книги из ГПНТБ / Электронные устройства релейной защиты и автоматики в системах тягового энергоснабжения
..pdfПолагая |
где |
^P = R PC, |
получим для схемы рис. 49, а |
|||
Ек |
|
|
|
1 |
|
|
|
7?ра |
— |
1 |
|
|
|
|
1 |
|
|
|||
|
|
|
R k + R c |
Rcu |
|
|
для схемы рис. 49, |
б |
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
1 |
' |
|
|
/?рб = |
|
j |
1 |
||
|
|
R k~\- R c |
R m |
R зб |
|
|
Зависимости 4= = /(4 М , |
представленные на |
рис. 49, в, показы- |
||||
вают, что при определенных условиях tp> t3 (если предположить, что длительность входных импульсов' не ограничивает это соотноше ние, т. е. tK> ta). Эго позволяет для схемы рис. 49, б достигнуть предельной частоты переключения, которая обеспечивается схемой
рис. 49, а. Так, при т3 = (3=5+3 |
и 7 = 0,44-0,5 отношение |
|
|
|||
«1,5-М ,6. |
|
|
|
tp = t3 |
в схеме |
|
Тогда для получения оптимального соотношения |
||||||
рис. 48, а возможно увеличить зарядное сопротивлениеR 33= |
13 |
RP3. |
||||
•* |
|
|
|
|
|
|
В схеме рис. 49, б необходимо обеспечить |
Iз , откуда |
|||||
Тогда |
R f, - |
£ Я,„. |
|
|
|
|
t3 |
1,5 = 1,6 |
|
|
|
|
|
R33 _ |
2,5 = 3,0. |
|
|
|
||
R ib |
tP |
0,5 = 0,6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
^3 |
|
|
|
|
|
Таким образом, обе схемы обеспечивают предельную скорость переключения. Однако сопротивление цепи заряда в схеме б в 2,5—3,0 раза меньше. Следует отметить, что каждый открытый транзистор триггера ( с учетом того, что он одновременно нагру жен на счетный вход триггера следующего разряда) несет нагруз-
КУ 2 2=2 5— [с Учетом того, что при разряде конденсатора на
пряжение на резисторе R3 со стороны закрывающегося транзисто ра следующего триггера равно £k+L/k;=k: (1,24-1,5) Ек]. В схеме а
нагрузка равна-j- R3. Таким образом, при предельно достижимой частоте общая нагрузка в схеме б в 2,8 — 3,7 раза больше, чем в
схеме а. При некотором снижении частотного |
предела в схеме б |
можно достигнуть более благоприятной нагрузки, увеличив R3б. |
|
Следует также отметить, что счетные входы, выполненные по |
|
схемам рис. 48, г и б , создают нагрузку со |
стороны открытого |
транзистора триггера, что также является большим преимущест вом этих схем по сравнению со схемой рис. 48, б.
ПУСКОВЫЕ ОРГАНЫ
IV |
РЕЛЕЙНОЙ ЗАЩИТЫ |
|
§ 20. Транзисторные нуль-индикаторы
Нуль-индикатор (НИ) представляет собой устройство, реаги рующее на отклонение уровня сигнала от нулевого значения либо устанавливающее равенство нулю разности уровней двух величин. Точность сравнения, чувствительность нуль-индикатора AUH (зона нечувствительности) определяются разностью Ux1 и Ux2 либо от личием Ux от нуля, при которых происходит срабатывание НИ.
Применение транзисторных схем позволяет существенно повы сить чувствительность НИ по сравнению, например, с нуль-индика- торами на электромеханических реле. Так, даже в простейших транзисторных схемах AUn составляет десятые доли вольта.
В качестве наиболее простого двухпозиционного НИ, способно го устанавливать равенство Ux нулю, может быть использован тран зистор с заземленным эмиттером (рис. 50). Если напряжение на входе Ux отрицательно и превышает величину падения напряжения на переходе открытого (насыщенного) транзистора Uбн, то транзи стор открыт. Переход из закрытого состояния в открытое и наобо рот происходит плавно (нескачкообразно). Поэтому надежно за крытым транзистор считают, если потенциал на его базе равен или выше (для транзисторов ти па р-п-р) напряжения надежного
закрытия Uб3, определенного для наихудшего образца при наибо лее высокой температуре. В этом случае очевидно, что транзистор будет надежно закрыт, если
Ux > U бз (при Uбз>0) и
I Ux I < [ £/бз | (при £/вз < 0).
Транзистор—прибор, управляе мый током, поэтому для насыщения
его, кроме |
выполнения |
условия |
|
||
Ux >U6a, в |
цепи |
базы |
нужно |
|
|
создать ток /бН, необходимый для |
|
||||
его насыщения: |
|
|
Рис. 50. Схема простейшего двухпо |
||
г |
I КН |
|
(158) |
зиционного нуль-индикатора на тран- |
|
|
зисторе с заземленным эмиттером (а) |
||||
/ бн = |
Т = |
Я к в |
|||
|
' и его характеристика вход—выход (б) |
||||
Ток / бн на внутреннем сопротивлении источника сигнала создает падение напряжения
Д///д„ = /бн Rl |
• |
|
В цепи базы также протекает ток / к0. |
Если фиксировать |
равен |
ство Ux = 0 по моменту насыщения транзистора UK= UKн, |
то для |
|
цепи базы будет существовать следующее соотношение: |
|
|
UX = Д//н = U 1 ( s n Rl /ко/?/. |
0^9) |
|
Так как в данном случае / к0 способствует открытию транзистора, |
||
наименьшей чувствительность будет при 1КО=0: |
|
|
Д//но = //бн +/бн /?/ = //бн + -g- /?/• |
(160) |
|
Если фиксировать равенство Ux—0 по моменту закрытия и учесть, что //бн и //бз имеют разные знаки, что свойственно германиевым транзисторам, то закрытие произойдет при
Д / / н з = Z/ б з т / к о / ? ( . |
(1 6 1 ) |
|
Если же //бн и Z/бз имеют |
одинаковые знаки |
при кремниевых |
транзисторах, то |
//б з-/к о /?/. |
(162) |
Д//„з = |
||
Зону нечувствительности нужно устанавливать по большей из ве личин Д//„0 и Д//нз.
Мощность источника сигнала, необходимую для управления нульиндикатором, определяют при Ri = /?„:
( 1 6 3 )
где Ес — э. д. с. источника сигнала.
Внутреннее сопротивление источника сигнала нельзя выбирать про извольно, так как от него зависит погрешность. Если принять, что погрешности/бз/?/ и / к0/?< должны быть равны погрешности от U(н, то Ri можно определить как меньшую величину из следующих равенств:
U бн . |
Г) |
__ U бн |
( 1 6 4 ) |
|
/?/,= — |
; |
Ki,— ~ |
||
/ бн |
|
|
J ko |
|
Выбирать сопротивления Ri меньше этих значений нецелесооб разно, так как погрешность схемы уменьшится незначительно (оста ется погрешность от / / бн), но увеличивается мощность источника сигнала.
Оценим чувствительность нуль-индикатора, выполненного на германиевом тран зисторе. Для германиевых сплавных транзисторов малой мощности U б н = — ( 0 ,1 5 ч -
ч - 0 ,3 ) В; ( 7 б з = 0 ч - 0 , 1В. |
Так /к о с учетом повышения |
температуры |
и старения |
может достигать 0 , 2 — 0 , 3 |
мА, наименьшее значение / ки составляет единицы милли |
||
ампер, так как при меньших значениях сильно уменьшается В и / Кн |
становится |
||
соизмеримым со сквозным током / Кэо (обычно / Кэ о > / к о ) . |
Наименьший коэффициент |
||
9 2
усиления с учетом старения для широкого интервала |
температур обычно |
невелик |
|||||||
(около 10). Если принять /к н = 1 - 5 - 2 |
мА, то при .8 = |
10 / б н = 0 ,1 - 5 - 0 ,2 мА. |
Тогда |
||||||
Rn |
U бн |
0 ,1 5 -4- 0 , 3 |
(0,75 |
н- 3,0) 10“ 3 Ом; |
|
||||
/ бн |
|
|
= |
|
|||||
|
|
(0,1 -5 -0,2) 10“ 3 |
|
|
|
|
|||
|
Ri 2 |
U бн |
|
0 ,1 5 - 5 - 0 ,3 |
(0,5-5-1,5) 10~3 Ом. |
|
|||
|
(0 ,2 -5 - 0,3) 10“ 3 |
|
|||||||
|
|
/ко |
|
|
|
|
|||
Примем величину э. д. с. |
источника; |
|
|
|
|
||||
Тогда |
|
|
7;с = 7/бн4-/бн7?г |
~ 2 Г/бн- |
|
||||
(2<7бн)2 |
|
[2 (0,15-5-0,3)]2 |
|
|
|
||||
Р1 |
|
( 1 ,0 -5-10) 10-5 Вт, |
|
||||||
47?и |
|
|
|
« |
|
||||
|
4(0,75-5-3,0) 10~3 |
|
|
|
|||||
|
|
(2Пбн): |
__ [2(0,15-5-0,3)р |
(3-5-30)10 °Вт. |
|
||||
|
|
4/?г2 |
|
|
|
« |
|
||
|
|
“ 4(0,5-5-1,5)10’ |
|
|
|
||||
Для кремниевого сплавного транзистора малой мощности; |
|
||||||||
В „im = |
7-l-8; |
Iко макс = |
(10—т—30) мкА; |
Нбн ^ 0,4-5-0,6 В; |
|
||||
Пбз = 0,2^0,3 В.; |
/Кн = |
0,5-1-1,0 мА; |
/он = 0,06ч-0,15 мА. |
|
|||||
Тогда |
|
|
(0 ,4 -5 - 0 ,6 ) |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
103 Ом; |
|
|||
|
|
(0,06 -5 -0,15) |
(3,5-ИО) |
|
|||||
|
|
1 0 - 3 |
|
|
|
|
|||
|
|
_ |
|
(0 ,4 -5 - 0,6) |
(1-1-6) 104 Ом. |
|
|||
|
|
Ri2 |
|
|
= |
|
|||
~ ( 1 0 - 1 - 3 0 ) I Q " 6
Соответствующие мощности Р i = (1-1-10) 10~5 Вт и Р2 = (0,5-1-3) 10-5 Вт.
|
R‘ ^1 |
|
входе равным Uб0. В этом слу |
||||
|
|
чае |
транзистор |
открывается |
|||
Ulf+UrI |
h i JL h z |
\uxz+uiZ |
при |
t/BX< 0 и закрывается при |
|||
Uso. Однако полную компенса |
|||||||
|
|
|
цию осуществить таким спосо |
||||
|
|
|
бом невозможно, так как на |
||||
|
|
|
пряжение £/бо при |
изменении |
|||
Рис. 52. |
Эквивалентная схема дифферен |
температуры |
меняется иначе, |
||||
циального нуль-индикатора с генерато |
чем |
падение |
напряжения |
на |
|||
ром тока в цепи эмиттеров |
|
компенсирующем диоде. |
|
||||
|
|
|
от |
||||
|
|
|
Более целесообразна в |
||||
ношении компенсации погрешностей схема нуль-индикатора на ос нове дифференциального усилителя с эмиттерной связью (рис. 51), на выходе которого включен более грубый нуль-индикатор.
Предположим, что для срабатывания нуль-индикатора в схеме рис. 51 необходимо создать между точками а и б разность напря
жений |
|
|
|
|
U n a |
RnlRl |
R k2Ik2i |
(165) |
|
где / ki, / К2 — коллекторные токи транзисторов. |
|
|||
В транзисторах / к = а/э, где |
а — коэффициент усиления транзисто- |
|||
ра в схеме с общей базой: а = |
у -^ , |
так как а ~ 1, |
то приближен |
|
но можно считать / к1 ~ / Э1; |
1к2 ~ / э2- |
|
|
|
Для эквивалентной схемы (рис. 52) методом наложения нахо дим:
|
|
R i l R i2 |
, |
AUs |
|
B ' n |
R t 1+ R ' i 2 |
|
R i l + R i2 |
|
■^эГ |
R 'n |
1 |
A Us |
|
R n ' |
Д3, + Д3, |
R n + R i2 |
|
где |
W s = Uxl + U s i - ( U x2 + Us2), |
|||
(166)
(167)
(168)
Rn, Ri2 — внутренние сопротивления источников сигналов, приведен ные к эмиттерным цепям транзисторов Т1 и Т2:
|
Rn= |
|
Ri2 = |
Rl2 |
|
(169) |
|
|
■D1 |
В2 |
|
||||
|
|
|
|||||
Ви В2— коэффициенты усиления |
по току транзисторов Т1 и 72 в |
||||||
схеме с общим эмиттером. |
|
|
|
||||
Подставляя выражения (166) и (167) в (165), получим |
|
||||||
7/, |
7эв * ki В2 |
Л>Е RK2 Bj t |
AUs RiC |
AUs |
. (170) |
||
R\ + R2 |
Rx+ R2 |
Ri+ R2 |
Ri+ R2 |
||||
|
|
||||||
94
Решая уравнение (170) относительно A(7s и учитывая условия (169), получим
ALI* =■ |
Д£/к |
R\Bi~\~ R2B2 |
I Э2 |
R k\R2B\ -- R k2.R \В2 |
(171) |
|||||
R k\-\-Rk |
В1В2 |
|
R kI~\-Rk2 |
ВiВ2 |
|
|
||||
С другой стороны, пользуясь выражением |
(168) |
и учитывая, что |
||||||||
U s i = U cw+ I koR i — и 61 |
И |
T / S 2 = |
^ / с н - Ь / к о 2 /?2 |
— |
^ 6 2 , |
ПОЛУЧИМ |
|
|||
|
Д Н S = U XI — U Х2 + ( Д 01 R \ — / К027?2) |
|
( t 7 б! |
U 62). |
( 1 7 2 ) |
|||||
Тогда выражение для порога |
срабатывания |
НИ |
с дифференци |
|||||||
альным усилителем будет иметь вид |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
M l |
|
А' U k |
X i Bj + R t B i _ . |
|
||||
|
|
жсра6 |
Rki +Rk2' |
Я,9* |
|
|
|
|
||
------ _ i?K^,B,-gK!M L __ (/koi/?i__ / K02/?2)+ (f/6l- |
Нб2). (173) |
|
||||||||
Полагая отклонения |
параметров от номинальных |
значений |
|
|||||||
7?кь Т?к2. 7?/i , T?i2, Да малыми, а параметров |
|
Д2, / Koi, Д 02, Пен, |
||||||||
7/бэ2 большими и принимая для упрощения Дк1 = R к2 = Дк и /?д = |
||||||||||
= /?г2= |
7?г, выражение (173) с учетом погрешностей из-за разброса |
|||||||||
и изменения параметров в результате старений и изменения темпера туры можно представить в виде
U лгсраб Т" Д Т /хсраб |
Uпн Ri |
|
1 |
||
2Rk |
В 2 |
В 1мин/ |
|||
|
|
||||
На Ri / |
1 |
I |
(7KOl МИН |
7ко2 макс) R i |
|
|
В 2 |
>1 мин/ |
|
|
|
4- ( U 6i макс — |
U 62мин) + |
A \ k U ни + |
Л г Д / Д 4 - Л 3Д Д I + Л 4Д / з а , ( 1 7 4 ) |
||
где Ль Л2, Л3, Л4 — коэффициенты влияния погрешностей параметров схемы на погрешность порога срабатывания НИ с дифференциальным усилителем:
|
|
_ |
d U х сраб |
R i |
f |
1 |
, |
1 |
\ . |
||
|
|
1 _ |
д [/т ~ 2 R A В 1 ^ В2) ’ |
||||||||
|
-А2 |
|
лг сраб |
|
U ЕМR i |
/ |
1 |
~Г |
|||
|
|
|
dRK |
|
2 Rl |
U |
i |
|
|
||
Дз — |
х сраб |
(Jim |
f 1 |
, 1 |
/ э £ |
l |
1 |
|
1 |
) (7koi / ко2); |
|
dRi |
2 К \ Т х ~ в 1 |
|
2 |
l |
в 2 |
|
в |
||||
|
|
л 4 = |
d U х |
сраб |
Ri. |
М |
|
|
в |
|
|
|
|
|
dial: |
2 |
\ |
В2 |
|
|
|||
Из формулы (173) следует, что погрешность срабатывания нуль-индикатора можно уменьшить, применив транзисторы с оди наковыми параметрами В, 1К0. Погрешность также можно умень шить, увеличив В, RKи уменьшив внутреннее сопротивление источ ника сигнала Ri. Но вместе с тем при уменьшении Ri растет мощ-
9а
ность источника сигнала, а при его увеличении резко возрастает погрешность срабатывания.
Оценим чувствительность |
нуль-индикатора с дифференциальным усилителем на |
||||||||||||
кремниевых сплавных транзисторах. |
Примем |
порог |
чувствительности грубого НИ, |
||||||||||
включенного на его выходе, |
t /ни ~ |
0,3В; |
5макс = 50; Вмин = 7+8; /к о м а к с = Ю + - |
||||||||||
-ч-ЗОмкА; |
Дг/бэ=0,2-ЬО,4В; / эе=1 |
мА; |
/?к= 6,8 кОм. Пусть Ы7Ни=30%, |
bRK= |
|||||||||
=10%; |
Д / ? г = Ю % ; |
5/эе= 10%— относительные |
погрешности |
вследствие |
изме |
||||||||
нения температуры и старения. |
Определим коэффициенты влияния: |
|
|
||||||||||
|
А1 |
Ri |
|
|
|
|
|
= 0,012 • 10-3Дг; |
|
|
|||
|
2 -6 ,8 |
- IB* |
7 |
|
50 |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
0,3 Rj |
I |
1 |
, |
_1_\ |
|
|
|
|
|
||
|
2 2-6,82- |
1(Г6 |
\ |
7 |
^ |
|
— 0.02 -10 -6 Rr, |
|
|
||||
|
50 j |
|
|
|
|
|
|||||||
|
0,3Rj |
/J _ |
1 \ |
|
М О -2/ |
1 |
— 30- 10-e= 0,102-10-3; |
||||||
2-6,8 • 1(Г3 \ 7 + |
50 J |
|
|
2 |
Uo |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
= 0,06 Ri. |
|
|
|
|
|
Тогда t/.vr сраб + |
|
0,3 R j i |
1 |
М |
l -КГ3 |
(J_ |
|
X |
|||||
Д t/j: сраб |
|
|
|
|
50 J |
|
2 |
\ 50 |
7 |
||||
|
|
|
2 • 6,8 V 7 |
|
|
||||||||
X R i + 0 ,03-1(Г3 /?г + 0,4+ 0,012 - 1(Г3 Я г-0,3 -0,3+ |
0,02 -1(Г6 Я г-0,1 + |
||||||||||||
|
+0,102-1(Г 3-0 ,1 + 0 ,06 Я г-0,1 = 0,41+0,1 |
• 10“ 3 Яг- |
|
|
|||||||||
Более высокую чувствительность можно получить в нуль-инди- каторе на двух кремниевых диодах, включенных в цепи обратных связей транзисторного усилителя (рис. 53). В такой схеме чувстви тельность выше, так как обратные токи диодов несколько меньше, чем транзисторов.
Диод Д1 включен в цепь положительной обратной связи уси лителя, диод Д2 — в цепь отрицательной. При Ux<.U0Tl (где U0п — опорное напряжение) диод Д2 открыт, Д1 — закрыт, действует отрицательная обратная связь. Коэффициент усиления усилителя недостаточен для его возбуждения. При Ux>U 0n открывается ди од Д1 в цепи положительной обратной связи, а диод Д2 закры вается (к нему приложено обратное напряжение), коэффициент усиления повышается и усилитель возбуждается, что соответствует срабатыванию нуль-индикатора.
Коэффициент усиления усилителя с обратными связями можно
представить в виде
_ _____Ку_____
1 + Р о с К у ---К°сКу ’
где Ну = |
—- коэффициент усиления усилителя без |
учета |
|
обратных связей; |
|
?ос= j-—j |
= --;с отр — коэффициент отрицательной обратной |
связи; |
С/ ВХ |
i в ы х |
|
Тсс = -j j ° ^ |
= -7^°- — коэффициент положительной обратной связи. |
|
96
дет |
Лйодная схема сравнения бу |
|
|||||
находиться |
в |
|
равновесии, |
|
|||
если |
|
|
|
|
|
|
|
|
и х + и л1= и оп+ и л2. |
|
|||||
|
При равенстве прямых па |
|
|||||
дений напряжения на |
диодах |
|
|||||
Д1 |
и Д2 и обратных токов ди |
|
|||||
одов схема будет |
находиться в |
|
|||||
равновесии при нулевом вход |
|
||||||
ном напряжении Ux= 0. В дей |
|
||||||
ствительности |
диоды |
имеют |
|
||||
разброс |
в прямых |
падениях |
|
||||
напряжения даже при |
одина |
|
|||||
ковых токах, протекающих че |
|
||||||
рез -них. Так, для кремниевых |
|
||||||
сплавных |
диодов |
эта |
разница |
|
|||
при токах, измеряемых едини |
Рис. 53. Схема нуль-индикатора на двух |
||||||
цами микроампер, |
может до |
кремниевых диодах в цепях обратных |
|||||
стигать |
0,1В. |
У планарных |
связей усилителя |
||||
кремниевых диодов, |
выполнен |
|
|||||
ных в одном кристалле, она может быть существенно меньше. Раз бросом прямых напряжений на диодах и будет определяться чувст вительность схемы. Разброс обратных токов диодов также приво дит к снижению чувствительности, так как для его компенсации необходимо соответственно изменить входное напряжение.
Для нормальной работы нуль-индикатора ток смещения должен быть больше максимального обратного тока диода при наибольшей температуре (для кремниевых диодов больше 0,1—1 мкА).
Мощность срабатывания нуль-индикатора при этом можно оп ределить как
Рср = 0,1В(0,1 -М) 1СГ6А = (0,1 - 1) 1(Г7 Вт.
Как видим, мощность срабатывания такого нуль-индикатора су щественно меньше, чем в рассмотренных выше схемах.
§ 21. Схемы сравнения электрических величин по уровню
с транзисторными нуль-индикаторами
В технике релейной защиты и автоматике широко используются схемы, в которых осуществляется сравнение непрерывной электри ческой величины с другой непрерывной или дискретной (постоян ной) величиной. В релейной защите частот применяют сравнение переменных токов, напряжений либо их геометрических сумм. При этом различают схемы сравнения величин по уровню и фазе. В первом случае наиболее широкое применение получили схемы
4—8264 |
97 |
Рис. 54. Схемы сравнения по уровню токов (а) и напряжений (б)
сравнения токов и напряжений. Переменные напряжения (токи) предварительно выпрямляют; выпрямительные узлы входят в схе му сравнения и играют в ней важную роль (рис. 54, а б).
В схеме сравнения токов нуль-индикатор включают в диагональ моста, образованного выпрямителями, имеющими выходные напря
жения Ui |
и U2, И |
резисторами |
и R2- При |
ток в нуль- |
||
индикаторе направлен от базы к эмиттеру, |
при |
■Г\1 |
< ^ ~ от эмитте- |
|||
|
|
|
|
|
Нъ |
|
ра к базе, |
а в том |
случае, когда ^ |
= ~ |
ток |
в нуль-индикаторе |
|
равен нулю.
В схеме сравнения напряжений нуль-индикатор образует пос ледовательную цепь со встречно включенными источниками напря жений U\ и U2. В случае U\>U2 ток в нуль-индикаторе направлен
от базы к |
эмиттеру, при Н2 > £ / 1 — от эмиттера к базе и равен |
нулю при |
Ui = U2. |
Применение транзисторных нуль-индикаторов в рассмотренных схемах позволяет повысить их чувствительность и точность.
Рассмотрим схему сравнения токов (см. рис. 54, а), в которой в качестве нуль-индикатора использован транзистор с общим эмит-
98
тером. Пусть условие U2> U Xс гарантией фиксируется открытым (насыщенным), a U2< U 1 — закрытым состоянием транзистора. Тогда условие U2—U\ может осуществляться в произвольной точке активной зоны. Если допустить, что обратная связь в нуль-индика- торе отсутствует, то в открытом и закрытом состояниях транзистор может находиться только под воздействием внешнего сигнала.
Для транзистора |
на границе насыщения |
согласно рис. |
55, а |
|||||
можно записать |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
/1 + 1б — / 2 — До = 0- |
|
(175) |
|||
Так как / к0 |
способствует открытию транзистора, худшим |
будет |
||||||
случай, |
когда / ко=0. |
Тогда /е = /бн и |
|
|
||||
|
|
|
/1 + |
/ |
бн |
— / 2 — 0 . |
|
(176) |
Для |
закрытого транзистора, |
полагая / бн = 0, |
имеем |
|
||||
|
|
|
71 |
12 |
/ко = 0. |
|
(177) |
|
Уравнения (176), (177) можно представить в виде |
|
|||||||
|
кф1 U 1— У д 1 + £ / б о , /кн |
|
Кф2 U2 £ /д2 |
£/бо |
(178) |
|||
|
|
~Ri |
^~В |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|||
|
1 |
1 — £ /д 1 + *УбЗ |
/ |
|
^ф2 U2 -- £7д2 --£/63 |
(179) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
^кэ
где КфЬ Кф2 — коэффициенты, |
показывающие зависимость |
между |
||||
входными и выходными напряжениями выпрямителей; |
||||||
Uu U2— амплитудные значения сравниваемых |
напряжений |
на |
||||
входе выпрямителя; |
выпрямителя |
(для |
||||
Т/д — падение |
напряжения на диодах |
|||||
мостовой схемы равно удвоенному |
прямому падению |
|||||
напряжения на диоде). |
|
|
ампли |
|||
Если «ф = 1 , то на выходе выпрямителя устанавливается |
||||||
тудное значение напряжения. |
Во всех других случаях Кф < 1 |
и яв |
||||
ляется функцией |
(Um— амплитудное значение |
напряжения |
на |
|||
U т |
|
|
|
|
|
|
входе выпрямителя). Примем для простоты л-ф1 = лгф2== 1.
В схемах сравнения с одной входной переменной величиной одно из напряжений, например U2, принимают постоянным. Это напряже ние формируется из стабилизированного напряжения постоянного тока
U2 ~ Uоп* Поэтому составляющая, |
вызванная падением напряжения, |
||||
Т/д2= 0. Тогда из выражений для момента, |
когда U x = |
t/cp, |
имеем: |
||
U cP = ^ |
U o n + i/д, - |
U6o(R; + R-2)- - |
; |
(180) |
|
t/cp = |
I 1 U0„ + Ua - |
U63 (RD'± |
- 2)+ f K0Ri. |
|
(181) |
|
A 2 |
Д 2 |
|
|
|
4 * |
99 |