- •Введение
- •Теория теплопроводности
- •Механизмы переноса тепла
- •Методы изучения физических явлений
- •Температурное поле
- •Тепловой поток. Закон Фурье
- •Коэффициент теплопроводности
- •Дифференциальное уравнение теплопроводности
- •Уравнение теплопроводности
- •Лекция № 2 Условия однозначности для процессов теплопроводности
- •Граничные условия:
- •Теплопроводность в стационарном режиме
- •Многослойная стенка
- •Переменный коэффициент теплопроводности
- •Линейная плотность теплового потока:
- •Критический диаметр цилиндрической стенки
- •Передача теплоты через шаровую стенку
- •Плотность теплового потока
- •Теплопроводность при наличии внутренних источников теплоты
- •Теплопроводность однородной пластины
- •Теплопроводность однородного цилиндрического стержня
- •Нестационарные процессы теплопроводности
- •Аналитическое описание процесса
- •Анализ полученного решения
- •Охлаждение длинного прямоугольного стержня
- •Охлаждение цилиндра конечной длины
- •Приближенные методы решения задач теплопроводности
- •Метод конечных разностей
- •Численные методы решения задач теплопроводности при нестационарном режиме
- •Метод конечных элементов
- •Исследование процессов теплопроводности методом аналогий
- •Электротепловая аналогия
- •Конвективный теплообмен Основные понятия и определения
- •Дифференциальные уравнения конвективного теплообмена
- •Уравнение энергии
- •Уравнения движения
- •Уравнение сплошности
- •Гидродинамический и тепловой пограничные слои
- •Уравнение теплоотдачи.
- •Тепловой пограничный слой
- •Подобие и моделирование процессов конвективного теплообмена
- •Приведение математической формулировки краевой задачи к записи в безразмерной форме
- •Аналогично преобразуем и уравнение движения
- •Граничные условия
- •Условия подобия физических процессов
- •Следствия из условий подобия
- •Обработка результатов опыта
- •Теплоотдача при вынужденном продольном омывании плоской поверхности
- •Интегральные уравнения пограничного слоя
- •Теплоотдача при ламинарном пограничном слое
- •Нагрев диэлектриков в электромагнитном поле. Электромагнитное поле в диэлектрике.
- •Плоская электромагнитная волна в диэлектрике
- •Используя соотношения
- •Решение уравнения (1) имеет вид
- •Виды поляризации
- •Зависимости ε и tg δ от частоты и температуры
- •Температурные характеристики релаксационной поляризации
- •Структура электродугового разряда
- •Характеристика приэлектродных областей и протекающих в них процессов
- •Выделяющаяся на аноде мощность
- •Мощность, выделяющаяся на катоде
- •Электроды дуговых установок
- •Термохимический катод
- •Основные закономерности электродугового столба
- •Особенности дуги переменного тока
- •Устойчивость и регулирование параметров электрической дуги
- •Способы зажигания дуги
- •Процессы переноса в дуговых и плазменных электротехнологических установках
- •Физико-технические основы электронно-лучевого нагрева
- •Основы расчета устройств формирования электронных пучков элу
- •Потери энергии электронного пучка и энергетический баланс элу
- •Основы лазерного нагрева. Основные принципы работы лазеров
- •Типы оптических квантовых генераторов
- •Лазеры твердотельные с оптической накачкой
- •Основы технологии светолучевой обработки
- •Литература
Нагрев диэлектриков в электромагнитном поле. Электромагнитное поле в диэлектрике.
Нагрев диэлектрика, помещённого в переменное электрическое поле между электродами конденсатора, происходит за счет процессов поляризации и протекание токов сквозной проводимости. Эти процессы обусловлены движением электрических зарядов в веществе под действием сил электрического поля.
Свободные заряды, т. е. заряды, которые могут перемещаться сквозь объем тела, переходя от электрода к электроду, или хотя бы перемещаются на микроскопические расстояния создают ток проводимости. Наличие структурных зарядов в структуре диэлектрика характеризуется электрической проводимостью. В зависимости от величины различают диэлектрические материалы ( <10-8 См/м) проводники ( <10-8 См/м) и полупроводники.
Если электрические материалы могут смещаться только на микроскопические расстояния, то они называются связанными и их движение приводит к поляризации вещества. Каждый элемент структуры вещества: атом, молекула или элементарная ячейка кристаллической решётки состоит из связанных электрических зарядов разного знака. Такая микросистема заряда в целом электрически нейтральная, т. е. алгебраическая сумма положительных и отрицательных зарядов, входящих в микросистему, равна нулю.
Связанные заряды в микросистемах вещества - это в конечном итоге заряды элементарных частиц – протонов и электронов, входящих в состав атомов вещества. Структура атомов и взаимодействие элементов этой структуры с внешним электромагнитным полем подчиняются сложным законам квантовой механики и электродинамики, но в рамках классической теории поля Максвелла Лоренца можно использовать приближённые модели микросистем вещества. Одна из возможных моделей представляет собой совокупность связанных точечных зарядов qсв.микро разного знака, локализованных в микрообъёме вещества. Положительные заряды находятся в ядрах атомов, а отрицательные – в геометрических центрах электронных оболочек. Наряду с такой дискретной моделью микросистем вещества используется и непрерывная модель, где допускается существование объёмной плотности связанных зарядов св.микро как функции координат в пределах микрообъёма вещества Vмикро.
Характеристикой электрических свойств системы зарядов служит электрический момент р. Для дискретной системы зарядов
(1)
для непрерывной системы
(2)
где r - расстояние от заданного заряда или элемента объёма до полюса системы (см. рис. 1).

Рис.1 Дискретная (а) и непрерывная (б) система связанных зарядов
Суммирование в формуле (1) производится по всем зарядам микросистемы.
Электрический момент нейтральной системы зарядов однозначно характеризует её свойства, т. е. не зависит от выбора полюса, если только система нейтральна, то
![]()
или
(3)
Т. к. суммарные отрицательный и
положительный заряды нейтральной
системы равны по абсолютной величине,
то такая система при р0
подобна диполю, т. е. совокупности равных
положительного и отрицательного точечных
зарядов q, разнесенных
на некоторое расстояние. Если полюс
системы совместить с местом нахождения
отрицательного заряда, то по формуле
(1) дипольный момент
,
где l - плечо диполя,
и векторы
и
направлены
от отрицательного заряда к положительному.

Рис. 2 Диполь в электрическом поле (а) и образование связанных зарядов на элементе поверхности (б).
Применение
микроскопических характеристик поля
в диэлектрике для количественного
исследования процесса поляризации
практически невозможно, т. к. величины
св.микро
и
недоступны
непосредственному измерению. Практически
используя макроскопические характеристики
поля в диэлектрике, которые получается
из соответствующих микроскопических
величин путём усреднения поля физически
бесконечно малому объёму ΔV. Этот
объём в отличие от бесконечно малого
математического объёма должен быть
чрезвычайно велик по сравнению с
расстоянием между молекулами вещества.
Одновременно ΔV должен быть мал по
сравнению с макроскопическими
неоднородностями среды и поля. Это
обеспечивает плавное изменение всех
усреднённых величин при переходе в
смежные элементы объёма.
Если дипольные моменты всех микросистем вещества, находящихся в объёме ΔV , геометрически сложить и вычислить предел
(4)
то получится вектор
поляризации
.
Его физический смысл – он является
электрическим моментом молекул
диэлектрика в единице объёма.
Скалярная величина плотности связанных зарядов усредняется по формуле
(5)
здесь ΔV стремится к 0, сохраняя свой макроскопический характер.
При
отсутствии внешнего электрического
поля
-
ориентация дипольных моментов микросистем
диэлектрика имеет хаотический характер
и вектор поляризации равен нулю
![]()
Ели в
диэлектрике существует электрическое
поле напряжённостью Е, то на каждый
заряд диполя действует сила
,
стремящееся развернуть диполь по
направлению поля (рис. 2,а). Преимущественная
ориентация диполей в одну сторону
приводит к тому, что их геометрическая
сумма в единице объёма отлична от нуля
и в соответствии с формулой (4) вектор
поляризации
.
Поместим внутрь диэлектрика участок поверхности ΔS и ориентируем его перпендикулярно направлению электрического поля (рис. 2). Около этого участка выделим малый цилиндрический объём, высота которого равна плечу диполя l . В таком случае все диполи числом N, попавшие внутрь цилиндрического объёма, окажутся «перерезанными» поверхностью ΔS так, что их положительные и отрицательные заряды окажутся по разные стороны поверхности. На внутренней стороне поверхности ΔS, считая по направлению нормали, окажется отрицательный связанный заряд, поверхностная плотность которого
Вектор поляризации в рассматриваемом объеме имеет только одну нормальную
![]()
составляющую Рn. В соответствии с формулой (4) находим
(6)
т. к. модуль дипольного момента p=ql.
Дополняя участок поверхности ΔS до замкнутой поверхности S, лежащей целиком внутри диэлектрика, и используя равенство (6), вычислим поток вектора поляризации
![]()
где Qсв - суммарный связанный заряд в объёме V, ограниченном поверхностью S.
