- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
При відсутності напруги між витоком і затвором під діелектриком відсутній канал між стоком і витоком. При підключенні напруги витік-стік струм буде визначатися струмами двох p-n-переходів, які створені між областями слабо
Рисунок 52 Спрощена модель польового транзистора з ізольованим затвором
легованої підкладки і областями сильно легованих областей стоку і витоку. При підключенні напруги, полярність якої при підключенні співпадає з напругою витік-стік, під затвором на поверхні підкладки буде створюватися збіднена зона напівпровідника, тому що основні носії за рахунок дії напруженості електричного поля будуть відходити в глибину напівпровідника. При збільшенні напруги на затворі UЗ під затвором виникне інверсна зона, провідність якої буде такою, як і провідність областей стоку і витоку. Напруга, при якій починає створюватися інверсна зона (канал), називається пороговою напругою. При наявності напруги витік-стік через канал будуть рухатися носії заряду, створюючи струм в каналі і в зовнішньому колі. Збільшення напруги приводить до зростання ширини каналу і росту струму. Таким чином такий транзистор працює в режимі збагачення. Величина напруги між каналом і затвором обмежена стійкістю діелектрика і може досягати десятків вольт.
Основними вольт-амперними характеристиками польового транзистора з наведеним каналом є:
Вихідні вольт-амперні характеристики та характеристика передачі струму.
Вихідні вольт-амперні характеристики
Вихідні вольт-амперні характеристики – це залежність струму стоку ІС від напруги стік - витік UСВ при постійній напрузі на ізольованому затворі Uз.
Вольт-амперні характеристики діляться на 2 області:
Область, де вольт-амперні характеристики мають сублінійний характер, або
Рисунок 52 Вихідні вольт-амперні характеристики польового транзистора
крута область. Сублінійність вольт-амперних характеристик залежить, як і у польових транзисторів з керуючим p-n-переходом, від опору каналу, тому що при збільшенні струму ширина каналу в області стоку зменшиться, і при напрузі насичення канал перекривається.
Лінійна область, робоча область. Після досягнення струму насичення і перекриття каналу струм практично не зміниться, тому що величини вхідного і вихідного опорів у транзистора як чотириполюсника на 3-5 порядків більше, ніж у польового транзистора з керуючим p-n-переходом, і досягає 1015-1016 Ом.
У польового транзистора підкладка може бути технологічно об’єднана із витоком, або мати окремий вивід. В цьому випадку можна величиною струму керувати, подаючи напругу на підкладку, це використовують в логічних елементах.
При збільшенні напруги у польового транзистора з ізольованим затвором може наступити пробій діелектрика між затвором і каналом, тоді буде відбуватися шнурування струму, що в подальшому приведе до виходу транзистору із робочого стану. При збільшенні напруги стік-витік відбудеться лавинний пробій, при чому напруга стік-витік пробою буде зростати при збільшенні напруги на затворі Uзатв. , тому що ці напруги по відношенню до витоку мають однакову полярність. Якщо струм обмежений у зовнішньому колі, то лавинний пробій теж носить зворотний характер.