Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом

.pdf
Скачиваний:
45
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
14.42 Mб
Скачать

откуда уже явно видно, что для получения усиления в схеме при за­ данных потерях в диоде и частотах сигнала и накачки необходимо достаточно сильное «возбуждение» р-п перехода мощностью накачки, так как это гарантирует получение достаточно большой амплитуды гармоники эластанса S1. Если же условие (4.9) не выполняется, то отрицательное сопротивление в сигнальный контур схемы не вносит­ ся и усиления не возникает вообще. Условия (4.3) и (4.9) определяют интервал частот, для которых можно получить усиление в схеме с диодом

сзаданными динамическими пара­

метрами | Sx | и Rs.

Сказанное

мож­

 

 

 

но представить

графически,

что^ и

 

 

 

сделано на

рис. 4.3.

 

 

 

 

 

 

 

Расчет

величины

 

коэффициента

 

 

 

усиления параметрического

усилите­

 

 

 

ля с

отрицательным

сопротивлением

 

 

 

зависит от

способа

его

использова­

 

 

 

ния в схеме усилителя. Этомувоп-

 

 

 

росу

посвящен

§

4.4.

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.3. Зависимость частоты накачки от

 

 

 

частот

сигнала, на

которых

существует

тео­

№i

ад

 

ретическая

возможность

 

внесения

отри­

Ъ

 

Ъ

is

цательного сопротивления

в сигнальный

кон­

 

ш0

 

 

 

 

тур.

 

 

 

 

 

 

 

4.2. ОБМЕННАЯ ТЕМПЕРАТУРА ШУМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ В ПРОСТЕЙШЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОМ

УСИЛИТЕЛЕ

Рассчитаем обменную температуру шума отрицательного со­ противления, роль которого во входном контуре играет «накачивае­ мый» р-п переход вместе с холостым контуром. Примем, что переход находится при температуре Тя, а элементы холостого контура — при температуре 7V Пренебрежем шумами генератора накачки, вносимыми в схему. Это возможно, так как генератор накачки имеет достаточно узкую линию генерации. При необходимости в цепи на­ качки можно поставить узкополосный фильтр, практически полно­ стью устраняющий шумы генератора накачки.

Обменную температуру шума Т0 отрицательного сопротивления1 ) на частоте / определим [29, 59] из зависимости2)

 

 

T V ? =

Wm mv/k,

 

(4.10)

 

См. приложение П Л .

 

 

 

 

 

а> В данном разделе, как и раньше,

не будем

заниматься

проблемой поло ­

сы

пропускания параметрической схемы,

поэтому

определение

(4.10) относится

к

так называемой

дифференциальной

температуре шума, которую можно изме­

рить в бесконечно

узкой полосе частот. Задаче проектирования

широкополосных

параметрических

усилителей посвящено

много работ, например [46 — 48, 55] .

Ш

где

Wm о т р

— спектральная плотность обменной

мощности шума

на

частоте

/

для отрицательного сопротивления,

к

постоянная

Больцмана.

 

 

 

 

 

Для простейшей схемы параметрического усилителя

(рис. 4.2)

спектральную

плотность обменной мощности шума № ш о т р

в сигналь­

ном контуре рассчитаем с учетом того, что тепловые шумы сопротив­

ления R s на

частотах

со0 и со* не коррелируют

друг

с

другом

и что

они также не коррелируют с тепловыми шумами сопротивления

по­

терь R t холостого контура. Поэтому можно

записать

 

 

 

 

 

 

 

 

Wm

отр =

WoORs

+

Wo iRg

+ WoiR.

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

2 _ L

Г/2

 

 

 

 

 

 

Af.

 

 

(4.11)

 

 

 

шОД

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Jo

 

 

 

la

y U

» ^

 

Рис.

4.4.

Эквивалентная

схема

пере­

 

 

 

 

 

 

 

 

менного эластанса и холостого кон­

 

 

 

 

 

 

 

 

тура

и эквивалентная

ей

шумовая

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схема.

 

 

 

 

При

усилении вносимое

сопротивление

R B

n

отрицательно

и

вы­

ражается

зависимостью

(4.6).

В

уравнении

(4.11)

Wm0Rs

 

со­

ставляющая спектральной плотности обменной мощности шума

на

отрицательном

сопротивлении

R B n , возникающая

на

частоте

со0

из-за тепловых

шумов сопротивления R s р - п перехода

на той же ча­

стоте; WmiRs

— составляющая

спектральной

плотности

обменной

мощности шума на отрицательном сопротивлении

R

B H

,

возникающая

на частоте

со0

из-за

тепловых шумов сопротивления

потерь

R s р-п

перехода на холостой

частоте сог;

ш г

— составляющая

спектраль­

ной плотности обменной мощности шума на отрицательном сопротив­ лении R B U , возникающая на частоте со0 из-за тепловых шумов со­ противления потерь R i холостого контура на холостой частоте со/. В числителе правой части уравнения (4.11) находятся средние зна­ чения квадратов эквивалентных (в соответствии со схемой замеще­ ния Тевенииа) напряжений шума, соответствующих трем указанным источникам шумов (рис. 4.4).

Из зависимостей

(4.1)

и

(4.2)

 

получаем

 

 

 

I UmoRs\2

=

4А7у?,ДД

 

 

I VmiRs

I 2

=

[5х /сог (Rs

+ Rt)]2

MTRRsAf,

(4.12),

I UmiR.\2

=

ISM

(Rs

+

Rd?

AkTiRiAf.

 

После подстановки (4.12) в (4.11) с учетом (4.6) и (4.10) получим общее выражение обменной температуры шума отрицательного со­ противления в простейшем параметрическом усилителе при выполне-

112

( 4 . 1 3 )

нии

условия

настройки

в резонанс

холостого контура

{Z^Ri+Rs)

и справедливости

неравенства

( 4 . 8 ) :

 

 

т

_. Тп Rs

(1 +

[| St [/со;

(Rs +

Rj)?} ±Tj

Rt 1| S x I/on ( f l 8 + / ? t ) ] g

( 4 1 3 )

или после подстановки нормированных импедансов ( 3 . 1 7 ) и динами­

ческих добротностей

( 3 . 1 5 ) , ( 3 . 1 6 ) , ( 3 . 5 7 )

^ o . f p = ( ^ [ | ? o , i l 2 +

( l + / - t ) 2 ] + ^ ' - i k o , i | 2 ) / ( l + ' - i ) ( ^ - ' - i - l ) - ( 4 . 1 4 )

4 . 3 . МИНИМИЗАЦИЯ ОБМЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ШУМА ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

в ПРОСТЕЙШИХ ПАРАМЕТРИЧЕСКИХ УСИЛИТЕЛЯХ

Выражения ( 4 . 1 3 ) и ( 4 . 1 4 ) в качестве исходных дают возможность [ 2 4 , 5 9 ] обсудить и оптимизировать шумовые свойства отрицательного сопротивления в зависимости от ряда параметров простейшего уси­ лителя. Эти шумы будем оценивать, пренебрегая потерями в р-п переходе.

Рассмотрим влияние потерь холостого контура на обменную температуру шума отрицательного сопротивления. Проанализируем

влияние

охлаждения параметрического

диода и холостого

контура

на шумы

отрицательного сопротивления,

а также возможность

выбора

оптимальной частоты накачки, обеспечивающей наименьшую темпе­ ратуру шума отрицательного сопротивления в простейшем парамет­ рическом усилителе. В заключение исследуем влияние мощности накачки на шумы отрицательного сопротивления р-п перехода при накачке.

4.3.1.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С Д И О Д О М БЕЗ ПОТЕРЬ

Условие Rs = 0 в приводит к очень простому выражению для обменной температуры шума отрицательного сопротивления в усилителе с диодом без потерь:

Т о т р = ((Oo/co,)7Y

(4 . 15)

Из выражения ( 4 . 1 5 ) следует, что чем сильнее охлаждается хо­ лостой контур и чем выше частота накачки, тем меньше обменная тем­ пература шумов, вносимых в сигнальный контур р-п переходом без потерь и холостым контуром.

4.3.2.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С Х О Л О С Т Ы М К О Н Т У Р О М

БЕЗ ПОТЕРЬ

Из упрощения уравнения

( 4 . 1 4 )

при условии Rt — 0

следует

Tmj> = ЗДо,

О 2 +

П/(^о ! ) •

(4 - 16)

Это выражение идентично выражению ( 3 . 7 2 ) для температуры шума двухчастотного преобразователя с нижней боковой в случае

113

подбора импеданса генератора для получения бесконечно большого обменного усиления. Зависимость (4.16) можно выразить через часто­ ты сигнала и накачки:

 

 

отр

1 д

 

соо

\ S J R , \ *

•>

 

( с о д - с о д ) »

(4.17)

 

х

 

— С0

I S i / ^ s |

 

( с о

 

— со

) со

 

 

 

 

( 0

Н

а

н

0

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

На

рис.

4.5

сплошными

линиями

 

 

показаны

кривые^. . ^ ^ Т„..о

т р

= const

в соответствии с (4.17) в координатах х> со0 и

сон. Из рисунка

 

 

 

 

 

 

видно,

что

в области

частот,

где

 

 

 

 

 

 

может

 

возникнуть

усиление

(4.3)

 

 

 

 

 

 

и (4.9)

(рис. 4.3),

каждой частоте

 

 

 

 

 

 

сигнала со0 соответствует некоторая

 

 

 

 

 

 

оптимальная частота накачки, при

 

 

 

 

 

 

которой

 

обменная

температура

/о'

 

\

 

-

 

 

 

отр

 

77Т\

о"к •

 

 

 

10'' 1 10 10Г 10.' 104.

Рис. 4.6.

Рис. 4.5. Зависимость постоянной шумовой температуры отрицательного сопро­ тивления от динамической добротности варакторного диода на сигнальной часто­ те (ось абсцисс), а также от отношения частот накачки и сигнала (ось ординат) для параметрического усилителя с холостым контуром без потерь и варакторным

диодом, находящимся при стандартной температуре

Г Д = 2 9 0 ° К .

Штриховая линия обозначает оптимальное

значение частоты

накачки, при которой обмен­

ная шумовая температура отрицательного

сопротивления минимальна.

Рис. 4.6. Зависимость минимальной обменной шумовой температуры отрицатель­ ного сопротивления от динамической добротности варакторного диода на сиг­

нальной частоте для параметрического усилителя с

холостым контуром без по­

терь и варакторным диодом, находящимся

при

стандартной температуре

Г д = 2 9 0 ° К и при температуре жидкого азота

Т Д = 7 7 ° К .

шума отрицательного сопротивлния достигает минимума. Простое дифференцирование (4.77) по соп и приравнивание производной нулю позволяет [59] определить эту частоту

1 ) На оси абсцисс для удобства нанесения шкалы вместо ш 0 принято о* 0 =

114

 

 

Ш н = и 0

/ l + l ^ . o IS

 

(4-18)

а также предельную температуру

шума

 

 

 

Ттотр =

{1 +

1 Л + К о I2 ) = Тя

.

(4.19)

Очевидно, что выражения (4.18) и (4.19) в результате подобия

(4.16) и

(3.72) идентичны с

соответствующими

величинами (3.74)

и (3.75)

для двухчастотного

преобразователя с

нижней

боковой.

На рис. 4.5 оптимальная частота (4.18) обозначена пунктиром. Гра­ фик зависимости (4.19) приведен на рис. 4.6.

4.3.3.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С ХОЛОСТЫ М КОНТУРОМ

СПОТЕРЯМ И

В случае, когда нельзя пренебречь потерями в холостом контуре (Rt Ф 0) и элементы этого контура работают при температуре Ti} оптимальная частота накачки, обеспечивающая минимальную об­

менную температуру шума

отрицательного

сопротивления,

равна

®тя = со0' Ts±Il£l

/ 1+ | q р .

Z k _

(4.20)

а соответствующая ей минимальная обменная температура шума

определяется следующим

выражением:

 

^ _ ! ^ { 1

+ ^ + 1 т ы Р _ ь _ - } .

( 4 . 2 1 )

Из-за большого числа параметров выражения (4.20) и (4.21) трудно представить в обобщенном графическом виде. В то же время относительно просто [59] представить эти зависимости для некоторых выбранных значений параметров Tt и Rt. Рассмотрим, например, часто встречающийся на практике случай, когда

 

 

Tt = Тя,

 

 

 

(4.22)

т. е. холостой контур работает

при той же самой температуре,

что и

р-п переход. При

этом

получим

 

 

 

 

Т„р

= Тк

(| q0ti |« +

1 + гШ

- 1 -

г,).

(4.23)

Зависимости

(4.20)

и (4.21)

в

этом

случае

упрощаются:

 

 

®1 = Щ У1+

1^, 0 | а /(1+^),

 

(4.24)

Графики зависимостей (4.24) и (4.25) представлены [59] соответ­ ственно на рис. 4.7 и 4.8, где параметром является относительное сопротивление потерь rt холостого контура, а Тж — Ti = 290° К. Как видно из них, увеличение потерь в холостом контуре при задан-

115

ной частоте сигнала (q^0 = const) вызывает в этом случае рост ми­ нимальной обменной температуры шума, которая достигается при уменьшенном значении частоты накачки по отношению к оптимальной частоте накачки, соответствующей холостому контуру без потерь (Rt = 0).

1

 

 

/

 

2,5|«,, •чГ

 

 

 

 

 

 

 

 

1000,

',%,0|

 

 

 

 

 

 

 

2.

 

4%,с

 

 

 

 

0,5

 

1,0

 

 

2,0

1.5

1,0

0,5

 

 

 

i v

r

 

 

Рис. 4.7.

Рис. 4.8.

Рис. 4.7. Зависимость

отношения оптимальной

частоты накачки к сигнальной

частоте, обеспечивающего получение минимальной обменной шумовой темпера­ туры отрицательного сопротивления при холостом контуре с потерями, от дина­ мической добротности варакторного диода на частоте сигнала (ось абсцисс) и от сопротивления потерь холостого контура (параметр) при условии, что холостой контур находится при той же температуре, что и варакторный диод.

Внешние кривые на графике обозначают теоретический предел частот накачки, при которых

возможно получение усиления в усилителе.

Рис. 4.8. Зависимость минимальной обменной шумовой температуры отрицатель­ ного сопротивления от динамической добротности варакторного диода на сигналь­

ной частоте (параметр) при

условии, что холостой контур и варакторный диод

находятся при стандартной

температуре ( Г д = Г , - = 2 9 0 ° К ) .

Рассмотрим еще один пример. Предположим, что холостой кон­ тур, хоть и имеет потери1 ' (Ri Ф 0), но охлажден до температуры аб­ солютного нуля

1 ) Очевидно, что условие не может быть никогда выполнено, однако на прак­ тике можно [32, 33] нагрузить холостой контур без потерь холодным рупором — антенной, направленной в такую точку неба, температура шумов которой очень мала. Цель, которая при этом достигается, заключается в увеличении полосы холостого контура, что часто приводит к расширению полосы всего усилителя.

116

Ti = 0° К, - (4.26) и найдем, как будет влиять сопротивление холостого контура на об­

менную

температуру

 

шума отрицательного сопротивления.

 

При

выполнении

условия

(4.26)

зависимость

(4.13)

сводится

к виду

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Т

1

SjRsl2

\ //

(l/<oo)|Si//?,l2

- l ) ,

(4.27)

 

 

 

+ l C 0 i { l + r t ) ] »

COj ( 1 + Г , -

 

 

3\lifi

2

О>0

№s/

 

Ti=0"K

§ / \

 

 

 

 

 

 

 

0,5

0,67

1,0

2,0

2,0

1,5

',0

0,5

 

 

1й>!"

 

 

Рис. 4.9.

 

Рис. 4.10.

Рис. 4.9. Зависимость

отношения оптимальной частоты накачки к сигнальной

частоте, обеспечивающего минимальную обменную шумовую температуру отри­ цательного сопротивления при холостом контуре с потерями от динамической доб ­

ротности варакторного диода на сигнальной частоте

(ось абсцисс), и от сопро­

тивления потерь холостого контура (параметр) при

условии, что холостой кон­

тур находится при температуре абсолютного нуля

(7\ - =0°К) .

Рис.

4.10. Зависимость относительной минимальной обменной шумовой темпера­

туры

отрицательного сопротивления от динамической

добротности варакторного

диода на сигнальной частоте при условии, что произведение холостой частоты и сопротивления нешумящего холостого контура подобрано оптимально в соот­ ветствии с (4.28).

откуда видно,

что

зависимость

Torv

от со;

(а. следовательно

от

шп ),

а также от Rt

проявляется

исключительно

в виде зависимости

от

про­

изведения COj (1 +

rt).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Затем можно искать минимум [59] обменной температуры

шума

отрицательного

сопротивления

в зависимости

от этого

произведения.

В результате

получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[сог(1 + П ) ] Т

- с о 0

[ /

l + i ^

^ l '

- i ]

,

 

 

(4.28)

Tl,P=Tn{\qUQf+{Y\

 

+ qt,0+

1 ] 2 ) / К о Г У 1

+

|<?*,ог\

(4.29)

117

Из (4.28) следует, что при данном сопротивлении потерь холос­ того контура Ri = const минимум обменной температуры шума (4.29) достигается при выборе частоты накачки в соответствии с формулой

 

С 0 ^ г =const = «о (г, +

] Л +

\Qi,o\2)/ (1 +

г,).

(4.30)

При сон

= const достижение минимума обменной температуры

шума обеспечивает

 

 

 

 

 

RLR=

const = Rs

0 V1 + 1 0f,oI я — »н)/( ш н —

о>о)-

(4.31)

Следует,

очевидно,

помнить,

что

приведенные

рассуждения

справедливы при предположениях (4.3) и (4.9), т. е. когда со„ удовлет­ воряет неравенству

с о 0 < с о н < со0 (1 + \qt,.0\),

(4.32)

которое является необходимым условием возникновения в парамет­ рическом усилителе отрицательного сопротивления. Зависимости (4.30) и (4.31) представлены на общем графике на рис. 4.9.

Из рассмотрения (4.29) следует интересный и интуитивно оче­ видный вывод, что минимальная обменная температура шума отри­ цательного сопротивления в случае холостого контура без потерь зависит только от динамической добротности диода на сигнальной частоте и от температуры, при которой находится р-п переход. Графи­ чески уравнение (4.29) представлено на рис. 4.10. Интересно сравнить этот график с графиком, представленным на рис. 4.8. Из уравнения (4.29) видна целесообразность охлаждения холостого кон­ тура с потерями для получения малых шумов.

4.3.4.ЗАВИСИМОСТЬ М И Н И М А Л Ь Н О Й О Б М Е Н Н О Й ТЕМПЕРАТУРЫ

ШУ М А ОТ М О Щ Н О С Т И НАКАЧКИ

В заключение рассмотрим зависимость этих условий работы усилителя, оптимальных с точки зрения ограничения до минимума шумов отрицательного сопротивления, от мощности накачки. Эта

мощность может быть ограничена либо отсутствием СВЧ

генератора

соответствующей мощности либо невозможностью

приложить] к пе­

реходу

достаточно

большую СВЧ мощность без

его повреждения.

До сих

пор предполагалось, что модуль

первой гармоники

эластанса

| Sx | не зависит от

частоты накачки.

По-существу, эта

зависимость

существует в косвенном виде, так как |5Х | зависит от СВЧ мощности, управляющей р-п переходом, которая обычно не является постоян­ ной из-за указанных причин. В результате в некоторых случаях мо­

жет

возникнуть вопрос, какими критериями следует

пользоваться

при

проектировании данного

параметрического усилителя, чтобы по­

лучить в

нем минимальную

обменную

температуру

шума

отрица­

тельного

сопротивления, если по ряду

причин невозможно

подвести

118

К р-п переходу достаточную мощность на оптимальной (4.18), (4.20) частоте накачки [38]х >.

В основу расчетов положим зависимость (4.17) для обменной тем­ пературы шума отрицательного сопротивления в простейшем пара­ метрическом усилителе с холостым контуром без потерь.

Рассмотрим два наиболее часто применяемых на практике типа переходов — линейный и резкий. Как будет показано (§ 4.4), в боль­ шинстве схем параметрических усилителей обменная температура шума всего усилителя при большом усилении близка к обменной температуре шума только самого отрицательного сопротивления.

Найдем минимум выражения

 

Тд

 

 

со*

\SJRt\*-(o0(Ot

 

e [ | < 7 * , o ] 2 - 0 )

(4.33)

 

 

 

 

 

в

котором

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e =

M i

=

0 D

5

_ 1 >

п р

и ч ш о < е < | ? , 0 | а ,

(4.34)

в

зависимости

от

0

при

условии,

что

 

 

 

 

 

 

k i , o l 2 = | S i l V # S < o ?

(4.35)

является функцией частоты накачки, т. е. при постоянной частоте

сигнала,

квадрат

динамической

добротности

|^,0 |3 зависит от хо­

лостой частоты (т. е. от 0).

 

 

 

 

 

 

 

На основании [38, 59] эту зависимость можно записать для рез­

кого

перехода в

виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l 9 i , o l 3 = W ( l + 0

) 2

 

 

 

(4-36)

и для линейного

перехода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

K ' - i ' - r b j / T F

 

 

 

( 4 ' 3 7 )

где

Р—мощность

накачки,

рассеиваемая

в переходе,

 

 

 

 

Р, =

8Р„(щ/ав^,

 

 

 

 

(4.38)

ю пр=

I

!макс/-^з предельная динамическая

частота,

 

 

 

 

^=139/>*(ш 0 /а> п р )« .

 

 

 

(4.39)

 

х ) Практически частота накачки выбирается меньше оптимальной по мини­

муму шумов усилителя. Это связано

со следующими

причинами:

 

 

минимум оказывается довольно широким и

точное значение частоты

не очень

критично;

 

 

 

 

 

 

 

 

шумы диода являются

только частью шумов

приемного

устройства;

 

— в результате увеличения частоты накачки

увеличивается

мощность,

которую трудно получить, и повышается температура р-п

перехода;

 

 

— в результате увеличения боковой частоты

выше

частоты

параллель­

ного .резонанса уменьшается полоса.

(Прим.

ред.)

 

 

 

 

119

 

Параметр

PN

=

(Uav

+

Ф)2 //?8

имеет

размерность

мощности

и его называют [59] нормализованной

мощностью,

 

причем

Unp

напряжение пробоя

перехода,

а Ф —диффузионный

потенциал.

 

На

Типичная

зависимость

|<7;,0|

от

0

представлена

на

рис. 4.11.

частотах накачки,

лежащих слева

от

величины

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(92 -|- 1) =

а>т/щ,

 

 

 

 

 

 

 

(4.40)

к

переходу

можно

подвести

мощность,

обеспечивающую

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= | 5 1 м а к

0 |

=

const.

 

 

 

 

 

(4.41)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эту

область

значений

ча-

 

 

Область

 

Область

 

стот накачки

назовем

областью

 

 

невозможного

возможного

 

полной

накачки

 

перехода.

Сп­

 

 

усиления

 

усиления

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

рава

от

нее, где

сон > сон г ,

на­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ходится

область

 

неполной

на­

 

 

\сП,о\м

 

 

 

 

 

 

качки перехода,к которой в

за­

 

 

 

 

 

 

 

 

висимости

от

 

.типа

перехода

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

можно применить соотношения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.36)

или

(4.37).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В области

полной

накач­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ки

справедливы

 

условия

мини­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мизации

 

Tmv,

 

 

приведенные в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§ 4.3.1—4.3.3. Для данного р-п

 

 

 

 

 

 

 

м4fo

перехода обычно

известны

сле­

 

 

 

 

 

 

 

дующие

предельные

величины:

 

 

 

(6Z+1)=

 

 

максимальный

эластанс

5 м а к с ,

 

 

 

 

 

 

 

максимальная

 

глубина

моду­

 

Рис. 4.11. Типичная

зависимость

дина­

ляции первой гармоники

М1млкс,

 

мической

добротности

 

варакторного

максимально

допустимая

мощ­

 

диода на

частоте

сигнала

от

отно­

ность

потерь

Р

м а к с ,

а

также

 

 

сительной

частоты

накачки.

величины

РА

и

 

PL в зависимо­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

сти

от

типа' перехода. Подста­

новка этих величин в (4.36) или~(4.37)

позволяет

найти

величину

(0Z

+

1) =

coHZ/co0,

соответствующую точке

излома на рис. 4.11.

 

 

Для резкого перехода она равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(Ogz

( 9 , +

1) =

1

 

 

•j

/

^макс

 

 

 

 

(4.42)

 

 

 

 

=

I 9i,о

Iмакс

V

 

Ps

 

 

 

 

а для

линейного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

( в 2 + 1 )

=

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.43)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ш °

 

 

 

 

|<7г,о|макс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если рассчитанное в § 4.3.1—4.3.3

значение

со,^ удовлетворяет

неравенству

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

« и <

сои г ,

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.44)

то условие (4.11), которое удовлетворяет лишь ранее введенным ус­ ловиям минимизации обменной температуры шума, считается выпол-

120

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ