Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Электронные устройства релейной защиты и автоматики в системах тягового энергоснабжения

..pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
11.74 Mб
Скачать

Рассмотренные факторы ускоряют процессы по сравнению с тепловым старением и могут быть учтены введением дополнитель­ ного члена S(P3j-i) в уравнение Аррениуса

_Е_

 

^ = 5(Я эл)Ае г .

(14)

В данном случае Т — результирующая температура

перехода,

определяемая как окружающей температурой, так и рассеиваемой

вприборе мощностью.

Внекоторых случаях, обычно при испытаниях приборов новых конструкций, проводят испытания циклированием мощности. Это более эффективный способ выявления скрытых дефектов, чем хра­

нение при температуре или испытание с постоянной нагрузкой. При таких испытаниях становятся более вероятными механические отказы, вызванные различием коэффициентов температурного рас­ ширения и сжатия деталей, а также давлением находящихся вну­ три корпуса газов, которые периодически расширяются. При циклировании мощности увеличивается усталость соединений, выяв­ ляются слабые места в спаях и сварных швах, что может привести к повреждению корпуса и нарушению герметичности. В литерату­ ре отмечаются более резкие изменения обратного тока коллектор­ ного перехода при циклировании мощности, чем при испытаниях в режимах с постоянной нагрузкой. При испытаниях с циклированной нагрузкой даже в случае более низких температур перехода транзисторы стареют скорее, чем при испытаниях с постоянной на­ грузкой.

Наиболее близки к реальным условиям испытания в режиме пе­ реключения. В этом случае, кроме воздействия температуры, на­ пряжения и токов, транзисторы и диоды, как и в реальных схе­ мах, подвергаются перегрузкам во время переходных процессов. Однако такие испытания трудоемки и требуют специального обо­ рудования.

Для того чтобы можно было распространить результаты уско­ ренных испытаний на нормальные условия, необходимо определить зависимость интенсивности старения от температуры и мощности рассеяния. Так как процесс старения в нормальных условиях про­ текает очень медленно, то практически такие зависимости могут быть определены только для области высоких нагрузок (темпера­ туры, мощности). Экстраполяцию к нормальным режимам можно осуществить лишь в значительной степени приближенно, так как всегда существует вероятность того, что в нормальных условиях в течение длительного времени и при относительно кратковремен­ ных повышенных нагрузках могут преобладать различные воздей­ ствующие факторы; различными будут и причины отказов. Напри­ мер, различно ускоряющее влияние температуры на процессы кор­ розии сварного соединения корпуса и процессы на поверхности кристалла транзистора (рис. 14). Так, имеются большие выбросы тока /1;о у транзисторов, хранившихся при комнатной температуре,

20

6)

 

 

 

FIS)

1--- ’

 

 

 

О,В

 

 

 

г

 

 

 

ОМ

 

 

 

1

 

 

 

о,г

 

 

 

Г-

го

зо

о-о

в

ю

Рис. 14. Интегральные кривые распределения /ко (а) и В

(б) транзисторов П13,

прошедших хранение в течение 60-103 ч при Т—20°С

(штриховые кривые),

и

начальные значения (сплошные кривые)

 

 

 

 

хотя изменения /ко и В у основной массы транзисторов

незначи­

тельны. Эти выбросы /ко могут быть объяснены нарушением гер­ метичности корпуса. Аналогичные выбросы в случае хранения в условиях повышенной температуры при. пересчете времени к нор­ мальной температуре происходят при существенно большем вре­ мени хранения, что лишь подтверждает различие причин отказов.

Рассмотрим возможность экстраполяции результатов ускорен­ ных температурных испытаний к нормальному режиму. В общем случае исследуемый параметр транзистора является функцией мно­

гих переменных

 

 

г = Ц хи х2,

хп).

(15)

Изменение этого параметра в процессе старения является след­

ствием изменения каждой из переменных:

 

 

2?н + Аг = ф (xih + Л*!, Дх2н т Дх2,.., х ПП“Г дХп),

(16)

где z„,

Хщ — начальные значения параметров;

 

Az;

AXi — изменения параметров в процессе старения.

 

Положим, что Az<CzHb AXj<C*i- Тогда разложив уравнение (16) в ряд Тейлора (пренебрегая членами второго порядка малости) и

вычтя (15),

получим

 

 

 

 

 

 

Дг =

д<\>(х\,

Х2,

Хп)

А х г

(X 1, Х2,

Хп) Дх2

 

 

 

d x i

 

 

дхг

 

 

 

,

# ( * 1,

XI.........х.п)

Л v

(У 1,

*2, ••• , Хп)

ДXf.

(-17)

^

------------дх~п

 

"

г=1

дхс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Разделив полученное выражение на (15), получим относительное изменение исследуемого параметра при старении:

А г

^

d'6(xi, Х2 ,..., х п)

_____ xi______

Ахг

(18)

~ Г

~ Md

dxi

ф (XI,

х2,..., Хп)

Xi

 

 

i = 1

 

 

 

 

 

 

 

 

Д у .

 

 

 

Коэффициенты, стоящие перед

X i— ,

показывают роль (вес)

каждого отдельного процесса в изменении исследуемого параметра.

21

Знак перед коэффициентом может быть как отрицательным, так и положительным, т. е. возможны процессы, приводящие как к дегра­ дации, так и к улучшению параметра.

В общем случае (при двухзнаковых процессах), если заранее не известны законы изменения от ускоряющих факторов каждого из этих процессов, даже приближенная экстраполяция ускоренных испытаний к нормальному режиму невозможна. Однако опыт соз­ дания различного рода приборов, устройств, машин и др. показы­ вает, что еще не было таких изделий, которые улучшали бы свои полезные характеристики в процессе эксплуатации (если не счи­ таться с отдельными относительно кратковременными процес­ сами) .

Поэтому принцип, на основе которого построены дальнейшие выводы, сформулируем следующим образом: воздействия на при­ бор в процессе испытания и длительность их настолько значитель­ ны, что все процессы, приводящие к улучшению характеристик, за­ кончились в начальной стадии и можно считать, . что в течение испытаний происходят лишь процессы, приводящие к деградации параметров (например, к уменьшению В и увеличению /ко). Ско­ рость многих реальных физико-химических процессов в функции температуры подчиняется экспоненциальному закону Аррениуса. Поэтому при экстраполяции результатов ускоренных испытаний в условиях повышенной температуры к нормальному режиму целесо­ образно воспользоваться именно этим законом.

Пусть изменения в результате старения исследуемого парамет­ ра являются следствием одного единственного химического процес­ са, подчиняющегося закону Аррениуса [см. формулу (13)]. Если известны скорости изменения параметра при Т\ и Т2>Т\, то коэф­ фициент ускорения процесса при повышении температуры до Т2 будет

 

/ аг \

_ в {тГт)

 

 

\Ж12 __ tm

(19)

 

tdz \

 

 

 

 

 

Vdt) 1

 

 

В том случае,

когда изменение температуры Л Г=Т 2—Т\

неве­

лико (т. е. когда

Т1^ Т 2м Т ), данное выражение можно предста­

вить, как

 

Е\Г

 

 

£ЛТ_

 

 

= еTiTs

Т2

( 20)

 

— е8ЛГ

t \\2

При этом, если известны результаты испытаний за время tn в условиях высокой температуры Т, может быть найдено необходи­ мое время испытаний tnx при другой температуре ТЖ<Т:

(21)

22

Таким образом, в рассматриваемом случае экстраполяция воз­ можна.

Если скорость изменения исследуемого параметра является функцией нескольких п независимых процессов, то, используя раз­ ложение в ряд Тейлора, аналогично рассмотренному выше, разде­ лив выражение (17) на А/ и перейдя к бесконечно малым, ее мож­ но представить как

dz

v i d i 'C n .

Xi, ... , Хп)

dxi

_

V * Л

a~ f

(22)

dt

~ 2 d

dxi

' dt

~

2 d

1

 

Возможны два случая: когда А х~ А2~...«А л = Аа; Ег -

« Еп = Ей и когда АХФ А2Ф ...

Ап',

Ехф Е 2ф ...Еп.

В первом случае функция может

быть представлена как

dz

пЕ0

Е

.

=

Ае

d T =

nAot

 

 

т. е. приводится к виду выражения (13), и, следовательно, экстрапо­ ляция возможна.

Во втором, наиболее общем случае, если неизвестны отдельные составляющие процессов, относительно точная экстраполяция невоз­ можна. Так, если экстраполяцию осуществлять с помощью закона Аррениуса, то для однознаковых процессов наибольшая ошибка будет при I = 2 и в случае, когда один из процессов не ускоряется темпе­ ратурой, т. е.

%■= Ахе ~ ^ + А2е~Г».

Пусть Е 1<^Е2, коэффициенты ТЦ > О, А2 > 0,

Е !

Тогда

^— > 0.

 

 

g - ^ Д + Л е Ч

 

(2 3 )

С

некоторым

приближением

к этому выражению

можно свести

в ограниченном интервале изменений 7

и случай, когда i > 2. При

этом

все составляющие могут быть разбиты на две группы с малы-

ми и

большими

значениями Е.

При

Е

первая группа может

j — >0

 

m

 

n —m

Е

 

быть сведена к 2

Л/, вторая группа—к

А^е

7И и, следовательно,

к случаю, когда действительна формула (13).

Такое

приближение

достаточно грубо, но оправдано тем, что обеспечивает

минимальное

ускорение в то время, как реальное ускорение процессов выше. Пусть изменение параметра г происходит в соответствии с урав­

нением (22), а экстраполяция к меньшим температурам осуществлена в соответствии с уравнением Аррениуса. В этом случае наибольшая ошиб­ ка будет при условии, что испытания проводятся в интервале температур 7 И1 и 7'и2 при 7 „г > 7 „1 > 7 0, где роль зависящего от температуры

23

_ Е±

процесса существенно больше роли независящего, т. е. А2е т"> Ли а экстраполяция осуществлена к температуре ТХ< Т 0 (зона, в ко­ торой роль независящего от Т процесса выше). При этом температура

Г0 определяется из условия

Аг = А2е

т°, откуда

 

 

 

Т0

 

 

 

Поэтому коэффициент

уско ения

для

интервала

Ги2 > ТУЛ> Т 0

при изменении температуры от Т И1 до

Ги2

будет

 

 

 

£(г и2- ги1)

 

Ку

е

и2 _ е

тя2 ги1

(24)

 

 

£ — К

 

 

 

е

Очевидно, что в интервале Т < Г 0 коэффициент ку=^0. В этом случае ускорение процесса старения при изменении температуры от Тх до Т„2 будет происходить только в диапазоне температур от То до Ти2. Тогда наибольшая возможная ошибка экстраполяции

е

£(Г0- Г Д

т0

 

(25)

Е ( Т м — Тх)

6 ТК2 гX

Эта ошибка может исчисляться величинами нескольких порядков. Поэтому, если, кроме результатов испытаний при повышенной тем­ пературе, нет никаких других данных, характеризующих процесс старения, то более или менее точная экстраполяция к низким тем­ пературам невозможна. Это дает основания для сомнений в целе­ сообразности ускоренных испытаний даже при однознаковых про­ цессах, т. е. когда все процессы приводят к деградации. Вместе с тем в тех случаях, когда непосредственные испытания вследствие медленности процессов или большой сложности проведения их не­ возможны, ускоренные испытания являются единственным средст­ вом, позволяющим получить определенную полезную информацию об изменении параметров приборов в процессе старения. Так, коэф­ фициент ускорения, полученный при испытании в области высоких температур [выражение (24)], может быть принят в качестве наи­ меньшего и при экстраполяции к рабочим температурам. Хотя возможно, что при низких (нормальных) температурах параметр будет изменяться вследствие другого процесса, скорость изменения не может быть больше полученной при испытании.

24

§ 6. Выбор расчетных параметров транзисторов на основе испытаний

Если допустить,

что и к< и КДОп, а Рк<Л(дош то для расчета

схемы необходимо

осуществить оптимальный

выбор взаимосвя­

занных параметров / кн, Пкн,

Bv, а также /ко-

Пусть на / кн не на­

кладываются ограничения

со стороны внешней нагрузки, тогда

можно /Кн и UKH выбрать так, чтобы получить наибольшее значе­ ние В в рабочем диапазоне температур. Далее определяют рас­ четную величину Вр. По заданной верхней границе вероятности Рв появления наихудшего (по параметру В) образца определяется необходимая выборка для испытаний. Если известно Рв, число об­ разцов т, у которых определяемый параметр в процессе испыта­ ний может выйти за пределы допуска, доверительная вероятность а0 и примерное отношение min, то из (10) следует

Если выборка оказывается неприемлемо большой, ограничивают ее на удобном уровне и определяют для нее Рв. Целесообразно принять т = 1 (наихудший образец). Далее проводят испытания на старение согласно изложенному в § 5 в течение времени /и с коэф­ фициентом ускорения по отношению к нормальному режиму ку; при этом верхняя граница параметра потока отказов Хв по наихуд­ шему образцу будет

>.» = ~

( 2 6 )

Ку I и

 

 

Обычно величина кв задана; тогда по предполагаемому значе­ нию Ky ta определяют Рв, а затем необходимую выборку п. После

этого

производят

измере­

в

 

ния

В

при

заданном

0 Кн

 

для

двух крайних

темпе­

 

 

ратур

(например,

 

+60

 

 

и —40°С)

и разных значе-

 

 

НИИ /кн* При разных значе­

й»лщх

 

ниях /кн и разных темпера-

 

турах

наихудшими

могут

вр

 

быть

 

различные образцы.

 

 

Поэтому

строят

кривые

 

 

5 н =

/ ( / к н ) ;

при t/KH= const,

 

 

Т — const для обобщенного

 

 

наихудшего образца в усло­

 

 

виях крайних значений тем­

Рис. 15. Кривые зависимости B =

f(IKE) при

ператур (рис.

15).

 

 

£7кн=const и Т = const для обобщенного

Далее

проводится

кри­

наихудшего образца при Тmax

(кривая /)

и Тmin (кривая 2), а также для диапазона

вая 3

(огибающая к /

и 2)

температур (кривая 5)

 

25

В = /(/кн)

при UKn= const для обобщенного наихудшего образца

в заданном диапазоне температур.

На уровне Д р (0 ,8 - = - 0 ,9 ) В Н макс

проводят

прямую, параллельную

горизонтальной оси; точки пе­

ресечения ее с кривой 3 и определяют оптимальный диапазон токов /кн.

Если полученная вероятность появления наихудшего образца Рв оказалась недостаточной, то на расчетный параметр целесооб­ разно ввести коэффициент запаса. При этом, сохранив те же гра­

ницы /Кн, нужно уменьшить расчетное значение Вр в к3 раз

(к3

коэффициент запаса).

 

Следует отметить, что, вводя даже относительно небольшие за­

пасы (к3 = 2ч-3 раза), можно существенно снизить Рв

либо

уменьшить выборку.

 

Действительно, пусть распределение исследуемого параметра подчиняется нормальному. Выберем отношение так, чтобы

- £ = 1 ~ F 0(a),

где Fо (а) — нормированная функция распределения при нормальном законе;

_ ifj!— £2— нормированное наихудшее значение z„ параметра z, найденное при испытании. Удобно принять величину

а= 1, 2, 3...;

г— среднее экспериментальное значение г;

а— среднее квадратическое отклонение.

Тогда

Рв(а)

1 - Г

(а)

nRi [т\ — ; «о

R. (т;

«о)

Если на параметр а ввести коэффициент к3, то вероятность появ­ ления образца с параметрами, худшими к3а, будет равна [1—F0{x3a)]

1— Fо(л-з^)

и, следовательно, понизится в к = —;— г? раз по отношению к

1 — Го (#;

значению, полученному опытным путем.

Тогда верхняя граница появления образца с параметрами, худ­

шими к3а, будет

 

 

 

 

 

 

1— F0(K3a) _

l —F0(tc3a)

Р в ( К з) =

 

\ - F (a )

 

«о)

[т’

ао)

R2(m;

 

 

 

R2 \m\

— ; a0

e

2 d x ) .

(27)

 

 

 

26

Кривые рис. 16 построены

Р

 

 

 

 

 

по этому выражению для опыт-

"

-------------- -

 

 

 

ных

значений а = 1,2,

3, что

 

10'

 

 

 

 

соответствует

— = I—Е 0(а)~

 

 

 

 

 

/>*610'J

''4^7= 43

 

 

 

___ 1_.

J .

J_

 

Как

вид-

 

 

 

 

 

 

~

7 ’

43’

740’

 

 

N .

 

а 0= о ,9 5

 

 

 

 

 

 

 

но,

даже

при небольшой вы­

 

 

\ n = 7 U 0

 

 

 

борке

 

50

введение

к3 =

 

 

 

 

 

 

= 2-|-2,5 понижает верхнюю

 

 

\

 

N

 

границу появления наихудше­

 

-------------------------\1

 

 

го

образца до вполне прием­

 

 

\

___ _______Л -

 

 

Pt

 

 

 

 

лемого

уровня

 

Рв = 1СГ4^г

 

 

 

 

 

— 1,5-10 е. Эта

 

Граница СО-

рис jg Зависимость доверительной грани-

Ответствует (при Я3=1)

испы-

ды появления наихудшего

образца от ко-

ТЭНИЮ

партии

транзисторов

эФФиДиента запаса при разных выборках,

примерно 5-104-гЗ-10б шт.

 

 

 

 

 

за­

Методика

выбора расчетного значения /ко для обеспечения

данной

величины параметра

 

потока отказов Я аналогична.

При

этом за /кон принимается максимальное значение обратного тока /ко из выборки.

Если испытаниями на старение и выбором значения п не удает­ ся обеспечить необходимую величину Я, то также вводят коэффи­ циент запаса к3.

В общем случае при введении коэффициента запаса расчетное значение произвольного параметра Лр определяется:

для нижнего уровня как

Л рн --

Л оп %3 & G0n --- К 3 -Допн -Доп 0 Р3

l)i

для верхнего уровня

Л рв = Аоп “Г 7Г3 # °о п = ^ зЛ о п в

Лоп ( к 3 1),

(28)

(29)

где Лопн и Л0пв — соответственно нижняя и верхняя опытные грани­ цы параметра, определенные по наихудшему об­ разцу на уровне а.

Так как в низкочастотных схемах

для В имеет значение практи­

чески только минимальная величина,

то

 

 

Ври —гг3Дн

В (/Г3 -

1).

(30)

Для нулевого тока коллектора

 

 

 

^ к о р в — « ’з I КОВ

I КО (кз

1).

(31)

Таким образом, вводя коэффициент запаса, можно определить расчетный параметр по малым (недостаточным) выборкам.

27

§ 7. Некоторые результаты ускоренных испытаний транзисторов на старение

Ускоренные испытания транзисторов показывают [2], что коэф­ фициент усиления В не остается постоянным и значительно изме­ няется в процессе хранения.

Значение коэффициента усиления В у отдельных транзисторов может увеличиваться или уменьшаться в зависимости от темпера­ туры и времени хранения tn (рис. 17). При температурах 40 и 70°С в первый период хранения у большинства транзисторов наблюдает­ ся увеличение В, потом у отдельных экземпляров значение В на­ чинает уменьшаться.

При высоких температурах (115 и 130°С) у значительного коли­ чества транзисторов даже в первые интервалы времени между из­ мерениями наблюдается уменьшение В.

С некоторого момента времени, зависящего от температуры хранения, начинается необратимое уменьшение величины коэффи­ циента В у отдельных экземпляров транзисторов.

Постепенно уменьшение В приобретает массовый характер — пе­ риод интенсивной деградации транзисторов по параметру В. В те­ чение этого периода значение-В у основной массы транзисторов сильно снижается (до 0,2—0,3 начального значения) и затем не­ сколько стабилизируется.

Кривые распределения абсолютных значений параметра В (рис. 18) позволяют предсказать его конечные значения в пар-

Рис. 17. Интегральные кривые распределения изменений параметра В транзисто­ ров П13—П16 при различных температурах

28

тии

транзисторов

в

про­

№ '

 

 

 

 

 

 

цессе старения. Отдельные эк­

0Л-

 

 

 

 

 

 

земпляры транзисторов в про­

 

 

 

 

 

 

цессе старения изменяют па­

0,6

 

 

 

 

 

 

раметр

В в

разной

степени.

 

 

 

 

 

 

 

У некоторых транзисторов од­

0,6

 

 

 

 

 

 

ной партии

на определенных

0,2

 

 

 

 

 

 

этапах

испытаний

В

может

 

 

 

 

 

 

 

уменьшаться, в то время как у

О

S

16

26

Л

60

68 В

других значение его увеличи­

 

 

 

 

 

 

 

вается.

В различных партиях

Рис. 18. Интегральные кривые распреде­

транзисторов, если они доста­

ления параметра В в партии транзисто­

точно

велики

и изготовлены

ров П13 для разных

времен

хранения

примерно

по

одинаковой тех­

при температуре

115°С

 

 

 

нологии,

согласно

постулату

 

 

 

 

 

 

 

о наследственности должна наблюдаться воспроизводимость ста­ тистических характеристик. Поэтому по интенсивности изменения характеристик транзисторов одной партии в процессе старения в определенных условиях можно судить об интенсивности изменения параметров транзисторов других партий в этих же условиях.

Зависимость коэффициента ускорения ку от температуры опре­ делена сравнением изменения во времени статистических характе­

ристик: среднеарифметического и медианного значений,

а также

В

различных

среднеквадратического отклонения величин —g— для

температур [2]. Зависимость ку=/(Г°С) имеет

экспоненциальный

характер и может быть представлена как

 

К У

1 _ Л5(^И2—Т’щ)

(32)

где 6= 0,1045.

 

 

Из этого выражения следует, что

 

tИ1

t K2e b(- Tii2 Ги1)

(33)

Очевидно, что чем больше время, за которое старение при опре­ деленной температуре достигнет того же уровня, что и при темпе­ ратуре испытания, тем меньше величина интенсивности отказов:

 

 

^И1 _

^2"г _ £,8(ГИ2—ги1)

(34)

 

 

tn2

ЛГ,

или

 

 

 

= Ът2 e~4T™-T»l) .

(35)

 

 

Таким образом,

воспользовавшись найденным

значением 8, по из­

вестной величине

Аг при определенной температуре можно получить

значение

при других температурах. Так, для общего расчетного

нагрева р —п

перехода- (с

учетом температуры окружающей среды

29

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ