- •Зиновьев в. Г., Карпов в. В., Фиалковский о, п. Процессы полупроводниковых производств
- •Часть I
- •Содержание
- •1. Общие вопросы полупроводникового производства
- •1.1. Области применения полупроводниковых материалов
- •Классификация полупроводниковых приборов
- •Преобразователи внешних воздействий:
- •1.2. Общие задачи, решаемые в технологии полупроводниковых материалов
- •Соблюдение производственной чистоты
- •Обеспечение микроклимата
- •Подготовка основных и вспомогательных материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Требования к материалам
- •Параметры воды
- •2. Процессы кристаллизации
- •2.1. Гомогенная кристаллизация
- •2.2. Гетерогенная кристаллизация
- •3. Методы выращивания полупроводниковых монокристаллов
- •3.1. Методы выращивания объемных монокристаллов из расплава
- •3.1.1. Тигельные методы
- •Метод горизонтальной зонной плавки.
- •Метод вертикальной зонной плавки.
- •3.1.2. Форма кристаллов. Псевдограни.
- •3.1.3. Бестигельные методы получения монокристаллов
- •Метод Вернейля.
- •Метод гарниссажной плавки.
- •Метод вытягивания с пьедестала.
- •Бестигельная зонная плавка.
- •Метод плавки в холодном тигле.
- •3.2. Методы получения монокристаллов из растворов-расплавов
- •Метод зонной плавки в температурном градиенте.
- •3.3. Методы получения монокристаллов из газовой фазы
- •Метод сублимации - конденсации
- •Метод газового транспорта
- •Метод кристаллизации вещества, синтезированного в газовой фазе
- •3.4. Методы получения профилированных кристаллов
- •4. Распределение примесей в процессах кристаллизации
- •4.1. Равновесный коэффициент распределения
- •4.2. Эффективный коэффициент распределения
- •4.3. Особенности распределения примеси по длине кристалла, получаемого из расплава
- •4.3.1. Направленная кристаллизация
- •Равновесная кристаллизация (рис. 40,а).
- •Неравновесная кристаллизация (рис. 40,б).
- •Зонная плавка.
- •Список литературы
- •Часть I
Список литературы
Основная литература:
-
Нашельский А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. М.: Металлургия, 1993.
-
Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987.
-
Нашельский А.Я. Монокристаллы полупроводников.– М.: Металлургия, 1978.
-
Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. – М.: Высшая школа, 1990.
-
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. – М.: ИПЦ МИСиС, 1995.
-
Металлургия и технология полупроводниковых материалов. Под ред. Сахарова Б.А. – М.: Металлургия, 1972.
-
Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. – М.: Металлургия, 1983.
-
Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия: 1982.
Дополнительная литература:
-
Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для решения задач). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.
-
Акчурин Р.Х., Фиалковский О.П. Технология полупроводниковых материалов (Руководство для проведения семинарских занятий). Учебно-методическое пособие. – М.: ИПЦ МИТХТ, 1996.
-
Андреев В.М. и др. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1975.
-
Маслов В.Н. Репродукционная эпитаксия. – М.: Металлургия: 1981
-
Скворцов И.М. Технология и аппаратура газовой эпитаксии германия и кремния. М.: Энергия, 1978.
-
Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов. – М.: Металлургия, 1977.
-
Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976.
-
Вигдорович В.Н. Совершенствование зонной перекристаллизации. М.: Металлургия, 1974.
-
Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. – М.: Наука, 1986.
-
Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. (под редакцией Л. Ченга и К. Плога). – М.: Мир, 1989.
-
Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1986.
-
Глазов В.М., Павлова Л.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. – М.: Металлургия, 1988
-
Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения A3B5: Справочник. – М.: Металлургия, 1984
-
Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. – М.: Металлургия, 1987
-
Шашков Ю.М. Металлургия полупроводников. – М.: Металлургия, 1960
-
Раскин А.А., Прокофьева В.К. Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники. Часть 1 и 2. – М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2010
Издание учебное
Зиновьев Владимир Георгиевич
Карпов Владимир Владимирович
Фиалковский Олег Петрович
ПРОЦЕССЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРОИЗВОДСТВ
Учебное пособие
Часть I
Подписано в печать………………Формат 60х84/16. Бумага писчая.
Отпечатано на ризографе. Уч. изд. листов 3,9. Тираж 100 экз. Заказ №………..
Лицензия на издательскую деятельность
ИД № 03507 (рег. № 003792) код 221.
Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова.
Издательско-полиграфический центр.
119571, Москва, пр. Вернадского, 86.