- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Раздел 2. Электронные лампы
Глава 2.1.
ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ
Работа выхода электронов
Электронной эмиссией называют процесс испускания электронов с поверхности вещества в вакуум. На этом явлении основан принцип действия электровакуумных приборов.
В атомах металла валентные электроны внешнего слоя электронной оболочки слабо связаны с ядром. При образовании кристаллов валентные электроны перестают принадлежать данному атому и становятся свободными, а атомный остаток превращается в положительный ион. Поэтому кристаллическая решетка металла образуется положительными ионами, а между узлами решетки, в которых эти ионы расположены, хаотически перемещаются свободные электроны — электроны проводимости. Как было показано в главе 1.1, этому соответствует диаграмма энергетических уровней металла, в которой разрешенные энергетические зоны перекрывают друг друга и между валентной и свободной зонами нет запрещенной зоны.
При движении внутри кристаллической решетки металла свободные электроны, являясь носителями заряда, взаимодействуют друг с другом и с положительными ионами, так что их скорость, направление движения и кинетическая энергия все время изменяются. Энергия электрона внутри металла не равна нулю даже при температуре абсолютного нуля. С увеличением энергии возрастает число электронов, обладающих ею.
Максимальная энергия электрона внутри металла при температуре абсолютного нуля называется уровнем Ферми Wi и является постоянной величиной для данного металла. Максимальной энергией Wi при температуре абсолютного нуля обладает наибольшее число электронов, и нет электронов с большей энергией, чем Wi.
При повышении температуры происходит перераспределение энергии между электронами: часть электронов, имевших энергию Wi и близкую к ней, получает дополнительную энергию, т. е. появляется некоторое число электронов с большей, чем Wi, энергией, но уменьшается число электронов с энергией, равной Wi и немного меньшей.
Однако, несмотря на большую энергию электронов, их выходу из металла в вакуум при низких температурах препятствуют два фактора.
©
©
©
ie
©5
5©
©|
“0
©
©
©
Рис. 2.1. Двойной электрический слой на поверхности металла
Во-вторых, на поверхности металла электрон испытывает силы притяжения к положительным ионам, направленные внутрь металла.
Таким образом, для выхода на поверхность электрон, находящийся внутри металла, должен обладать максимальной энергией, затрачиваемой им на преодоление двойного электрического слоя на границе металл — вакуум, а для отрыва от поверхности металла — получить извне дополнительную энергию Wo, идущую на преодоление сил притяжения к положительным ионам металла.
Дополнительная энергия, необходимая электрону, имеющему внутри металла максимальную энергию Wi, для выхода в вакуум, называется работой выхода UV Полная энергия электрона Wa, минимально необходимая для выхода его из металла, равна сумме максимальной внутренней энергии и работы выхода:
Wa = Wi + Wo.
Если электрон обладал в металле меньшей, чем Wi, энергией, то для выхода в вакуум ему должна быть извне сообщена энергия большая, чем работа выхода, на величину энергии, недостающей до максимального значения Wi.
Работу выхода принято выражать в электрон-вольтах (эВ). Величина работы выхода постоянна для каждого материала; например, для вольфрама 4,52 эВ, для тантала 4,2 эВ, для бария 2,52 эВ. Покрытие поверхности металла некоторыми веществами уменьшает работу выхода. Например, полупроводниковый слой окиси бария с примесью чистого бария имеет работу выхода 1,1 эВ.