- •Зиновьев в. Г., Карпов в. В., Фиалковский о, п. Процессы полупроводниковых производств
- •Часть I
- •Содержание
- •1. Общие вопросы полупроводникового производства
- •1.1. Области применения полупроводниковых материалов
- •Классификация полупроводниковых приборов
- •Преобразователи внешних воздействий:
- •1.2. Общие задачи, решаемые в технологии полупроводниковых материалов
- •Соблюдение производственной чистоты
- •Обеспечение микроклимата
- •Подготовка основных и вспомогательных материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Требования к материалам
- •Параметры воды
- •2. Процессы кристаллизации
- •2.1. Гомогенная кристаллизация
- •2.2. Гетерогенная кристаллизация
- •3. Методы выращивания полупроводниковых монокристаллов
- •3.1. Методы выращивания объемных монокристаллов из расплава
- •3.1.1. Тигельные методы
- •Метод горизонтальной зонной плавки.
- •Метод вертикальной зонной плавки.
- •3.1.2. Форма кристаллов. Псевдограни.
- •3.1.3. Бестигельные методы получения монокристаллов
- •Метод Вернейля.
- •Метод гарниссажной плавки.
- •Метод вытягивания с пьедестала.
- •Бестигельная зонная плавка.
- •Метод плавки в холодном тигле.
- •3.2. Методы получения монокристаллов из растворов-расплавов
- •Метод зонной плавки в температурном градиенте.
- •3.3. Методы получения монокристаллов из газовой фазы
- •Метод сублимации - конденсации
- •Метод газового транспорта
- •Метод кристаллизации вещества, синтезированного в газовой фазе
- •3.4. Методы получения профилированных кристаллов
- •4. Распределение примесей в процессах кристаллизации
- •4.1. Равновесный коэффициент распределения
- •4.2. Эффективный коэффициент распределения
- •4.3. Особенности распределения примеси по длине кристалла, получаемого из расплава
- •4.3.1. Направленная кристаллизация
- •Равновесная кристаллизация (рис. 40,а).
- •Неравновесная кристаллизация (рис. 40,б).
- •Зонная плавка.
- •Список литературы
- •Часть I
-
Зонная плавка.
-
Однопроходная зонная плавка
При зонной плавке, как уже говорилось выше, с помощью специального нагревателя расплавляется не весь кристалл, а лишь его часть. Расплавленная зона движется от затравки вдоль слитка. При этом на фронте кристаллизации происходит перераспределение примеси между жидкой и кристаллизующейся фазой в соответствии с коэффициентом распределения. При этом если расплавленная зона собирает в себя примесь и при движении зоны оттесняет примесь к концу слитка, а если , примесь переносится в начало слитка, и тем самым происходит очистка материала.
Для количественного рассмотрения распределения примеси при зонной плавке сохраняются все допущения Пфанна, перечисленные выше и к ним добавляется требование постоянства ширины расплавленной зоны (рис. 44).
Рис. 44. Схема перекристаллизации при зонной плавке: 1 и 3 – закристаллизовавшаяся и плавящаяся части слитка, соответственно; 2 – расплавленная зона; – расстояние от начала слитка до фронта кристаллизации; – длина расплавленной зоны; – длина слитка; – скорость перемещения зоны.
Рассмотрим случай одного прохода расплавленной зоны через слиток с равномерным распределением примеси. Допустим, что:
-
– концентрация примеси в расплавленной зоне;
-
– концентрация примеси в исходной твердой фазе;
-
– концентрация примеси в закристаллизованной твердой фазе вблизи фронта кристаллизации.
-
S – поперечное сечение слитка, постоянное по всей длине (разницей в плотностях жидкой и твердой фазах пренебрегаем).
Если за время зона переместится на расстояние , то концентрация примеси в жидкой зоне изменится (индексы у текущих концентраций опущены) на:
(47)
или ; интегрируя по твердой фазе и считая, что , получим:
(48)
Тогда:
; или:
и окончательно:
. (49)
Выражение (49) справедливо в диапазоне , поскольку последняя зона кристаллизуется по уравнению (45) для направленной кристаллизации с учетом того, что за исходную концентрацию принимается . Тогда на участке (участок 3 рис.45.) распределение примеси находится по уравнению:
(50)
Как видно из рис. 45, распределение примеси после одного прохода зоны, полученное по уравнениям (48 и 45), можно условно разделить на три участка: 1 – очищенная часть слитка; 2 – часть с прежней концентрацией примеси и 3 – загрязненная часть слитка.
Рис. 45. Распределение примеси после одного прохода узкой зоны при .
На рис. 46. проиллюстрировано распределение примеси в расплавленной зоне в зависимости от ее положения в слитке. При этом в соответствии с допущениями Пфанна, , а .
Рис. 46. Распределение примеси в слитке при начальном положении расплавленной зоны и при расположении зоны на участке 2 (рис. 45.).
По мере движения зоны по участку 1 концентрация примеси в жидкой фазе повышается и, в конце концов, достигает значения, при котором дальнейшая очистка не происходит (участок 2). Видно, что при выходе кривой на насыщение избыток примеси, поступающий в расплавленную зону от фронта кристаллизации, компенсируется растворением более чистого материала на фронте плавления. Иными словами, устанавливается равенство на границах зоны: или .
Для графической иллюстрации распределения примеси по длине кристалла обычно результаты расчета по выражению (48) строят в приведенных координатах и (рис. 47.).
Рис. 47. Распределение примеси по части длины кристалла, равной девяти , при различных значениях , полученное в результате одного прохода зонной плавки.
Если сравнить рисунки 47 и 43, то видно, что направленная кристаллизация эффективнее очищает кристалл, чем один проход зонной плавки. Однако возможность многократного прохода зоны приводит к тому, что на практике применяют зонную плавку.
-
Многопроходная зонная плавка.
По-прежнему для определенности рассматриваем случай при .
Рассмотрим полубесконечный кристалл. Верхним индексом (n) обозначим номер прохода. Поскольку для (n)-ого прохода зоны начальным распределением примеси в слитке будет являться результат предыдущего (n-1)-ого прохода, то дифференциал (46) принимает вид (в круглых скобках текущая координата):
. (51)
. (52)
На влияет не только , но и . Причем разница между ними с каждым проходом зоны растет, а уход примеси в кристалл оказывает меньшее влияние на концентрацию примеси в жидкой фазе.
Милликеном предложено измерять расстояния в единицах приведенной длины , заменить интегрирование суммированием и в области для совокупности n-распределений воспользоваться выражением:
, (53)
где .
Если надо найти одно n-ое распределение, то выражение (53) упрощается:
. (54)
И, наконец, если значение достаточно мало (), то можно воспользоваться выражением:
. (55)
В точке а = 0 концентрацию примеси для каждого прохода зоны можно определить из выражения:
.(56)
На последнем участке уравнение будет иметь вид:
. (57)
Интегрирование уравнений (51) и (52) представляет собой определенную сложность, связанную с тем, что при каждом новом проходе зоны распределение примеси описывается однотипным уравнением лишь на участке , поскольку только этот участок не оказывает влияния на распределение примеси в последней зоне.
-
Конечное распределение примеси
Найдем конечное распределение примеси для полубесконечного образца. В этом случае наступает динамическое равновесие в расплавленной зоне: поток примеси, оттесняемый в расплав от фронта кристаллизации через диффузионный слой, равен потоку примеси, поступающем в диффузионный слой из расплава. Последний поток формируется за счет растворения обогащенного примесью кристалла на фронте плавления. Иными словами, в расплавленной зоне в предельном случае наступает динамическое равновесие между потоком примеси оттесняемого в объем расплава от фронта кристаллизации и потоком примеси от фронта плавления через объем расплава к фронту кристаллизации, т.е. наступает конечное распределение примеси или . В результате этого реализуется ситуация, показанная на рис. 48.
Рис. 48. Распределение примеси в расплавленной зоне при достижении конечного распределения (здесь для наглядности масштаб на оси С линейный).
Принимая за конечное распределение, концентрация примеси в расплавленной зоне, математически описывается:
или .(58)
Решением этого уравнения является выражение вида:
, (59)
где , а В является решением трансцендентного уравнения:
.
Следует отметить, в рамках изложенной модели расчеты многопроходной зонной плавки можно корректно проводить лишь в ограниченной области , т.е. для узких расплавленных зон. С другой стороны, для соблюдения приближений Пфанна ширина расплавленной зоны не может быть короче 2. На рис. 49. показано последовательное распределение примеси в кристалле при проходе через него 10 зон с и .
Избежать ограничений модели Пфанна позволяют более сложные подходы, показывающие, что конечное распределение отклоняется от приведенной экспоненциальной зависимости (рис. 49,а) в сторону бóльших концентраций примеси. Причем с увеличением n это отклонение все более заметно на средней части монокристалла (рис. 49,б).
Рис. 49. Распределение примеси в кристалле в зависимости от числа проходов зоны: а – рассчитанное по приближению Пфанна (пунктиром показано конечное распределение); б – расчет с учетом влияния последних зон [д.л. 15].