- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
2.10 Виборчі підсилювачі
Виборчі підсилювачі призначені для посилення сигналів у деякій вузькій смузі частот. Їхня частотна характеристика повинна забезпечувати необхідне посилення в заданій смузі частот і досить крутий спад посилення поза цією смугою (рис.2.33).
Смуга
пропущення виборчого підсилювача
визначається на рівні
,
де Кum
-
коефіцієнт підсилення при резонансній
частоті f0.
Відношення бічних частот для таких
підсилювачів
|
|
Селективність підсилювальних властивостей оцінюють добротністю, величина яких може становити десятки й сотні.
(55)
Виборчі
підсилювачі мають високу перешкодозахищеність
систем, що працюють на фіксованих
частотах, що широко використовується
в пристроях автоматичного керування й
контролю. Задачі настроювання прийомних
пристроїв, приймачів і телевізорів на
фіксовану частоту прийнятої станції
вирішують виборчі підсилювачі. Виборчі
підсилювачі при частотах понад десятки
кілогерців виконують із контуром, а на
низьких частотах із частотно-залежним
RC- ланцюгом.
Структурні схеми виборчих підсилювачів показані на рис.2.34.
Як підсилювач може використовуватися будь-який широкополосний ППС або підсилювач із ємнісним зв'язком. Частотно-залежний чотириполюсник (смуговий фільтр) може включатися в ланцюг ЗЗ (рис.2.34,а).
Такий
фільтр звичайно являє собою частотнозалежний
RC – ланцюг. При каскадному включенні
(рис.2.34,б) звичайно застосовують LC -
фільтри. У якості RC - фільтрів у виборчих
підсилювачах використовуються різні
RC - ланцюги, у яких коефіцієнт передачі
знижується
до значення
в
інтервалі частот від
до
.
Широке застосування в цих підсилювачах знайшов подвійний Т- образний міст, схема якого наведена на рис.2.35.
На
квазірезонансній частоті
=1
(RC) загальний
коефіцієнт передачі
.
Частотна
залежність коефіцієнта передачі
подвійного Т-образного моста наведена
на рис.2.34,б.
Коефіцієнт підсилення підсилювача з подвійним Т-образним мостом у ланцюзі від’ємного ЗЗ
|
(56) |
де – комплексний коефіцієнт передачі ланцюга ЗЗ.
На частоті
= 0 і
|
(57) |
а на квазірезонансній частоті при
|
(58) |
Такі
підсилювачі легко можуть бути виконані
зі смугою пропущення 2
=0,1...0,005.
Для
розширення смуги пропущення зменшують
коефіцієнт підсилення ОП до необхідного
значення Кu
за
допомогою частотно-незалежного ЗЗ.
Для
високочастотних виборчих підсилювачів
застосовують LC - фільтри (резонансні
контури). На рисунку 2.36 наведена схема
виборчого підсилювача з паралельним
резонансним контуром на біполярному
транзисторі. LC - контур включений у
колекторний ланцюг транзистора. Смуги
пропущення підсилювача залежать від
добротності резонансного контуру.
Якісно характер залежності коефіцієнта
підсилення каскаду від частоти пояснюється
залежністю від частоти опору, який
створено LC- контуром у колекторному
ланцюзі транзистора. На резонансній
частоті
опір LC
- контуру великий, у зв'язку з чим
коефіцієнт підсилення максимальний.
При відхиленні частоти вліво або вправо
від резонансної опір контуру зменшується,
що викликає зменшення коефіцієнта
підсилення підсилювача.
Рисунок 2.35 Рисунок 2.36
Контрольні питання
Дайте визначення виборчих підсилювачів.
Наведіть амплітудно-частотну характеристику підсилювача.
Які параметри підсилювачів?
Наведіть структурні схеми підсилювачів.
Що таке частотно-залежні RC – чотириполюсники, які включені в ланцюг ЗЗ?
Що являє собою каскадне включення частотно-залежного чотириполюсника.
Наведіть схему підсилювача з подвійним Т-образним мостом.
Наведіть схему підсилювача з LC-контуром.
Яке призначення елементів схеми?
Опишіть роботу схеми.
