1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері

1. Набрати схему для зняття вольтамперної характеристики ПТ із керованим переходом (рис. 1.25,а).

2. Установити задані значення параметрів елементів схеми. Варіанти завдання наведені в таблиці 1.11

3. Записати показання амперметра при заданих у таб.1.9 напруг і

4. Побудувати стоко-затворну й витокові вольтамперні характеристики.

5. Набрати схему для зняття вольтамперної характеристики ПТ МОП з індукованим каналом (рис. 1.25,б).

6. Установити задані значення параметрів елементів схеми.

7. Записати показання амперметра при заданих у таблиці 1.10 напругах і .

Таблиця 1.9

	,В.	Е, В.
		0,1	0,2	1,0	10
	0
	0,5
	1,0
	1,5
	2,0
	2,5

Таблиця 1.10

	,В.	Е, В.
		0,1	0,2	1,0	10
	1,0
	2,0
	5,0
	10
	15

8. Побудувати стоко-затворну й витокові вольтамперні характеристики.

Рисунок 1.25 - Схеми для зняття вольтамперних характеристик:

а - ПТ із керованим p - n переходом;

б - МОН з індукованим каналом.

Дослідження підсилювачів електричних сигналів

а) б)

Рисунок 1 - Схеми дослідження найпростіших підсилювальних каскадів на ПТ:

а) з керованим p – n переходом;

б)МОП з індукованим каналом.

5. Набрати схему найпростішого підсилювача на ПТ (рис. 1,а).

6. Установити задані в таблиці 1.11 значення Е і R_С. R_З = 1 Мом.

7. Резистором R_в установити режим спокою (U_СВ ≈ Е/2). Записати показання приладів і значення резистора R_в .

8. Набрати схему найпростішого підсилювача на ПТ (рис.1,б).

9. Установити задані в таблиці 1.11 значення Е і R_С.

Резисторами R_S1 і R_S2 установити режим спокою (U_СВ ≈ Е/2). Записати показання приладів і значення резисторів R_S1 і R_S2. Величини резисторів R_S1 і R_S2 вибирають у межах десятки…сотні кілоом.

Таблиця 1.11 – Варіанти завдання до пункту 1.4.6.

№ вар.	,	,	,В	, В	, кОм	№ вар.	,	,	почВ	, В	, кОм
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
1	0,5	1,0	0,2	8	7	31	0,5	1,8	1,0	20	9
2	0,6	1,4	0,3	9	8	32	0,6	2,0	1,2	21	10
3	0,7	1,6	0,4	10	9	33	0,7	2,4	1,5	22	7
4	0,8	1,8	0,5	11	10	34	0,8	2,8	1,4	23	8
5	0,9	2,0	0,6	12	7	35	0,9	3,0	1,3	24	9
6	1,0	2,2	0,7	13	8	36	1,0	3,1	1,2	25	10
7	1,1	2,4	0,8	14	9	37	1,1	3,2	1,1	8	7
8	1,2	2,6	0,9	15	10	38	1,2	3,3	1,0	9	8
9	1,3	2,8	1,0	16	7	39	1,3	3,4	0,9	10	9
10	1,4	3,0	1,1	17	8	40	1,4	3,5	0,8	11	10
11	1,5	3,2	1,2	18	9	41	1,5	4,0	0,7	12	7

Продовження таблиці

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
12	1,6	3,4	1,3	19	10	42	1,6	3,6	0,6	13	8
13	1,7	3,6	1,4	20	7	43	1,7	3,7	0,5	14	9
14	1,8	3,8	1,5	21	8	44	1,8	3,8	0,4	15	10
15	1,9	4,0	0,2	22	9	45	1,9	3,9	0,3	16	7
16	2,0	4,2	0,3	23	10	46	2,0	4,0	0,5	17	8
17	2,1	4,4	0,4	24	7	47	2,1	4,1	0,6	18	9
18	2,2	4,6	0,5	25	8	48	2,2	4,2	0,7	19	10
19	2,3	4,8	0,6	8	9	49	2,3	4,3	0,8	20	7
20	2,4	5,0	0,7	9	10	50	2,4	4,4	0,9	21	8
21	2,5	5,4	0,8	10	7	51	2,5	4,5	1,0	22	9
22	2,6	5,6	0,9	11	8	52	2,6	4,6	1,1	23	10
23	2,7	5,8	1,0	12	9	53	2,7	4,8	1,2	8	10
24	2,8	6,0	1,1	13	10	54	2,8	5,0	1,3	9	7
25	2,9	6,4	1,2	14	7	55	2,9	5,2	1,0	10	8
26	3,0	6,8	1,3	15	8	56	3,0	5,4	0,8	11	9
27	3,1	7,0	1,4	16	9	57	3,1	5,6	0,9	12	10
28	3,2	7,2	1,5	17	10	58	3,2	5,8	0,7	13	7
29	3,3	7,4	1,2	18	7	59	3,3	6,0	0,6	14	8
30	3,4	7,6	1,0	19	8	60	3,4	6,2	0,5	15	9

Контрольні питання

До пункту 1.4.1

1. Дати визначення польового транзистора.

2. Дати класифікацію ПТ.

3. Дати визначення транзистора з керованим р-n переходом.

4. Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом р - типу.

5. Замалювати умовне графічне позначення транзистора з керованим р - n переходом з каналом n - типу.

6. Замалювати ВАХ польового транзистора з керованим р - n переходом.

7. Дати визначення польових транзисторів з ізольованим затвором (визначення) (МДН).

8. Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

9. Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором вбудованим каналом.

10)Замалювати умовне графічне позначення транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

11)Замалювати ВАХ польового транзистора з ізольованим затвором індукованим каналом

12)Навести параметри польових транзисторів.

До пунктів 1.4.2 - 1.4.6

1. Замалювати структурну схему.

2. Описати принцип дії польового транзистора з керованим р - n переходом.

3. Визначити напругу затвор – виток транзистора з р - каналом.

4. Визначити напругу затвор - виток транзистора з n - каналом.

5. Навести конструкцію МДН-транзисторів.

6. Описати принцип дії МДН-транзисторів.

7. Навести конструкцію МДН-транзистора з вбудованим каналом.

8. Описати принцип дії.

9. Визначити режим збіднення.

10. Визначити режим збагачення.

11. Навести конструкцію МДН-транзистора з індукованим каналом.

12. Описати принцип дії.

13. Визначити полярність напруги затвор -виток.

14. Визначити полярність напруги стік -виток.

15. Навести конструкцію ЛІЗМОН-транзисторів з одним і двома затворами.

16. В яких режимах можуть працювати ЛІЗМОН-транзистори?

17. Описати режими работи ЛІЗМОН-транзисторів.

18. Навести конструкцію МНОН-транзистора.

19. Привести ВАХ МНОН-транзистора.

20. Описати принцип дії МНОН-транзистора.

21. Навести конструкцію польових транзисторів МЕН-типу.

22. Привести ВАХ польових транзисторів МЕН-типу.