Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Электронные устройства релейной защиты и автоматики в системах тягового энергоснабжения

..pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
11.74 Mб
Скачать

Так как

Uт(х) = и,

Ti

 

ТО

/

t —x \

\

X

ис (0 = \ v ( t - x ) U ' m{x)dx = 5 U

- e

Т2

Tl dx =

= Um{ 1

П л

Tt .

T2

 

( 132)

---- £

1|---------- 6

Транзистор полностью откроется при и (t) =

UK. Полученное транс­

цендентное уравнение общего решения относительно t не имеет. По­

этому рассмотрим некоторые частные случаи при

"2> "i и

ч ~ ч-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При Tj>T2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

uc {t) = Um [

 

 

 

 

(133)

 

откуда

по аналогии с выражениями (114)

и (119) можно получить

 

 

ho = ч In ~р~~т

и t,3 = xt In - ^ °-тс

t

 

тде

5 Н и

5отс

определяются

соответственно

выражениями

(115) и

 

( 120).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При Т2>Х!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

■откуда

 

 

 

«с(0 = и т{ \ — е ~г),

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= х21г

J l ,

-;

 

 

(134)

 

 

 

 

 

 

 

S „ - l

 

 

 

 

 

 

4-

 

1

 

 

 

t

1

 

(135)

 

 

 

h* =

т2In-------— =

x2ln -—

 

 

 

 

 

 

Eк — т£к

 

1

 

 

 

тде

у < 1 — относительный уровень напряжения на коллекторе; обыч­

 

 

но у =

0,9,

так как здесь

50гс = 1.

 

 

 

Для случая хх= х2 найдем приближенное решение, представив

выражение (132)

в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

 

«с(0

_

I 1 12 е

т2 — i l « е Т, ) _

т у (а)

( 136)

 

 

{ У т \ 1

< х ц - 1

 

/ _ 1 ^ ф(а) *

 

 

 

 

 

тде а = — ; (а) = e~ta xt ае

т‘;

ф (а) = axj — 1.

 

 

Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

П т Ш =

lim

 

 

 

 

 

 

 

е

т'

 

ф(а)

L V («)

 

 

 

 

 

 

 

«о

 

 

*1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Поэтому

И (*) = U т .1 — -Г ~ ~ j е

где Т = tj = ~2-

Приближенное решение этого трансцендентного уравнения можно

——

1

t

t2

Тогда

получить, приняв е ~ ~

----— +

 

u(t) = u m[%-,-£)■

t%

t*

полУчим:

 

Полагая

ПРИ i ^

 

 

 

 

(137)

 

*2 з =

2

(138)

 

«Sotc

 

 

 

Следует отметить, что ток коллектора транзистора изменяется по экспоненте только в частном случае, когда отсутствует насыще­ ние и отсечка коллекторного тока. Практически форма коллектор­ ного тока (напряжения) представлена отрезком экспоненты, ко­ торый приближенно может быть экстраполирован прямой с на­ клоном касательной к экспоненте базового тока в точке 2 отсечки *ю или при выходе из насыщения ti3 (точка 5, рис. 44, г). Так. для схемы 44, в

 

 

 

 

 

tю

 

 

 

 

 

 

йк( * ) = ^ е т7.

 

 

 

В этом случае

 

 

е

 

[)].

 

 

(*) =

.[ V (t х) U'm(•*) dx =

 

(139)

« к

 

t

 

 

 

 

1/J

 

 

о

 

 

 

 

 

 

Приняв е

_ t

при t < т2, получим

 

 

~-г

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

*2о —

£ к

hi

 

 

 

(140)

 

 

z l ~ 2 e ~'

 

 

 

Как видим, при "i =

т2 и *1о->-0

полученное выражение

совпада­

ет с (137), т. е. со случаем, когда

отсечка базового тока отсутству­

ет. Аналогично

 

 

 

 

 

 

 

 

*2 з —

 

 

 

 

(141)

При закрытии транзистора *13 определяется

равенством (128). На

третьем этапе (от точки

6 до

7 на

рис. 44, г)

/б = 0,

/ к =

0 и

81

происходит свободный заряд конденсатора Ск через резистор /?„ Постоянная заряда при этом х = CKR H, а время

 

 

^33 XIn Ек — £/б'

 

 

£к — U v

где

в' и Ut ~ напряжение на коллекторе, соответствующее точкам

 

6'

и 7'.

Напряжение ТЛ'

можно определить из выражения (139) при t =

= ^2з>

подставляя <1з вместо <10, а 7/7' = т77к.

§ 18. Транзисторные схемы повышенной помехоустойчивости

Элемент И-НЕ (И-ИЛИ-НЕ с внешними диодными приставка­ ми) повышенной помехоустойчивости (рис. 45) системы элемен­ тов «Сейма» имеет два интегрирующих конденсатора в базовой и коллекторной цепях. Процессы в нем в принципе аналогичны рас­ смотренным для инвертора с резисторной связью. Некоторые отли­ чия имеют место лишь для цепи базы. Здесь выражение для uc(t) можно представить в виде

uc {t) = Л' + А"е

_t_

(142)

Щ

Установившееся значение А' = /'см^ гм

^ б,

при этом

 

Д б т А С М

 

А" = и с ( 0 ) - А ' ^ 2 £ / дк(£/дс+£/кн) - Д ' =

 

(2 U дк— U дс— U кн ) (R cM ~ h Re) — £ с м ^?см + ( /; б 2 U дк)

Re

R e -f- R cm

 

 

Тогда

uc {t) __ E c m R cm— ( ^ б — ^ ^ £ / д к ) / ? б ,

 

 

Re 4- Rcvi

+

l u KY. и Д •иIн)(-/?СМ + -/?б) -- Е с М ^?См4“ ( ^ б 2 U дк) Re

 

Re + Rzu

 

 

 

X exp

t (Re + R cm)

 

Re R cm C

 

 

X

(143)

откуда

^ _C R e R c u Г 1п ( 2

U дк—U m - U KH) ( R c u 4- R e ) E c m R c m -^ i^Ee —- 2 U дк)/?б

Rc 4- Rcm _

Re 4- R cm

- I n E CM R cm ( ^ 6 2 U д к ) Re

(144)

Re + R cm

 

82

Следует

отметить, что

вслед­

 

ствие

малости 2

£/дк —

и ки

 

 

 

 

Е

R

 

 

по отношению к — —— в схеме

 

рис.

 

 

Re + Л«.

слу­

 

45 в рассматриваемом

 

чае tl0 будет меньше,

чем в схеме

 

с резисторной связью [см. выра­

 

жение (110)].

t2o

может быть рас­

 

Задержка

 

считана по формулам (112)—(114)

 

путем замены Rc= Re и Ес= Е б—

 

- 2 ^ / д к И / с =

£ б ~

/ / ДК •

Рис. 45Элемент И-НЕ с диодными

Если также учесть, что R e ^ fe

связями повышенной помехоустой­

и Ясм^Л), и принять, что компен­

чивости

сирующие диоды Д к идеальны и

 

закрыты до момента, пока напряжение на них вследствие разряда конденсатора в цепи базы не достигнет величины 2НДК, т. е., пола­ гая, что динамическое сопротивление диодов Д к гяк^>гвх, то за­ держки tl3 и tzз могут быть определены с помощью выражений (117) и (119) для инвертора с резисторной связью.

Задержки, вносимые конденсатором коллекторной цепи, также аналогичны соответствующим задержкам в инверторе с резистор­ ной связью.

Следует отметить, что при включении конденсаторов Ск в мо­ мент переключения ток коллектора может превысить допустимый. Этого, однако, не произойдет, если правильно выбрано соотноше­ ние между величиной и скоростью нарастания тока в базовой це­ пи и емкостью Ск.

Закон изменения тока в базовой цепи (при наличии конденса­ тора Сб) может быть представлен экспонентой, либо ее отрезком. Точное решение задачи в этом случае приводит к трансцендент­ ному уравнению, не разрешимому в общем виде. Примем для уп­ рощения закон изменения тока базы в пределах х\ линейным. При

этом

 

 

 

М 0 = _ ^ !_ г .

 

 

(145)

 

 

 

Тогда, пренебрегая долей тока в резисторе RK, изменение на­

пряжения на конденсаторе Ск можно определить как

 

tic {t) = - ~ \ i 6{t)Bdt=

 

 

(146)

Наибольшее значение ток коллектора

будет

иметь к

моменту

окончания переключения транзистора, т. е.

к моменту т, когда напря­

жение на конденсаторе изменится на Uк.

Тогда,

полагая

«с (0 =

83

= Uк = Ек, получим т = ] / " ~д’к . Наибольшее значение тока КОЛ- лектора при этом

'1бт £В> _

]I // 2

( / к Ск 16т В

(147)

;==- Т Г " '=

V

 

 

 

 

Это соотношение дает несколько

завышенное значение /кмакс,

так как реальный процесс нарастания тока в базе отличается от линейного. Правильно выбрав входящие в это выражение величи­

ны, прежде всего Ск и п,

можно получить / КМакс в пределах до­

пустимых значений.

Для

типового инвертора

при

Ск=0,014-

-4-0,005 мкФ и тц =(10-420) 10-6с ток /к макс

=

50 мА даже при

В = 100.

 

 

системы

элементов

Триггер повышенной помехоустойчивости

«Сейма» состоит из

двух

инверторов с резисторными связями

(рис. 46), каждый из которых содержит конденсаторы в коллек­ торной и базовой цепях. Однако процесс переключения инверторов в триггере несколько отличается от переключения отдельного ин­ вертора, так как инверторы в триггере взаимосвязаны.

При запуске положительным импульсом, поступающим на базу открытого транзистора, первоначально базовое напряжение умень­

шается

от Uб™до Пбн

(или соответствующий

базовый ток — от

1от до /бн).

По

аналогии с соответствующим этапом

в инверторе

[см. формулу

(128)]

можно показать, что задержка в триггере

 

 

 

^13 —

С

j

_______/с + Ауск________

 

(148)

 

 

 

1

1

/см + /бо + /бн + /пуск

 

 

 

Г в х +

R i

 

 

 

где

/ф — внутреннее сопротивление источника сигнала;

/ п у с к =

В г

— пусковой

ТОК.

 

 

 

R

 

 

 

Рис. 46. Триггер повышенной помехоустойчивости (а) и диаграмма его пере­ ключения (б)

84

На втором этапе транзистор 77 выходит из насыщения и на­ чинает закрываться. Одновременно начинает понижаться потен­ циал на базе транзистора Т2. Этот этап (7)0) заканчивается, когда

напряжение на конденсаторе (на базе транзистора) достигнет ве­ личины — U6o.

Процесс изменения напряжения на коллекторе транзистора, как было показано, не является строго экспоненциальным. Получить точное аналитическое выражение, характеризующее процесс от­ носительно времени переключения, невозможно вследствие нераз­ решимости сложных трансцендентных уравнений. Для упрощения задачи экстраполируем процесс на коллекторе транзистора экспо­ ненциальным, приняв за критерий эквивалентности равенство вре­ мен закрытия транзистора Пз=П (полагая Пз>7зз). Для реаль­ ного процесса на основании выражения (141)

 

 

 

 

 

 

*13

 

 

 

 

 

 

 

П з —

в '■ .

 

 

 

где

 

Сб

— постоянная

времени

базовой цепи

в

активной

^бо —_L

 

J_

зоне;

 

 

 

 

 

 

 

Гвх

R i

 

 

 

 

 

 

 

 

Ск

J_ — постоянная времени коллекторной цепи.

 

 

_1_

 

 

Для

Rk

Rc

 

 

 

 

 

 

 

эквивалентного экспоненциального процесса

 

 

 

 

 

 

 

П = тэ In

 

 

 

(149)

 

Примем П = ^з>

тб0>П з,

е ъ = 1 ,

5H= S ,= T%

-

 

1.-5Д-

-Д—4,0. Получим

 

 

 

IС--*см

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(1,15-Д2,5))Лботк

 

 

(150)

Тогда, рассматривая процесс включения базовой цепи на экспо­ ненциальное напряжение, можно определить время По как

По = | / ~ т этбз —(1,5 Д- 2 , 2 ) ' б3у К43

(151>

где тбз = —

---- постоянная времени базовой цепи при закрытом

-о—+-D- транзисторе;

 

ACM

А С

 

У = -------------коэффициент эквивалентной кратности

насыще-

/см+ /бо ния

 

Для триггера обычно У —2-Д 6.

8 5

Так, для триггера ТГ-4К

системы «Сейма»

 

<10 = (1,54-2,2) Y

^ H°S'K"б3 ~ 2,2-4-4,5 МКС

при Тб0^

с бг6 = 0,01(10 4-30)10“° = (0,14- 0,3)- 1СГ6 с;

тк « -т ьк

■- = 0,0068-10-6-1,3-103 = 9-10-6 с;

 

R k

Rc

 

Тбз^

1 Сб

1 ■= 0,01 -10-6-1,5-103 = 15-10-6 с;

 

Rk

Rc

 

S' = — - — = 6.

 

 

/см +

/бо

 

Значения т6о, тк, тбз и S' вычислены при /?с = 1,8 кОм; /?к =

=4,3 кОм; /?см = 9,1 кОм, Ск = 6,8 кФ, Сб = 10 нФ;

Аналогично время t2o (см. рис. 46) можно определить как

<20= ] / ^ - т 'т к.

- (152)

Постоянная времени т' базовой цепи транзитора Т2 в активной зоне зависит как от хб0, так и от тк. Практически т б 0 < т к . Тогда

где

S" =

-----, кн

------коэффициент насыщения.

Для полностью нагруженного триггера 5"

1.

Поэтому t2o~ 1,4хк.

Для ненагружейного триггера 5" = 5-ь-Ю.

Тогда t2o ~ (0,6ч-0,4)тк.

Так,

для триггера ТГ-4К По« 20мкс и при ненагруженном триггере

<2о ~ 6—9 мкс.

полное время переключения триггера Д<п = <13 + .

Таким образом,

+ По -Ь По =

8ч-24

мкс (при / пу;к > / л 3 ~

0)-

Измерение времени

переключения реального ненагружезного триггера ТГ-4К показывает,

что Л<п = 13 мкс при Пз = 2 мкс; <13+<ю = 10 мкс, <ю = 8 мкс; t2o = = 3 мкс. Как видим, точность вычисления приемлемая.

Более высокую помехоустойчивость при той же предельной ско­ рости переключения можно обеспечить в триггере с диодной свя­ зью (рис. 47). Здесь диоды связи закрываются при относительно небольшом изменении напряжения на коллекторе относительно ну­ ля. Так, практически диоды связи закрываются в случае пониже­ ния его до —2 ч- —ЗВ. При этом ток в базе второго транзистора до­ стигает максимума. Поэтому задержка, вносимая конденсатором

86

коллекторной цепи,

сказывается

 

только в самом начале экспонен­

 

ты

нарастания

коллекторного

 

напряжения

и мало

влияет

на

 

общее время переключения. Тог­

 

да

при том

же

общем времени

 

задержки, что и в триггере с ре­

 

зисторными

связями,

возможно

 

увеличить емкость конденсаторов

 

коллекторной цепи, что повыша­

 

ет

его интегрирующие

свойства

 

и, следовательно, помехоустойчи­

 

вость. Так,

измерение

времени

 

задержки в триггере ТГ-1М пока­

 

зывает, что

общая задержка

пе­

Рис. 47. Триггер повышенной помехо­

реключения,

равная

14

мкс (пре­

устойчивости с диодными связями

дельная частота

10

кГц), имеет

 

место при емкости конденсаторов Ск = Сб = 0,05 мкФ. Как видим,, примерно такая же задержка, как в триггере ТГ-4К достигается при существенно больших емкостях конденсаторов.

§ 19. Улучшенные схемы счетных входов для помехоустойчивых триггеров

В связи с увеличением времени переключения помехоустойчи­ вого триггера возникает необходимость улучшения импульсно-по­ тенциальной схемы счетного входа и ее параметров с целью дости жения большего частотного предела работы. Подобной проблемы в низкочастотных непомехоустойчивых схемах не возникало, так как эффективность даже простейших схем обеспечивала необходи­ мое быстродействие.

На рис. 48 представлено пять различных схем счетного запуска триггера, выполненных с помощью емкостных импульсно-потен­ циальных схем. Все схемы предназначены для запуска импульсами

с ^ - > 0 (с положительным перепадом).

Схемы рис. 48, а и б очень критичны к длительности пускового импульса. В схеме а пусковой импульс поступает одновременно на оба входа триггера, что препятствует его перебросу. Если же дли­ тельность входного импульса (сформированного конденсатором С) превысит время разряда опрокидывающих конденсаторов С0, то оба транзистора триггера могут одновременно закрыться и пос­ ле окончания пускового импульса триггер остановится в случайном положении.

В схеме б с запуском на коллектор диод со стороны открытого транзистора закрыт некоторым отрицательным потенциалом точки а и импульс в первый момент поступает только на коллектор

87

закрытого транзистора. Однако, как только открытый транзистор начинает закрываться, пусковой импульс поступает сразу на оба транзистора (если пусковой импульс еще не окончился). В резуль­ тате триггер, как и в предыдущем случае, может установиться в случайное положение. Эти причины снижают как надежность, так

ичастотный предел работы схемы.

Всхеме в пусковой импульс поступает всегда только на базу открытого транзистора триггера и работа схемы не зависит от дли­ тельности пускового импульса. Однако токи разряда и заряда кон­ денсатора проходят через резистор RK, создавая ток со стороны закрытого транзистора триггера.

Нагрузка со стороны закрытого транзистора является нежела­

тельной, так как значительно снижает нагрузочную способность триггера (см. главу II). Для уменьшения этого приходится зна­ чительно увеличивать сопротивления R, что в свою очередь сни­ жает частотный предел схемы.

Схема рис. 48, г была разработана для устройств телеуправ­ ления БНТУ-58 и БСТ-59, а позднее применена в системе элемен­ тов ДТЛ-62 и «Сейма» (модуль ФС), однако вследствие относи­ тельной сложности схема использовалась только для образования раздельных входов в триггере. Необходимость повышения частот­ ного предела относительно медленнодействующих помехоустойчи­ вых схем создает благоприятные предпосылки для применения ее и в счетном входе. Для этой же цели была разработана достаточно эффективная и более простая схема счетного входа с одним кон­ денсатором (рис. 48, д).

Рассмотрим процессы разряда и заряда конденсаторов (рис. 49) в триггерах рис. 48, а и д. За условие оптимальности по часто­ те примем, что конденсатор за время подготовки (паузы, заряда)

/3= -4^-7 при наивысшей частоте импульсов на входе успевает за­ рядиться настолько, что при последующем разряде обеспечивает импульс на уровне потенциала 0 на базе длительностью tp = t3=^-T (где Т — период наивысшей частоты входных импульсов).

Рис. 48. Схемы образования импульсно-потенциального счетного входа в триггере

88

tp __

Рис. 49. Эквивалентные схемы счетных входов (а), (б) и зависимости ~г~

Согласно эквивалентным схемам напряжение на конденсаторе за время t3достигает

и3 = Е к[\ — е

~ь),

 

(153)

где т3 = /?з С.

 

 

 

 

 

Как нетрудно установить,

конденсатор в схеме перезаряжается от

напряжения U3в до Uр. Для

схемы рис. 49,

а

 

 

(Е к + £ с м ) R e t t

- E

t

(154)

UРа

= Rk+ Rc+ Rzu

 

для схемы рис. 49, б (если диод Д1 открыт)

 

гт

(£к+£см)ЛсМ

с

(155)

^ Рб ”

Т^К+ ^с)/?Зб .

La

 

 

Rk-\-Rc-\-Rzt

см

 

 

Тогда время разряда конденсатора tp до

момента, когда напря­

жение на базе закрываемого транзистора триггера (точка а) бу­ дет равно 0, можно представить выражением

 

 

*3

 

f3

- in _ L ± In £ _ lL _

3

in 1+ т~ е Тз

to Lpln

ьид

_

ДСд

 

 

 

 

£K

 

 

 

 

(156)

И

 

 

 

 

 

Rf

 

 

(157)

^3

R3

 

 

 

 

7

89

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ