапа буде залежати тільки від співвідношень опору переходу і його бар’єрної ємності.
Добротність – це величина зворотна тангенсу кута втрат.
; 
При роботі на високих частотах ємність p-n-переходу зменшується, а тому опором p-n-переходу можна знехтувати, тому що він паралельно ввімкнений з малим опором ємності і в еквівалентній схемі будуть послідовно включені бар’єрна ємність Сбар і опір бази rбази, тоді добротність буде:
; 
Позначення діодів
Відповідно до державних стандартів для позначення діодів застосовується 6 позицій:
1) буква або цифра, які характеризують матеріал з якого виготовлений діод:
Г – 1 – германій
К – 2 – кремній
А – 3 - арсенід галію
2) буква, яка визначає клас діодів:
Д – універсальні
В – варикапи
С – стабілітрони
И – тунельні діоди
А – діоди НВЧ
3) три позиції – цифри, які визначають призначення діодів:
101 – 399 – випрямні або перетворюючі діоди низької частоти
401 – 499 – універсальні діоди
501 – 599 – імпульсні діоди
*У стабілітронів перша цифра показує потужність в ватах, дві останні – напругу стабілізації.
4) буква, яка характеризує параметри діоду в його класі.
Транзистори
Транзистор - напівпровідниковий прилад, який застосовується для підсилення потужності малопотужних електричних сигналів і генерації електричних коливань.
В залежності від принципу роботи і фізичних процесів, які відбуваються в транзисторі, вони діляться на дві групи:
біполярні транзистори (БПТ), які в залежності від чергування напівпровідників, діляться на дві підгрупи
p-n-p – транзистори
n-p-n – транзистори
основним для цих транзисторів являється створення струму двома видами носіїв заряду – електронів і дірок.
польові (уніполярні) транзистори. Носіями для створення струму є електрони або дірки. Ці транзистори теж діляться на дві підгрупи:
польові транзистори з керуючим p-n-переходом
польові транзистори ізольованим затвором
а) польові транзистори з ізольованим затвором і індукованим каналом
б) польові транзистори з ізольованим затвором і вбудованим каналом.
Як елементи схеми всі транзистори поділяються на групи в залежності від робочої частоти:
низькочастотні
високочастотні
надвисокочастотні (НВЧ)
по потужності:
малої потужності
середньої потужності
великої потужності
Біполярні транзистори
Біполярним транзистором називають напівпровідниковий прилад, який має два або більше випрямляючих переходи і три або більше не випрямляючих переходів – виводів.
Рисунок 19 Структура біполярного транзистора
w – Активна ширина бази
У біполярних транзисторів один перехід може керувати іншим. Для створення двох p-n-переходів, які часто використовуються у транзисторах, застосовуються напівпровідники з різною концентрацією домішок. Найбільш легований домішками шар напівпровідника, називається емітером і відповідно він має найменший об’ємний питомий опір. Середній шар напівпровідника, який найменш легований і має відповідно найбільший питомий опір, називається базою. Перехід, створений напівпровідниками між базою і емітером називається емітерним переходом, і при нормальному вмиканні транзистора цей перехід вмикається в прямому напрямі. Третій шар напівпровідника, який має таку ж провідність, що і емітер, але приблизно на порядок менше має степінь легування домішками, називається колектором, а перехід колекторним, і при нормальному вмиканні транзистора вмикається в зворотному напрямі.
В залежності від того, яку провідність має база, транзистори діляться на дві групи .
Рисунок 20 Типи біполярних транзисторів
Область бази, яка знаходиться між двома p-n-переходами, називається активною. У нормально виготовлених транзисторів активна ширина області бази повинна бути набагато менше дифузійної довжини носіїв заряду. Основні процеси в транзисторі визначаються процесами, які відбуваються в базі. При рівномірному легуванні напівпровідника бази домішками, в ній відсутнє електричне поле, а відповідно рух носіїв заряду відбувається тільки за рахунок дифузії, і транзистори називають без дрейфовими або дифузійними.
При нерівномірному легуванні бази домішками, в базі присутнє електричне поле, яке створюється наявністю градієнта концентрації носіїв заряду, це поле сприяє руху носіїв заряду і транзистори називаються дрейфовими.