- •Зиновьев в. Г., Карпов в. В., Фиалковский о, п. Процессы полупроводниковых производств
- •Часть I
- •Содержание
- •1. Общие вопросы полупроводникового производства
- •1.1. Области применения полупроводниковых материалов
- •Классификация полупроводниковых приборов
- •Преобразователи внешних воздействий:
- •1.2. Общие задачи, решаемые в технологии полупроводниковых материалов
- •Соблюдение производственной чистоты
- •Обеспечение микроклимата
- •Подготовка основных и вспомогательных материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Требования к материалам
- •Параметры воды
- •2. Процессы кристаллизации
- •2.1. Гомогенная кристаллизация
- •2.2. Гетерогенная кристаллизация
- •3. Методы выращивания полупроводниковых монокристаллов
- •3.1. Методы выращивания объемных монокристаллов из расплава
- •3.1.1. Тигельные методы
- •Метод горизонтальной зонной плавки.
- •Метод вертикальной зонной плавки.
- •3.1.2. Форма кристаллов. Псевдограни.
- •3.1.3. Бестигельные методы получения монокристаллов
- •Метод Вернейля.
- •Метод гарниссажной плавки.
- •Метод вытягивания с пьедестала.
- •Бестигельная зонная плавка.
- •Метод плавки в холодном тигле.
- •3.2. Методы получения монокристаллов из растворов-расплавов
- •Метод зонной плавки в температурном градиенте.
- •3.3. Методы получения монокристаллов из газовой фазы
- •Метод сублимации - конденсации
- •Метод газового транспорта
- •Метод кристаллизации вещества, синтезированного в газовой фазе
- •3.4. Методы получения профилированных кристаллов
- •4. Распределение примесей в процессах кристаллизации
- •4.1. Равновесный коэффициент распределения
- •4.2. Эффективный коэффициент распределения
- •4.3. Особенности распределения примеси по длине кристалла, получаемого из расплава
- •4.3.1. Направленная кристаллизация
- •Равновесная кристаллизация (рис. 40,а).
- •Неравновесная кристаллизация (рис. 40,б).
- •Зонная плавка.
- •Список литературы
- •Часть I
4.2. Эффективный коэффициент распределения
При кристаллизации из расплава в предположении, что масса кристалла существенно меньше массы расплава, при бесконечно малых скоростях кристаллизации распределение примеси в системе определяется и показано на рис. 40,а.
Однако при конечных скоростях кристаллизации в зависимости от значения в жидкой фазе, примыкающей к фронту кристаллизации, образуется либо обогащенный, либо обедненный примесью слой. Тогда на границе раздела фаз распределение примеси будет определяться эффективным коэффициентом распределения =Ств./Сж., отличным от =Ств./Сж.(0) (рис. 40, б).
Рис. 40. Распределение примеси на границе раздела твердой и жидкой фаз (здесь и далее масштаб на оси концентраций (С) логарифмический): а – при равновесной кристаллизации; б – при кристаллизации в неравновесных условиях.
Если предположить, что массоперенос между приграничным к фронту кристаллизации слоем и остальным расплавом определяется по диффузионному механизму, то может быть определена толщина диффузионного слоя как отрезок, отсекаемый на оси абсцисс касательной к распределению примеси Сж.(х) в т. х = 0 (еще раз подчеркиваем: масштаб на оси С логарифмический). Для выращивания по методу Чохральского эмпирически установлено выражение для определения величины :
,
где – коэффициент диффузии в жидкой фазе, – кинематическая вязкость расплава, – сумма угловых скоростей вращения затравки и тигля.
Установим взаимосвязь между и , считая, для определенности, что . При стационарном установившемся режиме поток примеси из твердой фазы в диффузионный слой должен быть равен потоку примеси из диффузионного слоя в расплав.
Математически такая задача описывается дифференциальным уравнением массообмена в движущейся среде. В одномерном случае в стационарном режиме (dC/d = 0) оно приобретает вид:
, (37)
где w – скорость движения расплава, D – коэффициент диффузии в жидкой фазе.
Предположив, что в пределах диффузионного слоя скорость движения расплава w = –f, где f – скорость роста кристалла решим уравнение при граничных условиях:
при х = 0
при х = . (38)
Решение уравнения (37) с учетом граничных условий в точке х = 0 будет:
. (39)
Выражая концентрации через коэффициенты распределения, получим уравнение, известное как уравнение Бартона-Прима-Слихтера:
. (38)
Выражение называют также приведенной скоростью роста и обозначают как . На рис. 41 показана зависимость от при различных значениях .
Рис. 41. Зависимость эффективного коэффициента распределения от приведенной скорости роста.
4.3. Особенности распределения примеси по длине кристалла, получаемого из расплава
4.3.1. Направленная кристаллизация
Рассмотрим кристаллизацию протяженного расплава, имеющего форму цилиндра, затвердевающего с левого края (рис. 42.) при которой фронт кристаллизации движется вправо со скоростью f.
Рис. 42. Схема затвердевания расплава при направленной кристаллизации.
Допустим, что различием в плотностях жидкой и твердой фаз можно пренебречь. Примем, что – общий объем расплава, а - объем закристаллизовавшейся его части к моменту времени . Обозначим долю расплава, закристаллизовавшуюся к моменту времени , через .
Рассмотрим два варианта проведения процесса.