- •14. Особенности изучения реального кристаллообразования. Выбор метода выращивания монокристаллов.
- •3. Точечные
- •15.Технология получения монокристаллов. Выращивание монокристаллов из расплава. Характеристики метода.
- •16. Методы нормальной направленной кристаллизации. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •17. Метод Бриджмена. Основные параметры. Достоинства и недостатки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •18. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Чохральского. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •19. Методы вытягивания кристаллов из расплава. Метод Киропулуса. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •20. Методы зонной плавки. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •21. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод Вернейля. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •22. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Зонная плавка. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •23. Бестигельные методы выращивания монокристаллов. Метод выращивания с пьедестала. Основные параметры. Достоинства и недостатки.
- •24. Выращивание кристаллов из растворов. Требование к растворителю. Основные стадии.
- •25. Выращивание кристаллов из растворов. Метод зонной плавки.
- •26. Выращивание кристаллов из растворов. Гидротермальное выращивание. Основные параметры и требования.
- •27.Выращивание из растворов. Метод испарения летучего растворителя.
- •28.Выращивание из растворов. Метод повышения концентрации летучего компонента раствора.
- •29. Выращивание из растворов. Направленная кристаллизация пересыщенных растворов.
- •30. Выращивание монокристаллов из паровой фазы.
- •1.Метод конденсации паров компонентов.
- •2. Метод диссоциации восстановление газообразующих соединений.
- •3.Метод реакции переноса.
- •3.1.Метод переноса в потоке
- •31. Легирование кристаллов в твердой фазе.
- •32. Легирование кристаллов при выращивании из жидкой фазы.
- •33. Технологические неоднородности состава кристаллов и методы их уменьшения.
- •34. Легирование кристаллов при выращивании из газовой фазы.
- •3.Метод газоразр-го легирования.
- •4.Материалы электрода.
- •35. Особенности стеклообразного состояния и строение стекла. Типы стекол. Температурный интервал стеклования. Теория Лебедева.
- •36. Физико-химические основы стекловарения. Вязкость и поверхностное натяжение стекол и расплавов. Технологическая шкала вязкости.
- •1. Технологические параметры, которые определяют технологию варки стекла.
- •37. Сырьевые материалы для производства стекла. Природное сырье и синтетическое. Основное и вспомогательное сырье. Методы получения синтетического оксида кремния.
- •2 Группы:
- •6.5 Ускорители варки стекла.
- •39. Приготовление шихты. Факторы, влияющие на качество шихты.
- •40.Изготовление шихты для изготовления высокооднородных стекол (метод соосаждения, метод гидролиза, топохимический метод)
- •1.Метод соосаждения.
- •2.Метод гидролиза.
- •3.Топохимический метод
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Силикатообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Стеклообразование. Факторы, влияющие на процесс.
- •43. Стекловарение. Этапы стекловарения. Осветление.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Этап гомогенизации. Факторы, влияющие на процесс.
- •Стекловарение. Этапы стекловарения. Студка. Факторы, влияющие на процесс.
- •Пороки стекла. Газовые, стекловидные, кристаллические пороки. Методы борьбы с пороками.
- •Формование стекла. Стадии процесса формования.
- •48. Непрерывные и циклические процессы формования стекла.
- •49. Технологические характеристики формования. Текучесть стекломассы. Охлаждение и твердение.
- •50. Способы формования стекла. Вытягивание. Прокатка. Прессование. Выдувание. Центробежное формование. Флоат способ.
- •51. Термическая обработка стекла. Отжиг и закалка стекла.
- •52. Методы получения пленок стекла. Нанесение пленок из жидкой фазы. Нанесение пленок из газовой фазы. Структура и свойства пленок стекла. Дефекты пленок.
- •Ситаллы. Катализаторы кристаллизации. Требования к катализаторам. Механизмы действия катализаторов. Фотоситаллы. Термоситаллы.
- •Технологические стадии получения ситаллов.
Ситаллы. Катализаторы кристаллизации. Требования к катализаторам. Механизмы действия катализаторов. Фотоситаллы. Термоситаллы.
Ситаллы – стекло крист. Материал который получается путем частичной или полной стимулировки кристаллизации стекол специального состава.
Занимают промежуточное место между стеклом и керамикой.
От стекла отличается тем, что имеет кристаллическое строение от кремния тем что имеет более тонкую однородную и микрокристаллическую структуру.
Сво-во ситаллов:
- высокая механическая про-ть
-высокая твердость
- высокая про-ть
-высокая размягчение температур
- термостойкость высокая
-высокая электроизоляционные сов-ва, износостойкость
Из обычных стекол получают сиьаллы трудно т.к. при низких Т стекло имеет большую вязкость, что затрудняет рост зародышей кристалла, а при высоких Т – может вызвать деформацию изделий, поэтому в стекло вводят специальное вещество стимуляторы и проводят ТО изделий по специальному режиму.
Требования к катализаторам:
Должен неограниченно расплавляться в стекле при высоких Т, и ограничено при низких Т
Должны иметь энергию активации обратных центров
Атомы катализаторов должны иметь высокую скорость диффузии
Граница зародыш-стекло должно иметь низкую пов-ю энергию что бы обеспечить смачивание крист. Стеклом
Параметры решетки кристалич. катализаторов должны быть похожи на параметры кристаллической фазы
Механизмы действия катализаторов:
Катализатор раствор в расплаве при охлаждении выделяется в виде атомной группир. Которая создает центры для кристаллизации маточного раплава
При введении оксидных катализаторов перед кристаллизацией происходит расслоение в жидкой фазе (состояние ситаллов выбирают по диаграмме состояния в области имеющейся ликвации)
Крист. стекла в присутствии соединений которое содержит катионы светочувствительн. металлам Ag1+ Au1+ Cu2+ сводится к восстановлению их в стекле до нейтральных атомов с последующей коогуляцией частиц металла до субликраснолич. Коллоидных размеров это частицы центра кристаллизации
Для увеличения скорости процесса вводят сенсибилизаторы которые действуют при низких Т SnO2, SbO3
Интенсивный процесс восстановления катионов осуществялется путем облучения короткого волнового излучения эл. магнитного спектра (появляется фотоэлементы которые создают метостабильное составное устройство при обычных Т)
Что бы вызвать кристаллич. Изделие после облучения подвергается термообработке катионы восст. группируются и образуют зародыш.
Ускорители кристаллизации или отдельные эллемены Cu. Ag. Si или соединения TiO2, P2O5, Cr2O3
Для эффективности используются комбинированные испарители:
Классификация ситаллов:
Фотоситаллы
Термоситаллы
Фотоситаллы – получаются путем облучения
Термоситаллы - без облучения