- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
Для кожної схеми вмикання транзистора основними є дві вольт-амперні характеристики: вхідна і вихідна. Дві інші характеристики – характеристика передачі струму і характеристика зворотного зв’язку – застосовуються рідко і їх можна побудувати, маючи перші дві.
Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
Вхідною вольт-амперною характеристикою транзистора називають залежність струму емітера від напруги емітер-база при постійній напрузі на колекторі.
При відсутності зовнішньої напруги між базою та колектором (UКБ=0, коротке замикання) і при зміні напруги на вході емітер-база вольт-амперна характеристика повністю відповідає характеристиці прямого включення діоду, тому що при відсутності напруги на колекторі в базі не відбувається рекомбінація носіїв заряду і не створюється інший струм.
Рисунок 25 Вхідні вольт-амперні характеристики для схеми ввімкнення транзистора з спільною базою
При збільшенні напруги між базою і колектором ( UКБ0 ) в даній системі координат вольт-амперні характеристики будуть зміщуватися вниз до осі струмів за рахунок двох явищ, які відбуваються в базі:
збільшується ширина колекторного p-n-переходу, зменшується активна ширина бази і зменшується число рекомбінованих пар носіїв заряду
це призводить до збільшення градієнту концентрації носіїв заряду в базі, що приведе до збільшення інжекції носіїв із емітера в базу.
При UЕ=0 через перехід також буде проходити деякий струм, обумовлений дією колекторного переходу, і для того, щоб ІЕ був рівний нулю, емітерний перехід треба ввімкнути в зворотному напрямі.
Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
Вихідною вольт-амперною характеристикою називають залежність струму колектора від напруги колектор-база при постійному струмі емітера.
При ІЕ=0 (розімкнуте коло емітер-база) вольт-амперна характеристика транзистора повторює характеристику зворотно ввімкненого p-n-переходу і при не великій напрузі струм колектора ІК досягає насичення і стає рівним зворотному струму переходу ІКБо.
Рисунок 26 Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
При підключенні напруги між базою та емітером і при зростанні струму емітера ІЕ буде збільшуватися струм колектора ІК відповідно до рівняння
ІК= ІКБо+α ІЕ
В активній області характеристики транзистора, ввімкненого по схемі з спільною базою, будуть лінійними, розташовані на одній відстані одна від одної при однаковому прирощенні струму емітера. Це пов’язано з тим, що коефіцієнт передачі по струму α мало залежить від температури. При UK=0 через колекторний перехід буде проходити струм, обумовлений градієнтом концентрації носіїв в базі, викликаний струмом емітера. Для того, щоб струм колектора ІК був рівний нулю, його треба ввімкнути в прямому напрямі, тобто транзистор перевести в режим насичення. Напруга на колекторі UK, при якій струм колектора рівний нулю ІК=0, визначає залишкову напругу транзистора при роботі в ключовому режимі.