- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Глава 3.2.
ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
Фотоэлектронным прибором называют электронный прибор, предназначенный для преобразования энергии оптического излучения в электрическую. Принцип действия этих приборов основан на изменении электрических свойств веществ под действием падающего на них излучения, в частности видимого света. Фотоэлектронные приборы разделяют на электровакуумные и полупроводниковые.
Влияние света на электрические свойства вещества носит название фотоэффекта. Различают внешний и внутренний фотоэффект.
Внешний фотоэффект — это фотоэлектронная эмиссия, т. е. испускание электронов с поверхности вещества под действием энергии падающего света; на этом основан принцип действия электровакуумных фотоэлектронных приборов — фотоэлементов и фотоумножителей.
Внутренний фотоэффект может быть двух видов: фоторезис- тивный эффект — уменьшение электрического сопротивления полупроводника под действием падающего света; фотогальвани- ческий эффект — возникновение на р-п переходе под действием падающего света разности потенциалов, называемой фото-э.д.с. На внутреннем фотоэффекте основан принцип действия полупроводниковых фотоэлектронных приборов.
Фотоэффект объясняется изменением энергетического состояния свободных электронов в металле, а также атомов в кристалле полупроводника при поглощении энергии излучений. Энергия оптического излучения выделяется и поглощается квантами — фотонами, а распространяется волнами, как электромагнитные колебания. При поглощении фотонов валентными электронами один электрон может поглотить только один фотон. За счет этого его энергия скачком увеличивается.
Принцип действия электровакуумных фотоэлектронных приборов основан, как было сказано, на фотоэлектронной эмиссии.
Для выхода электрона из фотокатода в вакуум необходимо, чтобы электрон, имевший внутри катода максимальную энергию
Wi, поглотил энергию фотона не меньшую, чем работа выхода электрона для данного вещества. Согласно квантовой теории, энергия кванта, в данном случае фотона, прямо пропорциональна частоте излучения:
WKB = /iv,
где v — частота излучения; h — постоянная Планка; h — 6,62 X X 10-34 Дж • с.
Частота v обратно пропорциональна длине волны излучения X:
v=-b
Энергия фотона может быть выражена через длину волны излучения:
W = —
кв к ’
где с — скорость света; с — 3 • 108 м/с.
Например, коротковолновое излучение, соответствующее фиолетовым лучам видимого спектра с длиной волны Я = 0,38 мкм, несет энергию фотона 3,25 эВ, а длинноволновые красные лучи с X = 0,76 мкм — энергию фотона 1,6 эВ.
Минимальная частота vo, при которой возможна фотоэлектронная эмиссия, называется порогом фотоэлектронной эмиссии. Ей соответствует длина волны Х0. Ее величину для данного вещества можно найти из условия равенства энергии фотона и работы выхода:
Подставив
сюда значения Wo
= eq>0;
WKB
=
hv0
и
Х0=—
,
Vo тавив сюда значе]
получим
hv о — £фо,
откуда
ец) о . he
Vo =—т— и Ло = ,
h ец>о
где hy с и е (заряд электрона) — постоянные; фо — работа выхода в электрон-вольтах, зависящая от материала фотокатода.
Для получения фотоэлектронной эмиссии в более широкой области видимой части спектра необходимы фотокатоды с малой работой выхода.