- •59. Порівняння електричної та гравітаційної взаємодії.Закон Кулона.
- •61. Електричне поле.Напруженість і потенціал поля.
- •62.Енергія електричного поля
- •63. Теорема Гаусса
- •64.Електричне поле в діелектриках.
- •65. Поляризація діелектриків, діелектрична сприйнятливість, діелектрична проникність речовини.
- •66.Умови на границі двох діелектриків.Електричне зміщення.
- •67.Типи Діелектриків.Сегментоелектрики.
- •68.Провідники в електричному полі.
- •69. Енергія електростатичного поля
- •70.Різниця потенціалів. Напруга.
- •71.Електроємність.Конденсатори.Зєднання конденсаторів.
- •72.Постійний електричний струм.Закон Ома.
- •73.Потужність.Закон Джоуля-Ленца.Електрорушійна сила.
- •74.Зєднання опорів.Резистори.
- •75.Правило.Кіргофа.Шунт.Додатковий опір.
- •76.Нагрівні прилади.ТеНи
- •77.Магнітний потік.Робота з переміщенням провідника і контуру зі струмом у магнітному полі.
- •78.Електромагнітна індукція.Правило Ленца.
- •79.Явища самоіндукції. Взаємна індукція
- •80.Енергія магнітного поля.
- •81.Типи магнетиків.Точка кюрі.
- •83.Основи теорії Максвели для електромагнітного поля.
- •84.Рівняння Максвелла в диференціальній формі.
- •85. Рух зарядженої частинки в електромагнітному полі
- •86.Геометрична оптика.
- •87.Явище повного внутрішнього відбивання.Кут Брюстера.
- •88.Визначення показника заломлення рідини рефрактометром.
- •90.Інтерференція світла.Когерентність світлових хвиль.
- •91.Дифракція світла.
- •93. Дифра́кція Фраунго́фера
- •94.Дифракційна решітка.Формула Вульфа-Бегга
- •95.Застосування дифракції. Визначення довжини хвилі за допомогою дифракційної решітки.
- •96.Дисперсія світла.Аномальна та нормальна дисперсія.
- •97.Поляризація світла.Поляризатори.Природне та поляризоване світло.
- •98. Теплове випромінювання
- •99.Природа теплового випромінювання
- •100.Закони Кірхгофа.Стефана Больцмана та Віна,
- •101.Пірометри.
- •103.Застосування лазерів.
- •104.Напівпровідники.
- •105.Визначення параметрів напівпровідникових приладів.
- •106.Мікросхеми.Чіпи.Компютери.
- •107.Склад атомного ядра.Протони.Нейтрони.Нуклони.
- •108.Масове тіло.Ізотопи.
- •109.Ядерні сили.Ядерні реакції.Радіоактивність.
- •110.Взаємодія заряджених частинок,квантів і нейтронів з речовиною.
- •111.Елементи дизометрії.
- •82.Магнітне поле в речовині.
103.Застосування лазерів.
Великі можливості відкриваються перед лазерною технікою в біології й медицині. Лазерний промінь застосовується не тільки в хірургії (наприклад, при операціях на сітківці ока) як скальпель, але й у терапії. Інтенсивно розвиваються методи лазерної локації й зв'язку. Локація Місяця за допомогою рубінових лазерів і спеціальних кутових відбивачів, доставлених на Місяць, дозволила збільшити точність виміру відстаней Земля — Місяць до декількох см. Отримано обнадійливі результати в спрямованому стимулюванні хімічних реакцій. За допомогою лазерів можна вибірково збуджувати одне із власних коливань молекули. Виявилося, що при цьому молекули здатні вступати в реакції, які не можна або важко стимулювати звичайним нагріванням. За допомогою лазерної техніки інтенсивно розробляються оптичні методи обробки передачі й зберігання інформації, методи голографічного запису інформації, кольорове проекційне телебачення.
104.Напівпровідники.
Напівпровідни́к — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Відрізняються від провідників сильною залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури і різних видів випромінювання. Основною властивістю цих матеріалів є збільшення електричної провідності з ростом температури.
Напівпровідниками є речовини, ширина забороненої зони яких становить близько кількох електронвольт (еВ). Наприклад, алмаз можна віднести до широкозонних напівпровідників, а арсенід індію — до вузькозонних. До числа напівпровідників належать багато простих речовин хімічних елементів (германій, кремній, селен, телур, арсен та інші), величезна кількість сплавів і хімічних сполук (арсенід галію та ін.).
Залежно від того, чи віддає домішковий атом електрон або захоплює його, його називають донорними або акцепторними. Характер домішки може змінюватися в залежності від того, який атом решітки вона заміщує, в яку кристалографічну площину вбудовується.
Провідність напівпровідників сильно залежить від температури. Поблизу абсолютного нуля температури напівпровідники мають властивості діелектриків.
Напівпровідниковий прилад з одним електричним переходом і двома виводами називають напівпровідниковим діодом.
Різні типи напівпровідникових діодів відрізняються між собою за властивостями, призначенням та за конструкцією. Вони бувають площинними і точковими. У площинних діодах лінійні розміри переходу, що визначають його площу, значно більші від товщини.
Напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими переходами і трьома (чи більше) виводами, підсилювальні властивості якого зумовлені явищами інжекції та екстракції неосновних носіїв заряду, називається транзистором (тріодом).
Транзистор має три області – емітер, базу і колектор. Електропровідність бази може бути як електронною, так і дірковою. Відповідно, розрізняють транзистори з p-n-p таn-p-n структурами.
105.Визначення параметрів напівпровідникових приладів.
Техніка напівпровідникових приладів стала самостійною областюелектроніки. Заміна електронних ламп напівпровідниковими приладамиуспішно здійснена у багатьох радіотехнічних пристроях.На всьому протязі розвитку радіотехніки широко застосовувалися кристалічні детектори, що представляють собою напівпровідникові випрямлячі для струмів високої частоти. Для випрямлення постійного струму електричної мережі використовують купроксние і селенові напівпровідникові випрямлячі. Однак вони непридатні для високих частот.
Принципи роботи напівпровідникових діодів і транзисторів пов'язані з тим, що в напівпровідниках існує електропровідність двох видів. Так само, як і метали, напівпровідники мають електронної електропровідністю, яка обумовлена переміщенням електронів провідності. При звичайних робочих температурах в напівпровідниках завжди є електрони провідності, які дуже слабо пов'язані з ядрами атомів і здійснюють безладне тепловий рух між атомами кристалічної решітки
Техніка напівпровідникових приладів стала самостійною областю
електроніки. Заміна електронних ламп напівпровідниковими приладами
успішно здійснена у багатьох радіотехнічних пристроях.
На всьому протязі розвитку радіотехніки широко застосовувалися
кристалічні детектори, що представляють собою напівпровідникові
випрямлячі для струмів високої частоти. Для випрямлення постійного
струму електричної мережі використовують купроксние і селенові
напівпровідникові випрямлячі. Однак вони непридатні для високих
частот.