- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
Простейшим электровакуумным прибором, преобразующим оптический сигнал в электрический, является фотоэлемент. Он имеет два электрода: фотокатод и анод. На анод подается постоянное положительное напряжение относительно катода. Эмитти- рованные из фотокатода электроны движутся к аноду, создавая в цепи фототок /ф.
Законы Столетова и Эйнштейна являются основными для фотоэлектронной эмиссии.
а б в
Рис.
3.14. Световая (а)
и спектральные (б,
в)
характеристики фотокатода
Закон Столетова: величина фототока прямо пропорциональна световому потоку, падающему на фотокатод, при неизменном спектральном составе света:
/Ф = 5Ф,
где Ф — световой поток в люменах; S — коэффициент пропорциональности, называемый чувствительностью фотокатода и измеряемый в микроамперах на люмен.
Закон Столетова основывается на квантовой теории: больший световой поток несет в единицу времени больше фотонов, следовательно, большее число электронов может за это время поглотить по одному фотону и выйти из фотокатода в вакуум. Этот закон отражается световой характеристикой (рис. 3.14, а).
Световая характеристика — это зависимость фототока от светового потока при постоянном спектральном составе света и неизменном анодном напряжении:
/ф = 1(ф) при Ua — const.
Она представляет собой прямую линию, выходящую из начала координат; ее наклон зависит от чувствительности фотокатода.
Закон Эйнштейна: максимальная кинетическая энергия вылетевшего из фотокатода электрона линейно возрастает с увеличением частоты падающего света и не зависит от его интенсивности.
Поскольку разность энергии фотона и работы выхода превращается в кинетическую энергию электрона, то закон Эйнштейна выражается уравнением
Sf- = WM - Wo,
где mv2/2 — кинетическая энергия электрона.
Подставив в уравнение значения WKB и WG, получим:
= /iv — ец>0.
Это уравнение определяет линейную зависимость кинетической энергии электрона от частоты излучения v; остальные его элементы — постоянные для данного вещества.
Максимальной кинетической энергией будут обладать те электроны, которые внутри фотокатода имели максимальную внутреннюю энергию Wi. При WKB — W0 кинетическая энергия вылетевшего электрона равна нулю, а при №кв <С Wо фотоэлектронная эмиссия невозможна.
Закону Эйнштейна подчиняется фотоэлектронная эмиссия из чистых металлов сравнительно большей толщины. Такую эмиссию называют нормальной. Однако эти фотокатоды не нашли применения из-за большой работы выхода, при которой нельзя получить эмиссию при облучении их видимой частью спектра. В фотоэлементах и фотоумножителях используют сложные тонкопленочные катоды, например сурьмяно-цезиевые, характеризующиеся избирательной фотоэлектронной эмиссией. Они обладают максимальной чувствительностью к лучам определенной части спектра.
Чувствительность — основной параметр фотоэлектронного прибора. Различают интегральную (световую) и спектральную чувствительность.
Интегральная чувствительность — это чувствительность фотокатода к суммарному, не разложенному в спектр, световому потоку. Она определяется как фототок, вызываемый общим световым потоком в 1 люмен:
с _ /ф ф '
Для точного определения интегральной чувствительности в качестве источника света выбран стандартный излучатель — электрическая лампа накаливания мощностью 100 Вт при температуре нити 2850 К.
Интегральную чувствительность можно определить по световой характеристике.
Спектральная чувствительность — это чувствительность фотокатода к монохроматическому свету. Она определяется как фототок, приходящийся на 1 люмен светового потока данной длины волны:
Спектральные свойства фотокатода определяют по спектральной характеристике, которая представляет собой зависимость спектральной чувствительности от длины волны излучения.
Sk = /(Я) при Ф = const.
При нормальной фотоэлектронной эмиссии спектральная характеристика отражает закон Эйнштейна (рис. 3.14, б): с увеличением X, т. е. уменьшением v, кинетическая энергия и скорость эмиттированных электронов уменьшается, следовательно, уменьшается фототок и чувствительность при Ф = const. Фотоэлектронная эмиссия прекращается при Х0 соответственно порогу vo.
При избирательной фотоэлектронной эмиссии спектральная характеристика имеет максимум в определенной части спектра. На рис. 3.14, в приведена в качестве примера спектральная характеристика сурьмяно-цезиевого фотокатода, используемого в фотоумножителях. Этот катод наиболее чувствителен к видимой части спектра (от желто-зеленых до сине-фиолетовых лучей); для него Ло = 0,7 мкм.