![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Электронные устройства релейной защиты и автоматики в системах тягового энергоснабжения
..pdf![](/html/65386/283/html_dOfpcMI61p.0SEj/htmlconvd-GnI0Bo81x1.jpg)
Так как
Uт(х) = и, |
Ti |
|
ТО
/ |
t —x \ |
\ |
X
ис (0 = \ v ( t - x ) U ' m{x)dx = 5 U |
- e |
Т2 |
Tl dx = |
||
= Um{ 1 |
П л |
Tt . |
T2 |
|
( 132) |
---- £ |
1|---------- 6 |
||||
Транзистор полностью откроется при и (t) = |
UK. Полученное транс |
цендентное уравнение общего решения относительно t не имеет. По
этому рассмотрим некоторые частные случаи при |
"2> "i и |
|||||||||||
ч ~ ч- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При Tj>T2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
uc {t) = Um [ |
|
|
|
|
(133) |
||
|
откуда |
по аналогии с выражениями (114) |
и (119) можно получить |
|||||||||
|
|
ho = ч In ~р~~т |
и t,3 = xt In - ^ °-тс |
t |
|
|||||||
тде |
5 Н и |
5отс |
определяются |
соответственно |
выражениями |
(115) и |
||||||
|
( 120). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При Т2>Х! |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
■откуда |
|
|
|
«с(0 = и т{ \ — е ~г), |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
= х21г |
J l , |
-; |
|
|
(134) |
||
|
|
|
|
|
|
|
S „ - l |
’ |
|
|
|
|
|
|
|
4- |
|
1 |
|
|
|
t |
1 |
|
(135) |
|
|
|
h* = |
т2In-------— = |
x2ln -— |
|
||||||
|
|
|
|
|
Eк — т£к |
|
1 |
|
|
|
||
тде |
у < 1 — относительный уровень напряжения на коллекторе; обыч |
|||||||||||
|
|
но у = |
0,9, |
так как здесь |
50гс = 1. |
|
|
|||||
|
Для случая хх= х2 найдем приближенное решение, представив |
|||||||||||
выражение (132) |
в виде |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
«с(0 |
_ |
I 1 12 е |
т2 — i l « е Т, ) _ |
т у (а) |
( 136) |
|||||
|
|
{ У т \ 1 |
< х ц - 1 |
|
/ _ 1 ^ ф(а) * |
|||||||
|
|
|
|
|
||||||||
тде а = — ; <р(а) = e~ta — xt ае |
т‘; |
ф (а) = axj — 1. |
|
|||||||||
|
Тогда |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
П т Ш = |
lim |
|
|
|
|
|
|
|
е |
т' |
|
|
ф(а) |
L V («) |
|
|
|
|
|
|
|
|||
«о |
|
|
*1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Поэтому
И (*) = U т .1 — -Г ~ ~ j е
где Т = tj = ~2-
Приближенное решение этого трансцендентного уравнения можно
—— |
1 |
t |
t2 |
Тогда |
получить, приняв е ~ ~ |
----— + |
|
u(t) = u m[%-,-£)■
t% |
t* |
полУчим: |
|
Полагая |
ПРИ i ^ |
|
|
|
|
|
(137) |
|
*2 з = |
2 |
(138) |
|
«Sotc |
||
|
|
|
Следует отметить, что ток коллектора транзистора изменяется по экспоненте только в частном случае, когда отсутствует насыще ние и отсечка коллекторного тока. Практически форма коллектор ного тока (напряжения) представлена отрезком экспоненты, ко торый приближенно может быть экстраполирован прямой с на клоном касательной к экспоненте базового тока в точке 2 отсечки *ю или при выходе из насыщения ti3 (точка 5, рис. 44, г). Так. для схемы 44, в
|
|
|
|
|
tю |
|
|
|
|
|
|
йк( * ) = ^ е т7. |
|
|
|
||
В этом случае |
|
|
е |
|
[)]. |
|
||
|
(*) = |
.[ V (t х) U'm(•*) dx = |
|
(139) |
||||
« к |
|
t |
|
|
|
|
1/J |
|
|
|
о |
|
|
|
|
|
|
Приняв е |
_ t |
— |
при t < т2, получим |
|
|
|||
~-г |
|
|
||||||
|
|
|
2т2 |
|
|
|
|
|
|
|
*2о — |
£ к |
hi |
|
|
|
(140) |
|
|
Uт z l ~ 2 e ~' |
|
|
|
|||
Как видим, при "i = |
т2 и *1о->-0 |
полученное выражение |
совпада |
|||||
ет с (137), т. е. со случаем, когда |
отсечка базового тока отсутству |
|||||||
ет. Аналогично |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
*2 з — |
|
|
|
|
(141) |
|
При закрытии транзистора *13 определяется |
равенством (128). На |
|||||||
третьем этапе (от точки |
6 до |
7 на |
рис. 44, г) |
/б = 0, |
/ к = |
0 и |
81
происходит свободный заряд конденсатора Ск через резистор /?„ Постоянная заряда при этом х = CKR H, а время
|
|
^33 XIn Ек — £/б' |
|
|
£к — U v |
где |
в' и Ut ~ напряжение на коллекторе, соответствующее точкам |
|
|
6' |
и 7'. |
Напряжение ТЛ' |
можно определить из выражения (139) при t = |
|
= ^2з> |
подставляя <1з вместо <10, а 7/7' = т77к. |
§ 18. Транзисторные схемы повышенной помехоустойчивости
Элемент И-НЕ (И-ИЛИ-НЕ с внешними диодными приставка ми) повышенной помехоустойчивости (рис. 45) системы элемен тов «Сейма» имеет два интегрирующих конденсатора в базовой и коллекторной цепях. Процессы в нем в принципе аналогичны рас смотренным для инвертора с резисторной связью. Некоторые отли чия имеют место лишь для цепи базы. Здесь выражение для uc(t) можно представить в виде
uc {t) = Л' + А"е |
_t_ |
(142) |
Щ |
||
Установившееся значение А' = /'см^ гм |
^ б, |
при этом |
|
Д б т А С М |
|
А" = и с ( 0 ) - А ' ^ 2 £ / дк(£/дс+£/кн) - Д ' = |
|
|
(2 U дк— U дс— U кн ) (R cM ~ h Re) — £ с м ^?см + ( /; б — 2 U дк) |
Re |
|
R e -f- R cm |
|
|
Тогда
uc {t) __ E c m R cm— ( ^ б — ^ ^ £ / д к ) / ? б ,
|
|
Re 4- Rcvi |
+ |
l u KY. и Д •иIн)(-/?СМ + -/?б) -- Е с М ^?См4“ ( ^ б — 2 U дк) Re |
|
|
Re + Rzu |
|
|
|
|
|
X exp |
t (Re + R cm) |
|
Re R cm C |
|
|
|
X
(143)
откуда
^ _C R e R c u Г 1п ( 2 |
U дк—U m - U KH) ( R c u 4- R e ) — E c m R c m -^ i^Ee ■—- 2 U дк)/?б |
Rc 4- Rcm _ |
Re 4- R cm |
- I n E CM R cm — ( ^ 6 2 U д к ) Re |
(144) |
Re + R cm |
|
82
Следует |
отметить, что |
вслед |
|
||||
ствие |
малости 2 |
£/дк — |
— и ки |
|
|||
|
|
|
Е |
R |
|
|
|
по отношению к — —— в схеме |
|
||||||
рис. |
|
|
Re + Л«. |
слу |
|
||
45 в рассматриваемом |
|
||||||
чае tl0 будет меньше, |
чем в схеме |
|
|||||
с резисторной связью [см. выра |
|
||||||
жение (110)]. |
t2o |
может быть рас |
|
||||
Задержка |
|
||||||
считана по формулам (112)—(114) |
|
||||||
путем замены Rc= Re и Ес= Е б— |
|
||||||
- 2 ^ / д к И / с = |
£ б ~ |
/ / ДК • |
Рис. 45Элемент И-НЕ с диодными |
||||
Если также учесть, что R e ^ fe |
|||||||
связями повышенной помехоустой |
|||||||
и Ясм^Л), и принять, что компен |
чивости |
||||||
сирующие диоды Д к идеальны и |
|
закрыты до момента, пока напряжение на них вследствие разряда конденсатора в цепи базы не достигнет величины 2НДК, т. е., пола гая, что динамическое сопротивление диодов Д к гяк^>гвх, то за держки tl3 и tzз могут быть определены с помощью выражений (117) и (119) для инвертора с резисторной связью.
Задержки, вносимые конденсатором коллекторной цепи, также аналогичны соответствующим задержкам в инверторе с резистор ной связью.
Следует отметить, что при включении конденсаторов Ск в мо мент переключения ток коллектора может превысить допустимый. Этого, однако, не произойдет, если правильно выбрано соотноше ние между величиной и скоростью нарастания тока в базовой це пи и емкостью Ск.
Закон изменения тока в базовой цепи (при наличии конденса тора Сб) может быть представлен экспонентой, либо ее отрезком. Точное решение задачи в этом случае приводит к трансцендент ному уравнению, не разрешимому в общем виде. Примем для уп рощения закон изменения тока базы в пределах х\ линейным. При
этом |
|
|
|
М 0 = _ ^ !_ г . |
|
|
(145) |
'Ч |
|
|
|
Тогда, пренебрегая долей тока в резисторе RK, изменение на |
|||
пряжения на конденсаторе Ск можно определить как |
|
||
tic {t) = - ~ \ i 6{t)Bdt= |
|
|
(146) |
Наибольшее значение ток коллектора |
будет |
иметь к |
моменту |
окончания переключения транзистора, т. е. |
к моменту т, когда напря |
||
жение на конденсаторе изменится на Uк. |
Тогда, |
полагая |
«с (0 = |
83
= Uк = Ек, получим т = ] / " ~д’к . Наибольшее значение тока КОЛ- лектора при этом
/к |
'1бт £В> _ |
]I // 2 |
( / к Ск 16т В |
(147) |
;==- Т Г " '= |
V |
|
||
|
|
|
||
Это соотношение дает несколько |
завышенное значение /кмакс, |
так как реальный процесс нарастания тока в базе отличается от линейного. Правильно выбрав входящие в это выражение величи
ны, прежде всего Ск и п, |
можно получить / КМакс в пределах до |
||||
пустимых значений. |
Для |
типового инвертора |
при |
Ск=0,014- |
|
-4-0,005 мкФ и тц =(10-420) 10-6с ток /к макс |
= |
50 мА даже при |
|||
В = 100. |
|
|
системы |
элементов |
|
Триггер повышенной помехоустойчивости |
|||||
«Сейма» состоит из |
двух |
инверторов с резисторными связями |
(рис. 46), каждый из которых содержит конденсаторы в коллек торной и базовой цепях. Однако процесс переключения инверторов в триггере несколько отличается от переключения отдельного ин вертора, так как инверторы в триггере взаимосвязаны.
При запуске положительным импульсом, поступающим на базу открытого транзистора, первоначально базовое напряжение умень
шается |
от Uб™до Пбн |
(или соответствующий |
базовый ток — от |
|||||
1от до /бн). |
По |
аналогии с соответствующим этапом |
в инверторе |
|||||
[см. формулу |
(128)] |
можно показать, что задержка в триггере |
||||||
|
|
|
^13 — |
С |
j |
_______/с + Ауск________ |
|
(148) |
|
|
|
1 |
1 |
/см + /бо + /бн + /пуск |
’ |
||
|
|
|
Г в х + |
R i |
|
|
|
|
где |
/ф — внутреннее сопротивление источника сигнала; |
|||||||
/ п у с к = |
В г |
— пусковой |
ТОК. |
|
|
|
||
R |
|
|
|
Рис. 46. Триггер повышенной помехоустойчивости (а) и диаграмма его пере ключения (б)
84
На втором этапе транзистор 77 выходит из насыщения и на чинает закрываться. Одновременно начинает понижаться потен циал на базе транзистора Т2. Этот этап (7)0) заканчивается, когда
напряжение на конденсаторе (на базе транзистора) достигнет ве личины — U6o.
Процесс изменения напряжения на коллекторе транзистора, как было показано, не является строго экспоненциальным. Получить точное аналитическое выражение, характеризующее процесс от носительно времени переключения, невозможно вследствие нераз решимости сложных трансцендентных уравнений. Для упрощения задачи экстраполируем процесс на коллекторе транзистора экспо ненциальным, приняв за критерий эквивалентности равенство вре мен закрытия транзистора Пз=П (полагая Пз>7зз). Для реаль ного процесса на основании выражения (141)
|
|
|
|
|
|
*13 |
|
|
|
|
|
|
|
|
П з — |
в '■ . |
|
|
|
||
где |
|
Сб |
— постоянная |
времени |
базовой цепи |
в |
активной |
|||
^бо —_L |
||||||||||
|
J_ |
зоне; |
|
|
|
|
|
|||
|
|
Гвх |
R i |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ск |
J_ — постоянная времени коллекторной цепи. |
|
||||||
|
-к |
_1_ |
|
|||||||
|
Для |
Rk |
Rc |
|
|
|
|
|
|
|
|
эквивалентного экспоненциального процесса |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
П = тэ In |
|
|
|
(149) |
||
|
Примем П = ^з> |
тб0>П з, |
е ъ = 1 , |
5H= S ,= T% |
- |
|
1.-5Д- |
|||
-Д—4,0. Получим |
|
|
|
IС--*см |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
(1,15-Д2,5))Лботк |
|
|
(150) |
Тогда, рассматривая процесс включения базовой цепи на экспо ненциальное напряжение, можно определить время По как
По = | / ~ т этбз —(1,5 Д- 2 , 2 ) ' б3у К43 ■ |
(151> |
|
где тбз = — |
---- постоянная времени базовой цепи при закрытом |
|
-о—+-D- транзисторе; |
|
|
ACM |
А С |
|
У = -------------коэффициент эквивалентной кратности |
насыще- |
|
/см+ /бо ния |
|
Для триггера обычно У —2-Д 6.
8 5
Так, для триггера ТГ-4К |
системы «Сейма» |
||
|
<10 = (1,54-2,2) Y |
^ H°S'K"б3 ~ 2,2-4-4,5 МКС |
|
при Тб0^ |
с бг6 = 0,01(10 4-30)10“° = (0,14- 0,3)- 1СГ6 с; |
||
тк « -т ьк |
■- = 0,0068-10-6-1,3-103 = 9-10-6 с; |
||
|
R k |
Rc |
|
Тбз^ |
1 Сб |
1 ■= 0,01 -10-6-1,5-103 = 15-10-6 с; |
|
|
Rk |
Rc |
|
S' = — - — = 6. |
|
||
|
/см + |
/бо |
|
Значения т6о, тк, тбз и S' вычислены при /?с = 1,8 кОм; /?к =
=4,3 кОм; /?см = 9,1 кОм, Ск = 6,8 кФ, Сб = 10 нФ;
Аналогично время t2o (см. рис. 46) можно определить как
<20= ] / ^ - т 'т к. |
- (152) |
Постоянная времени т' базовой цепи транзитора Т2 в активной зоне зависит как от хб0, так и от тк. Практически т б 0 < т к . Тогда
где |
S" = |
-----, кн |
------коэффициент насыщения. |
||
Для полностью нагруженного триггера 5" |
1. |
Поэтому t2o~ 1,4хк. |
|||
Для ненагружейного триггера 5" = 5-ь-Ю. |
Тогда t2o ~ (0,6ч-0,4)тк. |
||||
Так, |
для триггера ТГ-4К По« 20мкс и при ненагруженном триггере |
||||
<2о ~ 6—9 мкс. |
полное время переключения триггера Д<п = <13 + . |
||||
Таким образом, |
|||||
+ По -Ь По = |
8ч-24 |
мкс (при / пу;к > / л 3 ~ |
0)- |
Измерение времени |
переключения реального ненагружезного триггера ТГ-4К показывает,
что Л<п = 13 мкс при Пз = 2 мкс; <13+<ю = 10 мкс, <ю = 8 мкс; t2o = = 3 мкс. Как видим, точность вычисления приемлемая.
Более высокую помехоустойчивость при той же предельной ско рости переключения можно обеспечить в триггере с диодной свя зью (рис. 47). Здесь диоды связи закрываются при относительно небольшом изменении напряжения на коллекторе относительно ну ля. Так, практически диоды связи закрываются в случае пониже ния его до —2 ч- —ЗВ. При этом ток в базе второго транзистора до стигает максимума. Поэтому задержка, вносимая конденсатором
86
коллекторной цепи, |
сказывается |
|
|||||
только в самом начале экспонен |
|
||||||
ты |
нарастания |
коллекторного |
|
||||
напряжения |
и мало |
влияет |
на |
|
|||
общее время переключения. Тог |
|
||||||
да |
при том |
же |
общем времени |
|
|||
задержки, что и в триггере с ре |
|
||||||
зисторными |
связями, |
возможно |
|
||||
увеличить емкость конденсаторов |
|
||||||
коллекторной цепи, что повыша |
|
||||||
ет |
его интегрирующие |
свойства |
|
||||
и, следовательно, помехоустойчи |
|
||||||
вость. Так, |
измерение |
времени |
|
||||
задержки в триггере ТГ-1М пока |
|
||||||
зывает, что |
общая задержка |
пе |
Рис. 47. Триггер повышенной помехо |
||||
реключения, |
равная |
14 |
мкс (пре |
устойчивости с диодными связями |
|||
дельная частота |
10 |
кГц), имеет |
|
место при емкости конденсаторов Ск = Сб = 0,05 мкФ. Как видим,, примерно такая же задержка, как в триггере ТГ-4К достигается при существенно больших емкостях конденсаторов.
§ 19. Улучшенные схемы счетных входов для помехоустойчивых триггеров
В связи с увеличением времени переключения помехоустойчи вого триггера возникает необходимость улучшения импульсно-по тенциальной схемы счетного входа и ее параметров с целью дости жения большего частотного предела работы. Подобной проблемы в низкочастотных непомехоустойчивых схемах не возникало, так как эффективность даже простейших схем обеспечивала необходи мое быстродействие.
На рис. 48 представлено пять различных схем счетного запуска триггера, выполненных с помощью емкостных импульсно-потен циальных схем. Все схемы предназначены для запуска импульсами
с ^ - > 0 (с положительным перепадом).
Схемы рис. 48, а и б очень критичны к длительности пускового импульса. В схеме а пусковой импульс поступает одновременно на оба входа триггера, что препятствует его перебросу. Если же дли тельность входного импульса (сформированного конденсатором С) превысит время разряда опрокидывающих конденсаторов С0, то оба транзистора триггера могут одновременно закрыться и пос ле окончания пускового импульса триггер остановится в случайном положении.
В схеме б с запуском на коллектор диод со стороны открытого транзистора закрыт некоторым отрицательным потенциалом точки а и импульс в первый момент поступает только на коллектор
87
закрытого транзистора. Однако, как только открытый транзистор начинает закрываться, пусковой импульс поступает сразу на оба транзистора (если пусковой импульс еще не окончился). В резуль тате триггер, как и в предыдущем случае, может установиться в случайное положение. Эти причины снижают как надежность, так
ичастотный предел работы схемы.
Всхеме в пусковой импульс поступает всегда только на базу открытого транзистора триггера и работа схемы не зависит от дли тельности пускового импульса. Однако токи разряда и заряда кон денсатора проходят через резистор RK, создавая ток со стороны закрытого транзистора триггера.
Нагрузка со стороны закрытого транзистора является нежела
тельной, так как значительно снижает нагрузочную способность триггера (см. главу II). Для уменьшения этого приходится зна чительно увеличивать сопротивления R, что в свою очередь сни жает частотный предел схемы.
Схема рис. 48, г была разработана для устройств телеуправ ления БНТУ-58 и БСТ-59, а позднее применена в системе элемен тов ДТЛ-62 и «Сейма» (модуль ФС), однако вследствие относи тельной сложности схема использовалась только для образования раздельных входов в триггере. Необходимость повышения частот ного предела относительно медленнодействующих помехоустойчи вых схем создает благоприятные предпосылки для применения ее и в счетном входе. Для этой же цели была разработана достаточно эффективная и более простая схема счетного входа с одним кон денсатором (рис. 48, д).
Рассмотрим процессы разряда и заряда конденсаторов (рис. 49) в триггерах рис. 48, а и д. За условие оптимальности по часто те примем, что конденсатор за время подготовки (паузы, заряда)
/3= -4^-7 при наивысшей частоте импульсов на входе успевает за рядиться настолько, что при последующем разряде обеспечивает импульс на уровне потенциала 0 на базе длительностью tp = t3=^-T (где Т — период наивысшей частоты входных импульсов).
Рис. 48. Схемы образования импульсно-потенциального счетного входа в триггере
88
tp __
Рис. 49. Эквивалентные схемы счетных входов (а), (б) и зависимости ~г~ —
Согласно эквивалентным схемам напряжение на конденсаторе за время t3достигает
и3 = Е к[\ — е |
~ь), |
|
(153) |
|||
где т3 = /?з С. |
|
|
|
|
|
|
Как нетрудно установить, |
конденсатор в схеме перезаряжается от |
|||||
напряжения U3в до Uр. Для |
схемы рис. 49, |
а |
|
|||
|
(Е к + £ с м ) R e t t |
- E |
t |
(154) |
||
UРа |
= Rk+ Rc+ Rzu |
|||||
|
||||||
для схемы рис. 49, б (если диод Д1 открыт) |
|
|||||
гт |
(£к+£см)ЛсМ |
с |
(155) |
|||
^ Рб ” |
Т^К+ ^с)/?Зб . |
„ |
La |
|||
|
||||||
|
Rk-\-Rc-\-Rzt |
см |
|
|
||
Тогда время разряда конденсатора tp до |
момента, когда напря |
жение на базе закрываемого транзистора триггера (точка а) бу дет равно 0, можно представить выражением
|
|
*3 |
|
f3 |
- in _ L ± In £ _ lL _ |
3 |
in 1+ т~ е Тз |
||
to — Lpln |
ьид |
_ |
ДСд |
|
|
|
|
|
£K |
|
|
|
|
(156) |
И |
|
|
|
|
|
Rf |
|
|
(157) |
^3 |
R3 |
|
|
|
|
|
7 |
89