Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Грабовски, К. Параметрические усилители и преобразователи с емкостным диодом

.pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
14.42 Mб
Скачать

Обменную мощность на выходе усилителя определим из уравне­ ний (4.77), (4.83) и (4.95), которые для выходных клемм усилителя можно свести к виду

ьз = Г в ы х а 3 + bsz, а3 = Г3 /33 ,

b3 = 2 3 1 a s l >

(4.96)

где bs3 — амплитуда волны, бегущей от цепи связи в направлении нагрузки, символизирующая мощность, которая появляется на выхо­ де усилителя в результате наличия источников мощности либо в са­ мой цепи связи, либо на клеммах / и 2. По аналогии с (4.95) и на основании (4.96) получаем

 

 

Р

_

К з | 2

.._

 

 

 

 

 

 

1 е вых

 

1

I г

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

1 —

I -1 вых

I

.

. .

 

 

 

 

 

H s 3 1 i 2 i a s l p | Г У ' М Т . < ' .

 

( 4 - 9 7 )

откуда

обменное усиление

 

 

1 —

I 1 в ы х I

 

 

 

мощности

 

 

 

 

 

 

Ое= 128 1 12 11 -

Г8

Г в ы х

|2 (1 - | Тг |2) / (1 - | ГВ Ь 1 Х

|2 ),

(4.98)

которое

можно с помощью (4.94) преобразовать к виду

 

 

 

Другую форму

соотношения

(4.99)

можно получить,

подставляя

в

него

вместо Г в ы х

его

величину, выраженную

через параметры 2

и

Г схемы. Легко

убедиться

в справедливости

выражения

 

 

 

1 - 1 Гвых I 2

1 Ф S 3

3 Г 3

+ 2 1 з Г | - [ 2 3 3 | 2 (1 - 1 Г 3 | ) 2

 

(4.100)

 

 

 

 

 

Для преобразования знаменателя (4.100) исследуем матрицу

 

 

[1] + [2] [Г] +

[ Г ] + [ 2 ] + - [ 2 ]

{ [ 1 ] - [ Г ]

[Г]+} [2]+,

(4.101)

которую можно преобразовать [25, 59] с помощью (4.87) следующим способом:

[11 + [2] [Г] + [Г]+ [ 2 ] + — [ 2 ] {[ 1 ] - [Г] [Г]+} [2]+

=

= {[11 - 15] [ r ] } - i { [ l ] - [ S ]

[ S ] + } { Ш - [ Г ] +

[S]+}~\

(4.102)

Элемент в третьей строке и третьем стоблце матрицы (4.102) на

основании (4.84) и (4.87) равен

 

 

 

 

 

{ ( [ 1 ] - [ 5 ]

])-1 ( [ 1 ] - [ 5 ] [5]+) ( [ 1 ] - [ Г ] + [ S ] + ) - %

=

= 1 + 2 3 3 Г3 + 2г ; - 1 2 3 1 1 2

(1 - | Г х

| 2

) -

 

- | - 2 , 8 1 2 (1 - | Г 2 1 2 ) - | 23 3 1 2

( 1 - | Г3 12 ).

 

(4.103)

Основываясь

на выражениях

(4.99) —• (4.103),

получим далее

преобразованную формулу для обменного усиления по мощности усилителя:

Q =

I S s i l * U - 1 I'll')

 

е

1 ф 2 3 3 Г 3 ф Е | з Г | _ | 2 3 3 | 2 ( 1 - | Г 3 | 2 )

 

б*

-

131

{ ( [ 1 ] - [ 5 ] [ Г ] ) - М [ 1 ] - [ 5 ] [ 5 ] + ) ( [ 1 ] - [ Г ] + [ 5 ] + ) - i } 3 3 + - М 2 М | а ( 1 - | Г 1 | 2 ) Ч - | 2 3 2 | ( 1 - 1 Г 2 1 2 )

Последнее выражение, хотя алгебраически и сложнее чем (4.98) (4.99), особенно удобно в тех случаях, когда цепь связи ие имеет по­

терь

и выполняется равенство (4.82), приводящее формулу

(4.104)

к

виду

 

 

 

 

 

 

 

 

G . ~

L W U H J A J ! )

.

 

( 4 Л 0 5 )

 

 

 

| S s i l a ( i - | r i | » ) - | s , 2 | « ( \ r a l » - i )

 

 

 

Следует отметить, что в

рассматриваемом

усилителе к

клеммам

2

подключено

отрицательное

сопротивление,

а это

означает, что

2| >

I . При

соответствующим образом подобранном

коэффициенте

отражения Г2 обменное усиление может достигать бесконечно боль­ шого значения, что иллюстрируется приводимыми далее соответствую­ щими примерами.

Для вычисления эффективной обменной температуры шума на входе воспользуемся ранее данным определением. Мощность шума, возникающего внутри цепи связи и выходящего из нее, в соответствии

с определением коэффициентов bsh

в (4.77) равняется

среднему зна­

чению выражения bs] 6J+ и составляет [31, 59]

 

6,1 bs]+ = kTm {[!]

— IS] IS1+-} АД

(4.106)

где Тт — температура теплового равновесия цепи связи, a k — по­ стоянная Больцмана. Кроме того в полную обменную мощность шума на выходе вносят свой «вклад» мощность шумов отрицательного сопро­ тивления, подключенного к клеммам .2 (рис. 4.15), а также мощность шума сопротивления генератора, подключенного к клеммам /.

Обменная мощность шума отрицательного сопротивления имеет отрицательный знак и в соответствии с определением обменной тем­ пературы шума отрицательного сопротивления равна — kT01.v Д/. Поэтому по аналогии с (4.95) можно записать

К 2 | 2 = ( | Г 2 | 2 - 1 ) £ Г о т р Д / = .

(4.107)

Обменную мощность шума на выходе вычислим по формуле

^ ш вых = I ЬЗ Ш Н 1 - Г в ы х Г 3 1 2 / (1 - 1 Г в ы х |»),

(4.108)

причем для расчета мощности шумов на выходе за счет внутренних источников шума усилителя согласно (4.87) и (4.88) получим

Ь

вн = { ( U 1 - [ S I [Г])-1 Ьь]}3 + 2 3 2 as2,

(4.109)

3 ш в н|2 =

{ ( [ И - [ 5 1 [Г])"1

6.1 bs\+ ( [ 1 ] - [ Г ] + [ S ] + ) - 1 } 3 3

+

 

+ |Е3

2 |2 8 2 |а .

(4.110)

Для расчета мощности шума на выходе из-за шумов импеданса, подключенного к входным клеммам, в выражение (4.108) вместо Ьат следует подставить

6 3 ш г = Б 3 1 а з 1

(4.111)

132

или же

| Ь З Ш Г | 2 = |2 3 1 | 2 |Йз 1 |2 .

(4.112)

Наконец, с помощью (4.95), (4.106) — (4.112), получаем для об­ менной температуры шума усилителя

тв0 1*3 Ш DH Р

I ^зш г I "

_ 7\>тр IS32I2 (|Г2 | а - 1 ) + Г ш Щ 1 ] - [ 5 ] [Г])-1 ( [ 1 ] - [ S ] [S]+) ([1] - [ Г ] + [ S ] + ) - 4 s 8

| 2 3 1 | 2 ( 1 - | Г х | 2 )

(4.113)

Используя связь обменной температуры шума и обменного коэф­ фициента шума (4.58), последний может выразить следующим образом:

Г о т р 1 2 3 2 Н 1 Г 2 1 а - 1 ) + Т ш { ( [ 1 ] - [ S ] [ Г ] ) - Ч [ 1 ) - [ 3 ] IS]+) ( [ Ц - [ Г ] + [ S ] + ) - 4 8 ,

r . l S a x I ' O - i r i l " )

(4.114)

Аналогично из выражений (4.104) и (4.113) можно легко вывести формулу для обменного шумового числа усилителя, используя его связь с обменной температурой шума на входе и обменным усилением по мощности (4.60):

 

Ме =

_

Г о т р 1 2 3 2 | ! ! ( 1 Г ! ! р - 1 ) + Г ш ( ( [ 1 ] - [ ^ ] [ Г ] ) - Н [ 1 ] - [ 5 ] [ 5 ] + ) ( [ 1 ] - [ Г ] + [ S ] + ) - 4 „

~

Тв | 2 3 2 1 » (| Г, | 2 - l ) - { [ l ] - [ S ] [ r ] ) - i ( [ l ] - [ S ] [ S ] + ) ( [ 1 ] - [ Г ] + [ S ] + ) - i } 3 3

 

(4.115)

Представляет интерес упрощение приведенных соотношений, ха­ рактеризующих основные параметры усилителя с отрицательным со­ противлением, для случая, когда цепь связи (рис. 4.15) не имеет по­ терь, т. е. когда справедливо условие (4.82). В этом случае

7 , в = 7 ' 0 , р | 2 8 а | » ( | Г в | » - 1 ) / | 2 ! а | » ( 1 - | Г 1 | » ) ,

(4.116)

Готп

^

| 2 3 2

1 2

2 |2

(4.117)

Г + - ^

1

— L

U

Г ^ 2 )

е

Т0

 

| 2 3 1

| 2

 

 

 

Меотр0.

 

 

 

(4.118)

Из зависимостей (4.116) и (4.117) следует общий вывод [59], что чем меньше коэффициент отражения 1\ со стороны цепи связи в на­ правлении генератора или антенны, тем лучше шумовые свойства уси­ лителя1 '. Из (4.118) вытекает еще. один важный вывод, а именно: если

1 1 Параметрический усилитель в этом отношении ничем не отличается от любого другого входного устройства, оптимизированного на согласованный тракт. Если Гх ф 0, то выходное сопротивление генератора в какой-либо пло­ скости отличается от волнового сопротивления линии передачи, на которое оп­ тимизирован усилитель. При этом будет наблюдаться ухудшение шумовых свойств. (Прим. ред.)

133

цепь связи не имеет потерь, то шумовое число усилителя на отрица­ тельном сопротивлении постоянно [62], не зависит от усиления усили­ теля, а обусловлено лишь обменной температурой шума отрицательного сопротивления. Подтверждением этого замечания может быть, на­ пример, соотношение (4.61), выведенное для частного случая цепи свя­ зи, выполненной в виде идеального трансформатора.

4.4.4.В О Л Н О В А Я ФОРМА У Р А В Н Е Н И И ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО

УСИЛИТЕЛЯ

Определим волновые параметры «накачиваемого» емкостного дио­ да, применяемого в схеме усилителя1 '. Для этого с помощью простых алгебраических операций преобразуем модифицированную форму

записи

основной системы

уравнений параметрического

усилителя

(4.1) к

виду, содержащему

волновые параметры, о которых

говорили

в § 4.3. Выполнение этой задачи на конкретном примере дает нам воз­ можность пользоваться волновыми параметрами для описания электри­ ческой цепи, а также позволяет получить в результате частные соотно­ шения для параметров матрицы рассеяния емкостного диода с накач­ кой, работающего в схеме усилителя.

При такой формулировке задачи следует отдавать себе отчет в не­ сколько отличном значении символов в уравнении (4.1), так как Z _ l r . x и Z 0 | 0 обозначают в нем импедансы емкостного диода соответственно на частотах и со0. В соответствии с принципом использования вол­ новых параметров следует на частотах <в0 и и_х ввести нормирующие импедансы Zn0 и Zn_1, которые можно интерпретировать как характе­ ристические для отрезков (или отрезка) линии, из которых образова­ ны «подводы» к р-п переходу емкостного диода. Условие селективно­ сти внешних контуров, вызывающих разрыв цепи для токов с ча­ стотами, отличными от со0 и со^ на р-п переходе, очевидно, остается в силе.

Для замены в (4.1) напряжений и токов соответствующими им падающими (ak) и отраженными (&;,) волнами, отметим, что направле­ ния напряжений и токов в (4.1) согласно рис. 4.2 не соответствует оп­ ределению Uh и I h (4.79) — (4.80), показанному на рис. 4.21. Из сравнения этих зависимостей и рисунков находим:

U.г

= ( о _ ! Z * _ ,

+ 6 _ х Z n _ 0

/ f l

^ + Z Z H

,

(4.119)

 

' . ^ ( b - i

- C i J / V

Z ^

+ Z J U , ,

 

(4.120)

 

tfo=faz*o+&0z„o)/T

 

Z H P I T ,

 

<4 -1 2 1 )

 

/0=(b0-a0)/yZn0

+

Z*n0.

 

(4.122)

! ' Хотя мы

говорим тут только о емкостном

диоде, но

имеем

в виду, что

он работает совместно с селективными цепями.

134

После подстановки этих величин в

(4.1) и

преобразования

полу­

чаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

- 1 /

z t t - l + 2 » - ' z

0

 

 

 

 

 

 

 

1.

 

 

 

 

 

 

 

 

X

 

1 /

nu1

 

 

•^пО

^ 0 , 0

 

Ь 0

 

7

7

1 /

Z

n - l ^ Z " - '

7

 

 

" ^ - 1 , - l — ^ n - 1

I /

7 ^ 7 *

Л - 1

(4.123)

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

Z 0 i

 

Z 0 | 0

Zn o

 

 

 

Последняя форма записи уравнения позволяет определить пара­ метры матрицы рассеяния [5] с помощью умножения обеих частей его на обратную величину квадратной матрицы, находящейся слева от знака равенства. Тогда получаем

 

[S]=

 

 

1-

X

 

 

 

( Z n - i — Z - i ,

- i ) (Zno—z o. о)1

 

(z 0 j 0 - z n 0 ) ( z _ l i . 1 + z ; _ 1 ) + X 7 >

 

 

X

 

 

 

- j X _ l i 0 T / ( Z n 0 + z*0 ) ( Z ^ + Z*_i)

/ ( Z n 0

+ Z*0 ) ( Z ^ + Z*_ ,)

 

 

- j

 

 

 

 

 

 

( Z _ l i _ 1 - Z r t

_ 1 ) ( Z 0 , 0 +

Z*0 )-|-X7i

 

 

 

 

 

 

 

(4.124)

Аналогично

для

обратной

величины

рассеяния

[ S ] - 1 имеем

 

 

 

 

 

1

 

X

 

 

 

 

 

 

 

(•2-1,

- l — Z n

_ x ) (Z0 i 0 +

Z^o) +

 

 

X

 

 

 

+

J X - i , 0 f

( ^ 0 + gjp) ( Z ^ + Z*_ 1)

 

 

+ ZU)

( Z ^ + ZS - ,)

 

 

+ ]X0i_1Y(Zn0

 

 

 

( Z 0 , 0 - Z n 0 ) ( Z _ 1 , _ 1 + Z * _ 1 ) + X - ' (4.125)

В выражениях (4.124), (4.125) использована символика; аналогич­ ная употребленной в (3.15) — (3.16), например

- S x

- 5 _ ! _

\S^

.

(4.126)

' = ^ 0 , - 1 ^ - 1 , 0 =

 

 

C 0 _ i

Ш0

СОоШ-!

Cu0 COj

 

Внутренние шумы емкостного диода учитывают обычно в виде эквивалентных шумовых напряжений Um0 71 Um^lt действующих в контурах, настроенных соответственно на частоты ш0 и со_х . Подстав-

135

ляя эти напряжения в левую часть (4.1) и преобразуя его к виду волно­ вых уравнений, получаем окончательно

 

 

 

 

 

 

1

 

X

 

 

 

 

 

 

(Zn-i — 2 - 1 ,

_ i) (Zno

Z0 ) |,)fXo 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

 

 

- j X _ l i 0

Y(Zn0

+ Z*0 ) ( Z ^ + ZS-,)

 

j X ^ l / ( Z n 0 + Z * 0 ) ( Z n _ 1 - f Z * _ 1 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j Z ^ , _г-1п_г)

( Z n 0 + Z*0 ) +

J

 

 

"(2o,0

2 n 0 )

( 2 n _ i + Z£_ l)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-}X0i.1V(Zm

+ zu)(zn.1

+

zi_l)

 

+

j X 0 , _ 1 K ( Z n 0 + Z * 0 ) ( Z n _ 1 + Z*_1 )

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( 2 - 1 , - 1 — 2 n _ x )

(Zn0 + Z%o).

 

 

 

 

 

 

X

 

 

 

(4.127)

 

 

 

 

 

Vz

 

 

 

 

 

Аналогично

для

обратной зависимости между

параметрами

ап

и 6„ имеем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

i U

^(27

 

1

 

х

 

 

 

 

а0!

J

-1, _ i N^ 72* n -Лi )^ 7(Z0io4Т. -7Zno)* „ 1 1.+V Xo- 1

Л

 

 

" ( 2 - 1 , - 1 — 2 n _ 1 ) ( Z 0

i 0 + Z*jo) + X 7 1

 

 

 

 

X

 

] / ( Z n 0 +

 

+ J * - i , o l A ( Z n 0 + Z * 0 ) ( Z n _ 1 + Z*_1 ) X

 

+ j X 0 | 1

Z*0 ) ( Z ^ +

ZJU.,)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( Z 0 , 0 - Z n 0 ) ( Z _ 1 , _ 1 + Z*_,) + X - ' .

 

' ( — 2 0 i 0 — Z „ o ) ( Z n _ i + Z„ _ i)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ J^-i,o K ( Z n 0 + Z * 0 )

( Z ^ - f Z S - , )

X

+ - j X 0 i _x ] / ( Z n 0 + Z*0 ) ( Z n _ ! + ZJ_,)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( — Z - i . - i — 2 i 5 - i ) (Z n 0 - f - Z £ 0 ) •

 

 

 

 

 

 

X T

Zn~i4-Zn-i

 

(4.128)

 

 

 

 

 

V Zn0-$-Z'n0

J J

 

 

 

Приведенные общие уравнения усилителя могут быть упрощены для ряда случаев. Например, если предположить, что влияние корпуса емкостного диода ограничивается лишь настройкой среднего реак­ танса р-п перехода в резонанс соответственно на частотах со0 и со,-, то

2_1, _1 — Z 0 i о — Rs

(4.129)

136

Если далее принять, что начальный момент времени выбран из условия

Sx = }S, а также 5_х = —}S,

(4.130)

где 5 вещественно1 ', а также принять, что нормирующие импедансы вещественны и одинаковы, т. е.

7

7* •

7

7*

р

•^-пО *«по .

 

Лги

то приведенные зависимости существенно упрощаются:

 

 

 

1

•X

 

 

 

 

 

 

 

©оСО;

- ( Я п - Д в ) 2

 

 

 

 

 

 

Г A n A s

 

— ^ A n

C00

 

X

С00 COj

 

 

 

 

 

S 2

 

2

 

 

 

•Rl-R

 

CO;

 

C00COj

S

 

 

 

 

 

2^?n (^n — A*e)

2 R n

 

 

+

 

 

co0

X

S

 

 

 

2A*„ (A*„ — A* S )

 

—2Rr

У з д ;

 

co0

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

-(Rn

+ Rs)2

 

X

C00 G)i

 

C0

0

6 - i

 

x

 

 

s 2

 

 

2Я„

 

•R'n-Rl

 

 

 

 

 

 

П -(ЯП + Я.)

2 t f „ ^

 

 

+ 2Rn

 

co0

 

 

2Rn{Rn

+ Rs)

 

(4.131)

(4.132)

(4.133)

С помощью этих зависимостей можно характеризовать различ­ ные свойства диода с накачкой. Например, из (4.132) видно, что в соот­ ветствии с определением волновых параметров усиление по мощности для каждой из частот одинаково и составляет

 

 

м

( 5 2 / с о 0 с о ; ) ^ ^ — R l

 

 

I So,о |а — -

(S*m0<i>i)-{Rn-Rs)2'

 

 

 

 

 

 

(4.134)

1

, Н е

следует путать параметры Sn и S с размерностью эластанса с элемен­

тами

Sj - f t

квадратной матрицы [S] коэффициентов рассеяния.

137

Если можно предположить, что

(4.135)

то усиление по мощности на клеммах диода с малыми потерями для каждой из двух частот составляет

|Ь„|«

_ 16,а |а =

(Syoaocoi)-^^,3!

(4.136)

K l J U o

| a - l l a _ ^ 0

( S » / © „ O f ) - / ? n '

 

Подобный вид-выражения для усиления по мощности характерен

для всех усилителей с

отрицательным

сопротивлением.

Циркулятор

упрощает практическое использование усилителя, поскольку только тогда j a 0 | 2 определяет мощность генератора с частотой со„, поступаю­ щую через циркулятор в усилитель, а | 60|2 определяет мощность также с частотой <в0, выходящую из усилителя и поступающую через цирку­ лятор в нагрузку.

4.4.5.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С Т Р Е Х П Л Е Ч И М

ЦИ Р К У Л Я Т О Р О М

Цепь связи, выполненная в виде трехплечего циркулятора и пред­ ставленная на рис. 4.18, имеет матрицу рассеяния

0

0

1

 

[S] = 1

о

о

(4.137)

О

1

о

 

Из выражений (4.137), (4.84) и (4.87) найдем матрицу

 

 

 

1

Г 2 Г 3

Г 3

1

 

 

[ 2 1

=

1

г3

1

(4.138)

 

 

 

 

 

 

Г2

1

r x

r j

Из

выражения

(4.92) следует

 

 

 

 

 

 

 

г в х =

г2 г3 ,

 

 

(4.139)

а из

(4.94)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(4.140)

Выражение для обменного усиления по мощности усилителя, благодаря тому, что цепь связи не имеет потерь и выполняется условие (4.82), приобретает простой вид:

Ge = | Г2 I s (1 - | 1\ |2 )/(1 - j Г А |2 ).

(4.141)

Обменная температура шума усилителя в соответствии с (4.113) равна

Т.

"^отр (I Т\

i V I ^ r ^ i - i r j 2 ) .

(4.142)

138

Очевидно, что шумовое число в этом случае определяется выра­ жением (4.108).

Из обсуждения зависимостей (4.139) — (4.142) получают очень много сведений, необходимых для правильного проектирования уси­ лителя. В частности, из (4.141) и (4.142) следует, что согласование импе­ данса генератора с характеристическим сопротивлением отрезка ли­ нии, образующей входную ветвь (плечо) циркулятора (Гх = 0), ока­ зывается полезным одновременно как для получения большого обмен­ ного усиления по мощности Ge, так и малой обменной температуры шу­ ма. Аналогично, полезное влияние на работу усилителя оказывает получение максимально большого значения модуля коэффициента от­

ражения

| Г2 1 (4.85):

 

 

 

 

 

| Г2 1 =

| (Z2 -

Z n 2 ) / ( Z 2

+ Z*2 ) I ,

(4.143)

где Z 2 =

Z n H (4.4) — импеданс емкостного

диода при

накачке вместе

с холостым контуром, a Z n 2

— характеристическое сопротивление от­

резка линии, образующей плечо 2 циркулятора на рис. 4.14.

Для устранения отражений на входе и выходе усилителя полез­

но также

(4.139) и (4.140),

чтобы

Гх = Г3

= 0, что

не противоречит

указанным условиям, а даже, наоборот, интуитивно понятно исходя

из принципа работы

циркулятора.

 

В правильно спроектированном и выполненном усилителе с иде­

альным трехплечим

циркулятором можно поэтому

получить следую­

щие свойства:

 

 

а) согласование на входе и выходе;

 

б) обменное усиление по мощности

 

 

О в » | Г 2 | я » 1 ,

(4.144)

которое (4.143) в случае резонанса в холостом и сигнальном контурах для вещественного волнового импеданса R n 2 плеча 2 циркулятора со­ ставляет

 

 

Rs +

К п ъ ) I ( — * .

„ . — R s

— # л

';

(4.145)

1 Л « м ч ( К в - Ф - Я | )

" " " '

' " 7 / W M R . + R i )

 

 

 

 

в) эффективная обменная температура

шума на входе

 

 

 

 

 

Те

« Г о т р ,

 

 

 

 

(4.146)

которая (4.13) в случае выполнения упомянутого

условия

резонанса,

а также условия

(4.144), равна

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П о л о в а !

(Яв + Д | ) ] - Я ,

 

 

' К

' •

В предельном случае,

когда холостой

контур

не содержит

потерь

( R t = 0), последнее

выражение

сводится

к уже

известному

(4.17)

виду

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т

_ т

щ

 

|S];/,Rg [a -f (шн—шо)2

 

 

м 148)

 

е

д ш и - о ) 0

ISi//?,!* —(шя —<а0 0

"

 

.

139

В дальнейшем можно найти минимальное значение этого выра­ жения путем выбора оптимальной частоты накачки сон (4.18), в резуль­ тате чего обменная температура шума на входе усилителя достигает значения (4.19)

(4.149)

'

\S1IRS\A

V

mg

Представляет интерес исследовать соотношение (4.145) для уста­ новления зависимости нестабильности усиления dGJGe от нестабиль­ ности dS1/S1 первой гармоники эластанса при воздействии накачки, и тем самым от нестабильности мощности накачки. Если предположить, что усиление Ge велко, то из простых преобразований (4.145) следует зависимость

 

Ge

 

 

 

Эта

зависимость для

dSJSt^

1%

представлена на рис. 7.15

(кривая

2).

 

 

 

Помимо приведенных

для примера

выражений (4.147) — (4.149)

можно механически перенести проведенное в § 4.3 обсуждение шумо­ вых свойств отрицательного сопротивления емкостного диода на случай всего параметрического усилителя, что можно выполнить благодаря соотношению (4.146).

4.4.6.ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ С ЧЕТЫРЕХПЛЕЧИМ

ЦИ Р К У Л Я Т О Р О М

Из приведенных в § 4.4.5 расчетов вытекает тесная связь коэффи­ циентов отражения на входе (4.139) и выходе (4.140) усилителя с иде­ альным трехплечим циркулятором, определяющих согласование гене­ ратора и нагрузки, с коэффициентами отражения Г2 и Г3 со стороны циркулятора в направлении этих устройств. Равенство Г\ = Г3 = 0 не всегда выполняется, особенно когда речь идет об универсальности параметрического усилителя, предназначенного для работы с различ­ ными генераторами (антеннами) и нагрузками (приемниками). В этом случае в качестве цепи связи обычно используется четырехплечий циркулятор (рис. 4.19). В плече 4 такого циркулятора помещена нагрузка, о которой условимся, что при подключении к циркулятору она вызывает появление коэффициента отражения Г4 . Если в даль­ нейшем цепь связи будем считать схемой с тремя парами клемм, то заметим, что теперь она имеет потери, и мы не можем уже пользовать­ ся упрощенной формулой (4.82). Для такой цепи связи, принимая цир­ кулятор идеальным, получим матрицу рассеяния в следующем виде:

0

о

г4

 

[S] = 1

о

о

(4.150)

0

1

о

 

140

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ