При построении модуля динамического ОЗУ предусматривается специальный цикл регенерации, который представляет собой цикл считывания по адресу регенерации. Адрес регенерации формируется счетчиком, разрядность которого определяется разрядностью кода адреса строк. Число циклов регенерации равно числу строк в матрице. Поскольку регенерация осуществляется одновременно во всех ЗЭ выбранной строки, цикл обращения к матрице реализуется при отсутствии разрешающего сигнала ВМ, когда разрядные шины изолированы от шины ввода-вывода.

Время, необходимое для регенерации одной строки, равно длительности цикла считывания. В это время обращение к микросхеме запрещено. Для регенерации m строк требуется время mxtсч , что составляет часть от периода регенерации Трег, равного 1-2 мс. В част-

На рис. 5.21 показана базовая схема для ОЗУ на динамических БИС памяти. Работа схемы осуществляется следующим образом. Код адреса обращения принимается регистром адреса РгА, далее часть разрядов адреса поступает на входы мультиплексора адреса МлА, а другая их часть -на входы дешифратора тактовых сигналов ДшТС. При подаче на блок местного управления БМУ сигнала обращения.

ОБР сначала запускается блок выработки временной диаграммы БВД, а затем МлА и блок формирования тактовых сигналов БФТС RAS и CAS. В результате на блок накопителя Н поступают мультиплексированные разряды кода адреса и один из сигналов RAS или САS. При этом, если на входе БМУ отсутствует сигнал записи ЗП, то в ОЗУ реализуется режим считывания информации, которая из Н поступает на регистр выходных данных РгВыхД и далее - на процессор. При наличии на входе БМУ сигнала ЗП запускается в режиме обращения блок формирования сигнала записи БФСЗ и в Н производится запись информации из регистра данных РгВхД.

При наличии импульса на выходе генератора регенерации ГРгн, работающего с периодом Трег=Трег/mp, где mp - число строк элементов памяти в ДОЗУ, к состоянию счётчика адресов регенерации СчАРгн прибавляется 1. Код адреса регенерации поступает из СчАРгн в МлА и после запуска БЕД - далее в блок накопителя Н. Из ОЗУ в процессор видаётся признак регенерации РГН. При этом ВФТС формирует тактовые сигналы RAS, поступающие одновременно на все БИС ЗУ блока накопителя. Формирование тактовых сигналов САS в цикле регенерации не является обязательным.

Необходимым условием правильного функционирования ОЗУ на БИС памяти динамического типа является нормальное завершение любого рабочего цикла. Для этого требуется, чтобы между сигналами ОБР и РГН не возникало конфликтных ситуаций, так как сигнал РГН, как правило, формируется асинхронно. Одним из способов устранения конфликтов является размещение генератора регенерации и счётчика адресов регенерации в процессоре. Это позволяет в максимальной степени приблизить источники сигналов ОБР и РГИ и устранить разницу в задержках распространения сигналов.

В цепях электропитания ДОЗУ возникают помехи, вызванные импульсным характером тока потребления БИС ЗУ динамического типа. Особенно велики помехи во время регенерации информации, так как в активном состоянии в этом режиме находятся все элементы, входящие в состав ОЗУ. При отсутствии специальных средств по снижению уровня помех амплитуда помех во время цикла регенерации достигает больших значений. Это уменьшает область устойчивой работы ОЗУ и может вызвать ошибки в информации при его функционировании.

Достаточно эффективным способом уменьшения помех на шинах электропитания БИС ЗУ является размещение в непосредственной близости от микросхем памяти высокочастотных керамических конденсаторов фильтров. Они гасят высокочастотные импульсные выбросы, возникающие по фронту и спаду сигнала RAS. Уменьшению уровня помех способствует также сокращение числа одновременно регенерируемах микросхем памяти. Возможны и другие способы.

Надёжность ОЗУ в большей степени определяется надёжностью микросхем памяти. Нарушение функционирования БИС ЗУ имеет постоянный либо кратковременный характер. Причиной постоянной неисправности является отказ - необратимый физический дефект ЗУ, устраняемый только при ремонте ОЗУ. Кратковременное же нарушение функционирования БИС ЗУ возникает вследствие сбоев, которые вызывают временное изменение логического состояния отдельных бит, правильное состояние которых восстанавливается при записи истинных данных - регенерации. Причиной сбоев ОЗУ являются упоминавшиеся помехи в цепях электропитания а также деградация параметров элементов памяти и a-частица. Для ОЗУ наиболее характерны отказы отдельных бит, а не строк и столбцов.