- •Часть II
- •1. Лазерный нагрев материалов 6
- •2. Лазерное разрушение поглощающих материалов 83
- •3. Современные представления об оптическом пробое прозрачных сред 121
- •Введение
- •1. Лазерный нагрев материалов
- •1.1. Общая характеристика нагревания лазерным излучением
- •1.1.1. Тепловые эффекты в конденсированных средах
- •1.1.2. Основные особенности температурной кинетики при лазерном воздействии
- •1.1.3. Теплопроводностные механизмы отвода тепла. Уравнение теплопроводности, начальное и граничные условия
- •1.2. Термические эффекты, сопровождающие лазерный нагрев
- •1.2.1. Термомеханические эффекты
- •1.2.2. Фазовые переходы в твердом состоянии (лазерное упрочнение)
- •1.2.3. Эмиссионные процессы
- •1.2.4. Основные особенности лазерной активации процессов аррениусовского типа
- •1.2.5. Диффузионно-химические явления
- •1.2.6. Лазерное плавление поверхности
- •1.2.6.1. Вакансионная модель плавления.
- •1.3. Линейные режимы лазерного нагрева.
- •1.3.1. Нагрев полупространства экспоненциально спадающим с глубиной тепловым источником.
- •1.3.2. Нагрев металла импульсным излучением постоянной мощности
- •1.3.3. Нагрев материала лазерным пучком с гауссовым профилем
- •1.3.4. Нагрев материала постоянным лазерным излучением, луч сфокусирован в пятно круглого сечения.
- •1.3.7. Нагрев материалов в интерференционном лазерном поле.
- •1.3.8. Особенности нагрева материала движущимся световым пятном.
- •1.4. Нелинейные режимы лазерного нагрева.
- •1.4.1. Нагрев с учетом температурной зависимости поглощательной способности.
- •1.4.2. Нагрев окисляющихся металлов лазерным излучением. Термохимическая неустойчивость
- •1.4.3. Экзотермические эффекты при импульсном лазерном воздействии на металлы
- •2. Лазерное разрушение поглощающих материалов
- •2.5. Общая характеристика механизмов лазерного разрушения
- •2.1. Механическое низкотемпературное разрушение хрупких материалов.
- •2.1.1. Разрушение упругими напряжениями.
- •2.1.2. Разрушение остаточными напряжениями.
- •2.2. Химические механизмы разрушения
- •2.3. Высокотемпературные механизмы с участием испарения
- •2.4. Поляритонный механизм формирования лазерно-индуцированного поверхностного рельефа
- •2.5. Лазерное испарение.
- •2.5.1. Кинетика испарения плоской поверхности.
- •2.5.1.1. Испарение в вакуум и среду с противодавлением
- •2.5.1.2. Температурная граница перехода от нагрева к испарению
- •2.5.2. Теплофизика перехода от нагрева к испарению
- •2.5.3. Одномерная задача о лазерном нагреве с испарением.
- •2.5.3.1. Установление стационарного режима. Определение квазистационарных параметров.
- •2.5.3.2. Зависимость температуры и скорости лазерного разрушения от плотности светового потока.
- •2.5.4. Вытеснение расплава избыточным давлением паров
- •2.6. Свойства лазерного пара и плазмы, их влияние на процесс разрушения
- •3. Современные представления об оптическом пробое прозрачных сред
- •3.1. Физические представления об оптическом пробое идеальных диэлектриков
- •3.1.1. Оптический пробой газов
- •3.1.1.1. Многофотонная ионизация
- •3.1.1.2. Лавинная ударная ионизация
- •3.1.2. Оптический пробой идеально чистых твердых тел
- •3.1.2.1. Туннельное поглощение; переход Мотта диэлектрик-металл.
- •3.1.3. Роль вынужденного рассеяния Мандельштама Бриллюэна
- •3.2. Тепловой механизм оптического пробоя реальных сред
- •3.2.1. Роль микронеоднородностей в зарождении поглощения и пробое
- •3.2.1.1. Оптические свойства реальных оптических материалов и покрытий
- •3.2.1.2. Основные экспериментальные закономерности и особенности оптического пробоя и разрушения оптически неоднородных сред
- •3.2.2. Механизмы инициирования объемного поглощения в первоначально прозрачной среде
- •3.2.3. Тепловая неустойчивость
- •3.2.4. Статистическая концепция оптического пробоя
- •3.2.5. Размерная зависимость порогов пробоя
- •Контрольные вопросы Список рекомендуемой литературы История кафедры
- •Галина Дмитриевна Шандыбина Взаимодействие лазерного излучения с веществом (силовая оптика).
1.2.6.1. Вакансионная модель плавления.
Принимая во внимание отсутствие идеального порядка в кристалле и сохранение некоторой упорядоченности в жидкости, Я.И. Френкель предложил рассматривать процесс перехода кристалла в жидкость как процесс проникновения вакансий в кристалл через его поверхность, при этом вакансии как бы разрыхляют его структуру. Поэтому, в случае простых и, в особенности, одноатомных веществ, процесс аморфизации кристалла можно понимать как процесс образования в кристалле ''вакансионного раствора'', концентрация которого возрастает с ростом температуры. Этот процесс приводит, в конце концов, к плавлению. Исходя из этих представлений об изменении структуры тела при изменении температуры, можно представить себе структуру жидкости как кристалл, деформированный вакансиями.
При больших концентрациях вакансий, когда деформированные области перекрываются, кристаллическая решетка будет деформирована полностью (рис. .13 б). В таком, деформированном вакансиями кристалле, атомы, окружающие какой-либо произвольно выбранный атом, располагаются вокруг него преимущественно на тех же расстояниях, что и в кристалле, но с некоторым разбросом - сохраняется ближний порядок. Разброс этот носит случайный характер и быстро возрастает с увеличением расстояния от выбранного атома.
При этом характер кинематики теплового движения у аморфных тел и жидкостей не различается, что и было предсказано Я.И. Френкелем.
Рис. 1.13.. Схема искажения кристаллической решетки вакансиями.
Чтобы понять процесс плавления и получить точное значение температуры перехода, следуя описанной выше модели жидкости, рассмотрим кристалл и жидкость как состояния одной и той же конденсированной фазы, отличающиеся только концентрацией вакансий.
Проанализируем зависимость свободной энергии кристалла от концентрации вакансий с учетом их парного взаимодействия. Предположим, что при увеличении концентрации вакансий растет вероятность их расположения на таком расстоянии друг от друга, что взаимное влияние начинает заметно уменьшать суммарную энергию образования вакансий . Будем считать также, что энергия образования пары взаимодействующих вакансий меньше, чем энергия образования двух невзаимодействующих вакансий , на величину . Тогда энергия образования вакансий с учетом их взаимодействия будет ( - число вакансий во взаимодействующих парах), можно определить как произведение общего числа вакансий на вероятность того, что около вакансии в некотором объеме , определяемом радиусом взаимодействия вакансий, окажется еще хотя бы одна вакансия, то есть по закону Пуассона .
Учитывая сказанное, зависимость получим в виде:
где: - постоянная Больцмана, - температура в K, - концентрация узлов кристаллической решетки.
Анализ показывает, что на зависимости существуют два минимума, два устойчивых состояния, соответствующих равновесным концентрациям вакансий и , причем . Эти концентрации можно определить из условий и .
(1.30)
(1.31)
Первый минимум соответствует значениям , поэтому . Второй минимум соответствует такой концентрации вакансий , при которой почти все вакансии участвуют в парных взаимодействиях: . При увеличении температуры минимум в области малых концентраций исчезает. Перед этим, при температуре и концентрации вакансий , когда состояние с концентрацией становится неустойчивым. То есть, во время нагревания кристалла при температуре происходит резкое увеличение равновесной концентрации вакансий от до . Для и из (.30) и (.31) можно получить: , .
Определим энергию , которая затрачивается на переход из состояния неустойчивого равновесия с концентрацией вакансий в устойчивое с концентрацией . При переходе энергия затрачивается на образование вакансий и на увеличение конфигурационной и колебательной энтропии, поэтому полная энергия , затрачиваемая на переход, будет:
При и для справедливо выражение:
(1.32)
Значения и для некоторых металлов, вычисленные по (.32), приведены в таблице .2.
Таблица 1.2. Сравнение расчетных и экспериментальных значений теплоты плавления металлов.
Металл |
(K) |
|
см-3 |
см-3 |
Дж см-3 |
Дж см-3 |
Cs |
302 |
0,025 |
0,84 |
0,63 |
28 |
30,7 |
K |
336 |
0,023 |
1,30 |
0,90 |
45 |
50,8 |
Na |
371 |
0,026 |
2,50 |
1,90 |
104 |
107,5 |
Cd |
594 |
0,056 |
4,60 |
6,50 |
502 |
494,0 |
Pb |
600 |
0,037 |
3,20 |
3,0 |
255 |
253,5 |
Al |
933 |
0,15 |
6,0 |
9,0 |
1077 |
1070 |
Термодинамический анализ вакансионной модели плавления, основанный на представлениях о жидкости как о деформированном вакансиями кристалле, позволил получить однозначную связь между параметрами кристалла и температурой и теплотой его плавления.
Используя вакансионную модель плавления, можно однозначно объяснить постоянство температуры поверхности при лазерном плавлении и наличие потока энергии к фронту плавления без градиента температуры в расплавленном слое. Такой режим возможен до тех пор, пока плотность потока мощности на поверхности не превысит некоторого критического значения, определяемого скоростью генерации вакансий на поверхности расплава и величиной диффузионного потока вакансий, определяемого градиентом концентрации вакансий на фронте плавления. Поэтому глубина проплавления будет определяться величиной плотности потока лазерного излучения и свойствами материала.
Связь величины теплового потока с температурой поверхности расплава при можно определить следующим образом:
.
Оценим изменение температуры поверхности расплава при изменениии плотности мощности излучения от 2,5105 Вт/см2 до 4,5105 Вт/см2. Считая изменение температуры поверхности малым, для получим
При ( ) получим оценку , которая хорошо совпадает со значением при К, К, определенных из эксперимента (см. рис. .12).