- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
Диференціюючі
RC-
ланцюги використовують тоді, коли
потрібно змінити імпульси напруги
заданої форми
в сигнал
.
Найпростіший RC-ланцюг,
наведений на рис. 3.32, а. Напруга на виході
такого ланцюга визначається з вираження:
,
Постійна
часу RC-ланцюга (
)повинна
бути значно меншою тривалості імпульсу.
Iрозр
Uвих
Uвих
Рисунок 3.30 - Диференціюючий RC-ланцюг
Принцип
роботи ланцюга розглянемо з використанням
часових діаграм (рис. 3.32, б). З появою
вхідного імпульсу напруга на конденсаторі
дорівнює нулю, а напруга на резисторі
дорівнює вхідній величині. У ланцюзі
починає протікати струм, що заряджає
конденсатор до величини вхідної напруги,
а напруга на виході буде зменшуватися
до нуля
.
Після
закінчення вхідного імпульсу конденсатор
розряджається через резистор R, при
цьому полярність напруги на виході
схеми протилежна полярності вхідного
імпульсу (рис. 3.32,б).
Отже, при диференціюванні однополярного імпульсу на виході ланцюга, утвориться двуполярний імпульс. Диференціюючий RC- ланцюг звичайно застосовують для формування різнополярних імпульсів малої тривалості й називають їх скорочуючими.
Контрольні питання
До пункту 3.6.1
Дайте визначення інтегруючого RC-ланцюга.
Наведіть схему інтегруючого RC-ланцюга.
Поясніть принцип роботи схеми.
Замалюйте тимчасову діаграму роботи.
Яка формула описує вихідну напругу.
До пункту 3.6.2
Дайте визначення диференціюючого RC-ланцюга.
Наведіть схему диференціюючого RC-ланцюга.
Поясніть принцип роботи схеми.
Замалюйте тимчасову діаграму роботи.
5) Яка формула описує вихідну напругу.
Глава 4 елементи електронної пам’яті
Загальні відомості
Постійна пам'ять призначена для зберігання програм, констант, табличних функцій і іншої інформації, що записується заздалегідь і не змінюється в процесі поточної роботи комп'ютера. Вона застосовується також у перетворювачах кодів, знакогенераторах, у мікропрограмних пристроях керування. Загальним для всіх мікросхем постійної пам'яті є енегрозалежність, словникова організація й застосування режиму зчитування як основного.
Мікросхеми постійної пам'яті розділяються на наступні групи:
ПЗП або ROM (Read Only Memory) - програмується одноразово заводом- виготовлювачем, часто називаються масочними;
ППЗП або PROM (Programmable ROM) - програмуються одноразово електричним способом користувачем;
РПЗП-УФ або EPROM (Erasable PROM) - програмуються багаторазово (репрограмуються) з ультрафіолетовим стиранням і електричним записом;
РПЗП-ЕС або EEPROM (Electrіcal EPROM) - програмуються й стираються багаторазово електричним способом.
4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
У мікросхемах ПЗП й ППЗП елементами пам'яті є діоди, біполярні й МоН- Транзистори, а також КОМН-структури. Елементи пам'яті розміщаються у вузлах матриці, утворених адресними лініями рядка Xі й стовпця Yj. Стан "1" відповідає з'єднанню ЕП з розрядною лінією, а стан "0" означає відсутність зв'язку (для прямих виходів мікросхеми пам'яті). У масочних ПЗП розрив з'єднань ЕП з розрядними лініями при записі інформації виконує завод-виготовлювач (рис. 4.1).
Характеристики ряду серій ВІС ПЗП представлені в таблиці 4.1, а їхні умовні позначення показані на рис. 4.2.
Рисунок 4.1 - Елемент пам'яті масочних ПЗП:
а) — на діодах;
б) — на багатоемітерних транзисторах;
в) — на МОН- транзисторах
Таблиця 4.1 - Характеристики ряду серій ВІС ПЗП.
Тип міросхеми |
Ємність, біт |
Технологія |
Час
вибірки —
|
|
КР1656РЕ4 |
8Кх8 |
ТТЛШ |
40 |
90 |
КР568РЕ3 |
16Кх8 |
n-МОН |
300 |
300 |
КМ568РЕ5 |
128Кх8 |
n-МОН |
200 |
300 |
К536РЕ2 |
32Кх8 |
КМОН |
500 |
20 |
Рисунок 4.2 - Умовне позначення ВІС ПЗП
Мікросхема К563РЕ2 має вмонтовану схему самоконтролю й виправлення одиночних помилок за допомогою коду Хемінга із установленням ознаки помилки на виході К1. Коректор можна вимкнути сигналом К2 = О, при цьому дані зчитують без виправлення помилок.
Контрольні питання
До пунктів 4.1 та 4.2
Дайте визначення постійної пам’яті.
На які групи розділяються мікросхеми постійної пам'яті?
3) Наведіть характеристики ряду серій ВІС ПЗП.
