- •Ф ізичні явища та принцип дії пт 39
- •Глава1 напівпровідникові прилади
- •1.1 Електронно-дірковий перехід
- •1.1.1 Загальні відомості.
- •1.1.2 Утворення переходу.
- •1.1.3 Контакт метал – напівпровідник.
- •1.2.2 Характеристики, параметри, область застосування
- •1.2 Напівпровідникові діоди
- •1.2.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 1.2
- •1.2.3 Дослідження напівпровідникових діодів на комп'ютері
- •1.3 Біполярні транзистори
- •1.3.1 Загальні відомості
- •1.3.2 Фізичні явища й принцип дії бт за схемою із загальним емітером
- •1.3.3 Транзистори Шотки
- •1.3.4 Дослідження бт за допомогою комп'ютера
- •1.3.5 Розрахунок режиму спокою підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •1.3.6 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •1.4 Польові транзистори (пт)
- •1.4.1 Загальні відомості
- •1.4.2 Фізичні явища та принцип дії пт
- •1.4.2.1 Польові транзистори з керуючим переходом
- •1.4.2.2 Польові транзистори з ізольованим затвором
- •1.4.3 Лізмон-транзистори
- •1.4.4 Мнон - транзистори
- •1.4.6 Дослідження польових транзисторів на комп’ютері
- •Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Напівпровідникові джерела й приймачі оптичного випромінювання
- •1.5.1 Загальні відомості
- •1.5.2 Оптопари (оптрони)
- •1.6 Перемикаючі прилади
- •1.6.1 Загальні відомості
- •Фізичні явища та характеристика
- •1.7 Інтегральні мікросхеми
- •1.7.1 Загальні положення
- •Глава 2 підсилювачі та генератори електричних сигналів
- •2.1 Загальні відомості.
- •Принцип побудови підсилювальних каскадів.
- •Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах.
- •2.3.1 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі за схемою із загальним емітером
- •2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
- •2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •Підсилювальний каскад на польовому транзисторі
- •2.5 Багатокаскадні підсилювачі
- •2.6 Каскади посилення потужності
- •2.7 Зворотні зв’язки в підсилювачах
- •Підсилювачі постійного струму
- •2.8.1 Підсилювачі постійного струму на транзисторах.
- •2.8.2 Операційні підсилювачі
- •2.8.3 Дослідження операційних підсилбвачів
- •1 Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.9 Генератори гармонійних коливань
- •2.9.1 Загальні відомості
- •2.9.4 Дослідження генераторів синусоїдальних коливань
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •2.10 Виборчі підсилювачі
- •2.11 Дослідження підсилювачів електричних сигналів
- •Глава 3 імпульсні пристрої
- •3.1 Загальна характеристика імпульсних сигналів і пристроїв
- •3.2 Ключовий режим роботи транзисторів
- •3.3 Логічні елементи
- •3.3.1 Загальні відомості
- •3.3.2 Логічні елементи в інтегральному виконанні
- •3.3.2.1 Діодно-транзисторні логічні елементи
- •3.3.2.2 Транзисторно логіка -транзисторна
- •3.3.2.3 Логічні елементи на мон-транзисторах
- •3.3.2.4 Логічні елементи на мен-транзисторах
- •3.3.2.5 Інтегральна інжекційна логіка
- •3.3.2.6 Логічні елементи емітерно-зв'язкової логіки
- •3.3.3 Дослідження логічних елементів на комп’ютері
- •3.4 Тригери
- •3.4.1 Загальні відомості
- •Продовження таблиці 3.3
- •3.4.2 Характерні явища для тригерів
- •3.4.3 Дослідження тригерів на комп'ютері
- •3.5 Компаратори і тригери шмітта, генератори імпульсів
- •3.5.1 Загальні відомості
- •3.5.2 Особливості й фізичні явища. Принцип дії.
- •3.5.2.1 Компаратор
- •3.5.2.2 Тригер Шмітта
- •3.5.2.3 Мультивібратори
- •3.5.2.4 Одновібратори
- •3.5.2.5 Блокінг-генератор
- •Генератори лінійно змінюваної напруги
- •3.5.3 Дослідження імпульсних пристроїв на операційних підсилювачах
- •Завдання для домашньої підготовки
- •1 Для компаратора
- •2 Для тригера Шмітта
- •2.1 Записати визначення тригера Шмітта.
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Для одновібратора:
- •4.1 Записати визначення одновібратора.
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •1 Дослідження схеми компаратора.
- •Дослідження схеми тригера Шмітта
- •3 Дослідження схеми мультивібратора
- •4 Дослідження схеми одновібратора
- •До пункту 3.5.2.2
- •До пункту 3.5.2.3
- •3.6 Інтегруючі і диференціюючі rc-ланцюги
- •3.6.1 Інтегруючий rc-ланцюг
- •3.6.2 Диференціюючий rc-ланцюг
- •Глава 4 елементи електронної пам’яті
- •Загальні відомості
- •4.2 Мікросхеми постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •4.3 Мікросхеми програмувальних постійних запам'ятовувальних пристроїв
- •Контрольні питання
- •4.4 Принцип побудови динамічного запам'ятовувального елемента
- •Контрольні питання
- •4.5 Елемент флеш- пам'яті
- •4.6 Фероелектрична пам'ять
- •4.7 Магнітна пам'ять
- •4.8 Новий напрямок - спінтроніка
- •Глава 5 перетворювальні електронні пристрої
- •5.1 Загальні відомості
- •5.2 Однофазний однопівперіодний випрямляч
- •5.3 Однофазний двухпівперіодний випрямляч із нульовим виводом
- •5.4 Однофазний мостовий випрямляч
- •5.5 Випрямлячі - помножувачі напруги
- •5.6 Згладжуючі фільтри
- •5.6.1 Дослідження двлпівперіодних випрямлячів однофазного струму
- •Завдання для домашньої підготовки
- •Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.7 Стабілізатори напруги
- •5.7.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.7.2 Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Контрольні питання
- •5.7.3 Дослідження стабілізаторів напруги
- •Завдання для домашньої підготовки
- •2 Порядок виконання роботи на комп'ютері
- •5.8 Керовані випрямлячі
- •5.9 Інвертори
- •Конвертори
- •Глава 6 Блоки живлення персональних компютерів
- •Додаток а електричні кола постійного струму Основні визначення і закони
- •1 Джерела електричної енергії (джерела живлення).
- •Розрахунок лінійних кіл постійного струму з одним джерелом живлення.
- •Розрахунок лінійних ланцюгів з декількома джерелами живлення.
- •Додаток б електричні кола змінного струму Поняття про змінний струм
- •Основні поняття синусоїдальної функції
- •Зображення синусоїдальної величини вектором
- •Кутова частота і фазові співвідношення
- •Початковий фазовий кут, або початкова фаза.
- •Прості електричні кола змінного струму
- •Список літератури
2.3.2 Підсилювальний каскад на біполярному транзисторі із загальним колектором (емітерний повторювач)
Схему рис. 2.8, а називають каскадом ЗК, тому що колекторний вивід транзистора за змінним струмом є загальним електродом для вхідного й вихідного ланцюгів каскаду.
Емітерним
повторювачем схему називають внаслідок
того, що її вихідна напруга, що знімається
з емітера транзистора, близька за
величиною до вхідної напруги (
)і
збігається з ним по фазі.
Резистор
у схемі виконує ту ж функцію, що й резистор
Rк
у схемі з ЗЕ - створення напруги, що
змінюється, вихідного ланцюга за рахунок
протікання в ній струму, керованого за
ланцюгом бази. Cр1
и Ср2
— розділяючі
конденсатори. Резистори R1
и R2
задають
режим спокою каскаду. Для підвищення
вхідного опору резистор R2
у
схему часто не вводять. Розрахунок
каскаду за постійним струмом проводять
за аналогією зі схемою ЗЕ. Розглянемо
параметри каскаду за змінним струмом.
Із цією метою представимо каскад його
схемою заміщення (рис. 2.8, б).
а) б)
Рисунок 2.8 - Схема підсилювального каскаду ЗК (а) і його схема заміщення у фізичних параметрах (б)
Вхідний опір каскаду
|
(18) |
При визначенні
виразимо напругу
через струм
|
(19) |
і поділимо напругу на струм
|
(20) |
Звичайно
й
З урахуванням цих нерівностей можна записати
|
(21) |
При
виборі високоомного
дільника вхідний опір каскаду стає
більшим. При
кОм,
кОм.
Високий вхідний опір є однією з найважливіших переваг каскаду ЗК.
Визначимо коефіцієнт підсилення за струмом:
|
(22) |
|
(23) |
|
(24) |
Заміняючи у формулі (6) Iб через вхідний струм, одержимо:
|
(25) |
У
припущенні
маємо
|
(26) |
Коефіцієнт
підсилення каскаду за напругою
можна знайти, виразивши напругу на
навантаженні через струм навантаження
,
а напругу джерела — через вхідний струм
каскаду
|
(27) |
При
і
Вихідний опір
каскаду ЗК являє собою опір схеми з боку
емітера визначається за співвідношенням
|
(28) |
Вихідний опір каскаду мало (10...50 Ом). Цю властивість використовують, коли необхідно вирішувати завдання узгодження вихідного ланцюга підсилювача з низькоомним опором навантаження. При цьому каскад з ЗК застосовують як вихідний каскад підсилювача.
2.3.3 Дослідження підсилювачів на біполярних транзисторах
Навчальна мета: Закріплення й експериментальне підтвердження теоретичного матеріалу за принципом дії і методам розрахунку підсилювачів на біполярних транзисторах, включених за схемою з загальним емітером.
Завдання для домашньої підготовки
Записати визначення, класифікацію, параметри і характеристики підсилювачів на біполярних транзисторах (БТ).
Замалювати схему підсилювального каскаду на БТ, включеного за схемою з загальним емітером (режим посилення класу А).
Описати призначення елементів схеми підсилювача.
Виконати розрахунок підсилювача графоаналітичним методом. Координати лінійної ділянки вхідної ВАХ, значення β, ЕК, RК дані в пункті 1.3.6.
Побудувати вхідну і вихідну вольтамперні характеристики;
побудувати лінію навантаження по постійному струму;
визначити параметри режиму спокою;
визначити величини резисторів, що забезпечують режим спокою;
побудувати лінію навантаження по змінному струму:
Побудувати графіки зміни струмів бази і колектора, напруги колектор-емітер при синусоїдальній вхідній напрузі. Величина амплітуди вхідної напруги не повинна виходити за межі лінійної ділянки вхідної ВАХ.
Визначити коефіцієнти підсилення по напрузі, струму і потужності.
