- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Принцип роботи
При відсутності напруги на електродах ширина каналу залишається постійною по всій довжині. При підключенні напруги між витоком і стоком при каналі n- типу: “–”джерела на витік, “+” на стік, по каналу будуть рухатись основні носії заряду і при збільшенні напруги струм буде збільшуватися, але залежність струму від напруги буде нелінійна. Це пов’язано з двома факторами:
1. При збільшенні напруги збільшується напруженість в каналі і зменшується рухливість носіїв.
2. По довжині каналу змінюється опір, а відповідно збільшується падіння напруги вздовж каналу. Це падіння збільшує ширину переходу і зменшує активну ширину каналу, і при деякій напрузі канал буде перекритий розширеними p-n-переходами біля стоку. В ідеальному випадку збільшення напруги між витоком і стоком не приведе до збільшення струму через канал.
Напруга, при якій відбудеться перекриття каналу, називається напругою насичення, а струм, який відповідає цій напрузі, називають струмом насичення (початковим струмом робочої ділянки). Робочою ділянкою вольт-амперної характеристики являється полога ділянка вольт-амперної характеристики.
При підключенні напруги між витоком і затвором так, щоб p-n-переходи були ввімкнені в зворотному напрямі, початкова ширина каналу зменшиться, зросте опір каналу. Напруги між витоком і стоком, затвором і витоком будуть діяти на ширину каналу узгоджено. Перекриття каналу відбудеться при менший напрузі між витоком і стоком. Цей режим називають режимом збіднення. Якщо напругу між витоком і затвором прикласти таку, щоб p-n-переходи були ввімкнені в прямому напрямі, початкова ширина каналу збільшиться, такий режим називають збагаченим. Отже польовий транзистор з керуючим p-n-переходом відрізняється тим від біполярного транзистора, що керування струмом відбувається поперечним електричним полем, і вхідний струм визначається струмом зворотно ввімкненого p-n-переходу, тому польові транзистори мають дуже великий вхідний опір (106–109 Ом). А в біполярному транзисторі керування відбувається струмом, а не напругою.
В зв’язку з тим, що керування струмом відбувається поперечним полем створеним вхідною напругою, польовий транзистор як еквівалентний чотириполюсник краще описати, коли незалежними є джерела напруги, а струми залежними.
Вольт-амперні характеристики польового транзистора
Як чотириполюсник польовий транзистор можна описати наступною системою рівнянь
Рисунок 50 Вольт-амперні характеристики польового транзистора
В зв’язку з тим, що вхідний струм практично рівний нулю, то вхідні вольт-амперні характеристики практичного значення не мають, а найбільше значення мають вихідні вольт-амперні характеристики. Це залежність струму стоку від напруги стік-витік при постійній напрузі на затворі. При Uзатв=0 вольт-амперні характеристики починається з початку координат і крута частина вольт-амперних характеристик до напруги насичення Uнас має сублінійний характер, а при досягненні струму насичення вольт-амперні характеристики переходить в пологу ділянку, і нахил вольт-амперних характеристик визначається опором каналу. При збільшенні напруги витік-стік ширина каналу в районі стоку практично залишається постійною, а збільшується довжина перекритої ділянки каналу. Вольт-амперна характеристика при Uзатв=0 є межею між збідненим і збагаченим режимом роботи. На практиці основним для даного типу транзисторів є збіднений режим. При зміні напруги між витоком і стоком та зміні напруги між витоком і затвором можна зняти сімейство вольт-амперних характеристик польового транзистора. При цьому для перекриття каналу завжди виконується умова
,
і при UЗВ = Uнас струм через канал буде відсутній.