- •Напівпровідникові прилади Загальна характеристика напівпровідників
- •Типи переходів
- •Властивості несиметричного p-n-переходу
- •Пряме вмикання p – n – переходу
- •Зворотне вмикання p – n – переходу
- •Перехід метал – напівпровідник (перехід Шоткі).
- •Властивості реальних p–n–переходів
- •Пробій p-n-переходів
- •По перетворювальній потужності
- •Основні характеристики і параметри діодів
- •Випрямні площинні діоди
- •Германієві діоди
- •Кремнієві діоди
- •Високочастотні діоди
- •Імпульсні діоди
- •4)Температурний коефіцієнт
- •Тунельні діоди
- •Частотні властивості тунельних діодів.
- •Температурна залежність параметрів тунельного діода
- •Частотні властивості варикапів
- •Позначення діодів
- •Транзистори
- •Біполярні транзистори
- •Принципи роботи та фізичні процеси в транзисторі
- •Схеми вмикання транзисторів
- •Характеристики транзистора ввімкненого зі спільною базою
- •Вхідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми з спільною базою
- •Характеристики передачі струму схеми зі спільною базою
- •Характеристики зворотного зв’язку у схемі зі спільною базою
- •Характеристики транзистора ввімкненого по схемі з спільним емітером Вхідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Вихідні вольт-амперні характеристики схеми зі спільним емітером
- •Характеристика передачі струму
- •Характеристики транзистора по схемі зі спільним колектором
- •Транзистор як еквівалентний чотириполюсник
- •Система z – параметрів
- •Фізичне значення z – параметрів:
- •Система y – параметрів
- •Система h – параметрів
- •Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
- •Фізична модель транзистора Вольт-амперні характеристики ідеалізованого транзистора
- •Активний режим
- •Режим насичення
- •Режим глибокої відсічки
- •Інерційні і частотні властивості транзистора
- •Інерційні властивості транзистора
- •Частотні властивості транзистора
- •Вплив ємності емітера
- •2. Вплив часу прольоту носіїв через базу
- •3. Вплив сталої часу колектора
- •4. Вплив сталої часу прольоту через від’ємний заряд
- •Частотні властивості реального транзистора
- •Складовий транзистор
- •Пробої транзисторів. Шуми транзисторів.
- •Лавинний пробій
- •Вторинний пробій
- •Шуми напівпровідникових приладів
- •Позначення напівпровідникових транзисторів
- •Структура і принцип роботи польового транзистора з керуючим p-n- переходом
- •Принцип роботи
- •Вольт-амперні характеристики польового транзистора
- •Теоретичний розрахунок вольт-амперних характеристик транзистора з керуючим p-n-переходом
- •Частотні властивості транзистора
- •Польові транзистори з ізольованим затвором
- •Польові транзистори з наведеним каналом
- •Принцип роботи і вольт-амперні характеристики
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Характеристики передачі струму
- •Польові транзистори з власним каналом
- •Вихідні вольт-амперні характеристики
- •Розрахунок вольт-амперних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором
- •Прилади з зарядовим зв’язком
- •Регістр зсуву
- •Принцип дії приладу
- •Тиристори
- •Принцип роботи та вольт-амперні характеристики тиристора
- •Керовані тиристори
- •Методи переключення тиристора
- •Включення тиристора
- •Виключення тиристора
- •Симетричні тиристори (симістори).
- •Позначення тиристорів та їх параметри
- •Тиристор, як і діод, має декілька позначень
- •Потужні польові транзистори
- •Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •Випромінюючі напівпроводникові прилади
- •Принцип дії та характеристики світло діодів
- •Основні характеристики і параметри лазерів
- •Фотоприймачі
- •Фото діод Фото резистор
- •Фото резистори
- •Основні характеристики і параметри фото резисторів Основними характеристиками фото резисторів є:
- •Фото діоди
- •Оптрони
Фізичне значення z – параметрів:
Щоб визначити фізичні значення параметрів, розглянемо два умовні досліди відносно входу і виходу чотириполюсника
Холостий хід зі сторони виходу ∆І2=0 отримаємо систему рівнянь.
З цієї системи визначимо перші два параметри чотириполюсника
– вхідний опір чотириполюсника при ХХ зі сторони виходу.
– опір прямого зв’язку між входом і виходом.
Холостий хід зі сторони входу ∆І1=0 отримаємо систему рівнянь.
– зворотний перехідний опір при ХХ зі сторони входу.
– вихідний опір чотириполюсника при ХХ зі сторони входу.
Система y – параметрів
Для цього скористаємося системою рівнянь в якій за незалежні прийнято напруги на вході і виході, а за залежні вхідний та вихідний струми. Розмірність цих параметрів буде провідність [Cм]. По системі рівнянь запишемо похідні для функції двох змінних отримаємо:
Позначимо часткові похідні коефіцієнтами у і запишемо систему рівнянь, які відповідають першому закону Кірхгофа і по них можна скласти еквівалентну схему. Щоб визначити фізичні значення параметрів, розглянемо два умовні досліди короткого замикання відносно входу і виходу чотириполюсника
де
– вхідна провідність чотириполюсника при короткому замиканні зі сторони виходу.
– зворотна перехідна провідність при КЗ зі сторони входу.
– пряма перехідна провідність при КЗ зі сторони виходу.
– вихідна провідність при КЗ зі сторони виходу.
Рисунок 33 Еквівалентна схема транзистора як чотириполюсника
По системі рівнянь можна скласти еквівалентну схему для транзистора як чотириполюсника рис.33:
Система h – параметрів
Найбільш вживаною при визначенні параметрів транзистора як чотириполюсника є система яка називається гібридною. Після відповідних перетворень по цій системі можна визначити параметри і скласти еквівалентну схему. Для цього скористаємося наступною системою рівнянь:
Позначимо похідні відповідними коефіцієнтами і отримаємо систему рівнянь
Для визначення фізичних значень параметрів необхідно зробити два досліди
Коротке замикання зі сторони виходу ∆U2=0 отримаємо:
– вхідний опір чотириполюсника.
– коефіцієнт передачі по струму.
Холостий хід зі сторони входу.
– коефіцієнт зворотного зв’язку.
Для нормально виготовлених транзисторів лежить в межах від 0,001 до 0,1.
В практичних розрахунках часто не враховується.
– вихідна провідність.
По отриманій системі рівнянь складають еквівалентну схему.
Рисунок 34 Еквівалентна схема транзистора як чотириполюсника
Зв’язок між системами параметрів чотириполюсників
В зв’язку з тим, що отримані системи параметрів описують один і той же транзистор, який може бути ввімкнений по різних схемах, то можна встановити зв’язок між параметрами різних систем, або різних схем ввімкнення, знаючи любу із систем параметрів.
Припустимо, що нам відомі y – параметри, а необхідно визначити z – параметри, тобто знайти залежність z – параметрів від y – параметрів. В любому випадку необхідно:
Записати системи рівнянь і відповідно до фізики роботи транзистора узгодити напрями струмів і полярність ЕРС.
Привести задану систему параметрів до аналогічних рівнянь системи, параметри якої треба визначити.
Обидві системи записати в матричній формі; знаки при коефіцієнтах залишити, вважаючи, що струми і напруги мають позитивний знак.
Прирівняти матриці струмів, напруг і коефіцієнтів. Так якщо відомі параметри y, а необхідно знайти z параметри отримаємо.
Параметри відомої системи: Параметри не відомої системи
Представимо систему y – параметрів відповідно до системи z – параметрів. Для цього знаходимо U1 і U2.
;
Отримуємо:
Позначимо: .як означник системи рівнянь і запишемо дві системи рівнянь в матричній формі.
Виходячи з рівності матриць, знайдемо значення z – параметрів, як функції
у- параметрів.
Перерахунок y – параметрів схеми з спільною базою в схему з спільним емітером.
yб → yе
При розрахунках параметрів схеми з спільним емітером необхідно врахувати, що відповідно до фізики роботи транзистора в ньому завжди виконуються умови:
; .
Складаємо систему рівнянь для схеми з спільною базою, вхідний струм – емітера, вихідний – колектора.
Враховуємо, що , і складаємо відповідну систему рівнянь для схеми з спільним емітером, де вхідним струмом буде струм бази, а вихідним – колектора.
Після перетворень, враховуючи, що , отримуємо: