- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
Глава 3 імпульсні пристрої
3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
Під імпульсними пристроями будемо розуміти такі пристрої, які під час роботи піддаються впливу електричних імпульсів або самі виробляють імпульси.
Електричним імпульсом називають напругу або струм, що відрізняється від нуля або має постійне значення лише протягом короткого проміжку часу меншого або порівняного із тривалістю встановлення процесів в імпульсній системі.
Форми імпульсів, які використовують в імпульсних пристроях різного призначення наведені на рис. 3.1.
Рисунок 3.1 - Форма імпульсів:
а) – прямокутний;
б) – трапецеїдальний;
в) – трикутний;
г) – експоненціальний;
д) – коловидний;
Основними параметрами імпульсу є наступні (рис. 3.2):
– амплітуда
імпульсу;
– тривалість
імпульсу;
– тривалість
фронту;
– тривалість
зрізу імпульсу;
– спад
вершини
імпульсу;
– період
повторення
імпульсів,
– частота
повторення
імпульсів:
,
– пауза;
,
– коефіцієнт
заповнення,
,
–щілинність
імпульсів;
Імпульси, наведені на рисунку 1, називають відеоімпульсами, на відміну від радіоімпульсів, які являють собою пакети високочастотних коливань.
Прилади, у яких здійснюються основні види перетворень імпульсних сигналів, можна розділити на кілька видів:
U
2U
0,9Um
0,5Um
tH
0,1Um
tφ
tc
T
Рисунок 3.2 - Параметри імпульсу
Електричні кола, які забезпечують не викривлену передачу імпульсів: імпульсні трансформатори, кабелі, довгі одиничні лінії.
Найпростіші формуючі ланцюги: скорочуючі диференціальні й інтегральні ланцюги, контури ударного порушення, обмежники, пік трансформатори.
Підсилювачі імпульсів (відео підсилювачі): широкополосні підсилювачі, які здатні підсилювати відеоімпульси з малими викривленнями.
Ланцюги перетворення імпульсів: електричні ключі, модулятори, тригери, логічні елементи.
Схеми запуску, синхронізації або поділу частоти: це генератори, які працюють у режимі синхронізації або поділу частоти проходження імпульсів.
Контрольні питання
1) Дайте визначення електричного імпульсу.
2)Дайте класифікацію електричних імпульсів.
Наведіть параметри імпульсів.
Дайте класифікацію імпульсних пристроїв і ланцюгів.
Що являє собою ланцюг передачі імпульсів?
Що являє собою формуючий ланцюг?
Що являють собою підсилювачі імпульсів?
Що являє собою ланцюг перетворення?
Що являють собою схеми запуску та синхронізації?
3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
Транзисторна й імпульсна цифрова техніка базується на роботі транзистора в режимі ключа. Замикання й розмикання ланцюга навантаження - головне призначення транзистора, що працює в режимі ключа. Шляхом зміни стану транзистора, у послідовному ланцюзі з резистором і джерелом електроживлення здійснюється формування сигналу імпульсної форми, а також різні перетворення імпульсних сигналів (рис. 3.3). Транзистор використовують як ключ у ланцюгах постійного й змінного струмів для регулювання потужності, що подається до навантаження. Ключова схема на транзисторі типу наведена на рис.3.3, а. Транзистор VT виконує функцію ключа в послідовному ланцюзі з резистором і джерелом енергії.
Аналіз
роботи ключа проведемо графоаналітичним
методом, що заснований на побудові лінії
навантаження
за
змінним струмом (рис.3. 3, б). Лінія
навантаження описується рівняння
та
проводиться так, як і для підсилювального
каскаду.
Точки перетинання лінії навантаження з вольтамперними характеристиками транзистора визначають напруги на елементах і струм у послідовному ланцюзі.
Режим
запирання (режим відсічення) транзистора
здійснюється подачею на його вхід
напруги
,
зазначеної
на рисунку 3.3,а без дужок.
Під
дією
струм
емітера
.
Разом
з тим через резистор
протікає
зворотний тепловий струм колекторного
переходу
.
Режиму
закритого стану транзистора відповідає
точка
(рис.
3.3,б).
Мале
значення
є
одним із критеріїв вибору транзистора
для ключового режиму роботи.
Величину
напруги
вибирають із розрахунку того, щоб при
протіканні
через
було забезпечене виконання
умови
|
(1) |
Режим
відкритого стану транзистора досягається
зміною полярності вхідної напруги (
)і
завданням струму бази, що забезпечує
режим насичення транзистора. Відкритий
стан характеризує точка
на
лінії навантаження.
а) б)
Рисунок 3.3 - Ключова схема на біполярному транзисторі (а), побудова лінії навантаження (б)
До
деякого граничного значення струму
бази
(граничного струму режиму
насичення) зберігається залежність
|
(2) |
У режимі насичення через транзистор VT протікає струм
|
(3) |
де
- падіння
напруги (залишкова напруга) на транзисторі
у відкритому стані,
В.
З урахуванням формули (3.2) знаходиться
граничне значення струму бази
|
(4) |
Для
надійного відкриття транзистора та
підвищення завадостійкості забезпечують
.
Відношення
називають
коефіцієнтом насичення транзистора. У
практичних схемах не завжди забезпечується
режим транзистора, а на вхід ключа
подається невелика величина
з
колектора попереднього ключового
каскаду.
Контрольні питання
Замалюйте ключову схему на біполярних транзисторах.
Яке призначення елементів схеми?
Опишіть роботу схеми.
Як забезпечується режим насичення?
Як забезпечується режим відсічення?
