5.4 Подготовка к лабораторной работе

5.4.1 По заданным величинам индуктивности L=0,05 Гн и емкостейC₁=0,5 мкФ иС₂=0,1 мкФ определить резонансную частотупростого параллельного колебательного контура (рисунок 5.2), используя выражение (5.3). Потерями в контуре пренебречь.

5.4.2 Вычислить на резонансной частоте сопротивление контура Z_о, эквивалентную добротностьQ_эи напряжение на простом контуреU_к(рисунок 5.2а) сначала при внутреннем сопротивлении источникаR₁ = 20 кОм, затем при внутреннем сопротивленииR₂ = 5,1 кОм. Для вычисления воспользоваться выражениями (5.7), (5.11), (5.13).

Определить полосы пропускания контура, соответствующие сопротивлениям R₁иR₂, воспользовавшись формулой (5.12).

Добротность катушки индуктивности Q = 70. Потерями в конденсаторахC₁иС₂пренебречь. Действующее значение напряжения на входе стендаU = 1 В.

5.4.3 Вычислить сопротивление контура Z_0С, эквивалентную добротностьQэс, полосу пропускания и напряжение при резонансе токов в сложном контуре (рисунок 5.3а). Внутреннее сопротивление источникаR₁=20кОм, сопротивление индуктивности R=10 Ом. Напряжение на входе стенда 1 B. Для вычисленияZ_0Своспользоваться выражением (5.19). РасчётQ_эс,U_кcивыполнить по формулам (5.11), (5.13), (5.12).

5.4.4 Определить частоту резонанса напряжений в сложном контуре (рисунок 5.3а) по формуле (5.16).

5.4.5 Вычислить величины всех напряжений и токов в сложном контуре (рисунок 5.3а) на частоте, находящейся посередине между частотами резонанса напряжений и резонанса токов. Потерями в контуре пренебречь. Напряжение на входе стенда 1 В. Внутреннее сопротивление источника равно R₁=20 кОм. Расчет выполнить по формулам:

,

,

5.5 Порядок выполнения работы

5.5.1 Установить действующее значение напряжения на входе стенда IB. Собрать электрическую схему, изображённую на рисунке 5.2а. С помощью милливольтметра, подключённого к гнёздам 9, 10 стенда, определить резонансную частоту контура.

5.5.2 Найти граничные частоты иполосы пропускания параллельного контура при внутреннем сопротивлении источникаR₁=20 кОм и определить эквивалентную добротность контура, используя выражение:

.

5.5.3 Снять зависимость напряжения на простом контуре от частоты. Действующее значение напряжения на входе стенда установить равным 1В. В крайних точках снятой зависимости напряжение на контуре должно составлять не более 0,1 от величины напряжения на нём при резонансе.

5.5.4 Собрать электрическую схему, представленную на рисунке 5.3б. Повторить п. 5.5.2.

5.5.5 Повторить п. 5.5.3 при внутреннем сопротивлении источника R₂=5,1 кОм.

5.5.6 Собрать схему, изображённую на рисунке 5.3а. С помощью милливольтметра, подключённого к гнёздам 10, 13 стенда, определить частоту резонанса токов.

5.5.7 Найти граничные частоты иполосы пропускания сложного контура при резонансе токов и определить эквивалентную добротность сложного контура на частоте резонанса токов.

5.5.8 Определить частоту резонанса напряжений в сложном контуре. При резонансе напряжений напряжение на контуре имеет минимальное значение и составляет несколько милливольт.

5.5.9 Снять зависимость напряжения на сложном параллельном контуре от частоты. Действующее значение напряжения на входе стенда установить равным 1В. Частоту следует изменять в пределах 35относительно частот резонанса.

5.5.10 Собрать схему, изображённую на рисунке 5.3б. Повторить п. 5.5.9.