- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Варикапы
Варикап — полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения. Он предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Ж
/150
-50
Uo6p.B
-80
-40 О
Рис.
1.22. Зависимость барьерной емкости
от обратного напряжения (а)
и условное графическое обозначение
варикапа (б)
При
рассмотрении свойств р-п
перехода говорилось, что его барьерная
емкость уменьшается с увеличением
обратного напряжения (рис. 1.22,а).
Поэтому варикап работает при обратном
напряжении на р-п
переходе. Варикапы изготовляются на
основе кремния и используются в
электронных схемах в качестве переменной
емкости. Например, для автоматической
подстройки частоты, частотной модуляции.
Основными параметрами варикапов являются: номинальная емкость С между выводами при заданном обратном напряжении; коэффициент перекрытия по емкости Кс — отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения; добротность Q — отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном значении С или UDбр; температурный коэффициент емкости с^; максимально допустимое обратное напряжение Uo6р.макс и максимально допустимая рассеиваемая мощность.
Условное графическое обозначение варикапа приведено на рис. 1.22,6.
Типы и система обозначений диодов
По исходному материалу диоды могут быть кремниевые или германиевые, по назначению и характеристикам — выпрямительные, детекторные, импульсные, туннельные, стабилитроны, варикапы и др. Выпрямительные диоды подразделяют по величине мощности: малой, средней и большой.
Для схем с большим количеством параллельно или последовательно соединенных диодов промышленность выпускает полупроводниковые столбы и блоки. Полупроводниковый столб представляет собой совокупность выпрямительных диодов, соединенных последовательно и объединенных конструктивно в одном корпусе с двумя выводами. Полупроводниковый блок состоит из выпрямительных диодов, соединенных по определенной электрической схеме и объединенных конструктивно в корпусе, имеющем более двух выводов.
Систему обозначений полупроводниковых приборов, состоящую из букв и цифр, устанавливает ГОСТ 10862—72. По этой системе обозначение диода содержит четыре элемента.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий и его соединения, К или 2 — кремний и его соединения, А или 3 — арсенид галлия и другие соединения галлия. Цифры используют для приборов специального назначения.
Второй элемент — буква, указывающая класс прибора по структуре и назначению; Д — выпрямительные, детекторные и импульсные диоды, Ц — выпрямительные столбы и блоки, С — стабилитроны и стабисторы, А — СВЧ-дио- ды, И — туннельные диоды, В — варикапы и т. д.
Третий элемент — трехзначное число, первая цифра которого указывает группу по качественным свойствам, две следующие — порядковый номер разработки, а для стабилитронов — напряжение стабилизации. В справочниках приводятся таблицы этих групп по сотням.
Например, для выпрямительных диодов малой мощности (на токи до 0,3 А) третий элемент — число от 101 до 199; средней мощности (на токи от 0,3 до 10 А) — от 201 до 299; выпрямительных блоков и столбов малой мощности — от 301 до 399; средней мощности — от 401 до 499. Для импульсных диодов первая цифра характеризует время обратного восстановления: при /Вос.обР > >150 не третий элемент — от 501 до 599, при 30<^Вос.обР^ 150 не — от 601 до 699, при 5 < /вое обр ^30 не — от 701 до 799, при 1 < tBOQMbp ^5 не — от 801 до 899, при /ВОС Обр< I не — от 901 до 999.
Для туннельных диодов, СВЧ-диодов и варикапов первая цифра третьего элемента определяет их назначение. Например, туннельные диоды 'усилительные имеют третий элемент от 101 до 199, генераторные — от 201 до 299 и т. д.; СВЧ-диоды смесительные — от 101 до 199, детекторные — от 201 до 299 и т. д.; варикапы подстроечные — от 101 до 199.
Третий элемент обозначения стабилитронов также представляет трехзначное число и дается в справочниках по сотням в зависимости от мощности и напряжения стабилизации. Первая цифра при малой мощности (до 0,3 Вт), с напряжением стабилизации до 10 В — 1, от 10 до 99 В — 2, от 100 до 199 В — 3; при средней мощности (от 0,3 до 5 Вт) аналогично три гр,уппы в зависимости от напряжения стабилизации с первой цифрой, соответственно, 4, 5, 6; при большой мощности (более 5 Вт) — 7, 8, 9. Следующие две цифры от 01 до 99 обозначают: при напряжении стабилизации до 10 В—увеличенное в 10 раз напряжение стабилизации, от 10 до 99 В — номинальное напряжение стабилизации, от 100 до 199 В — уменьшенное на 100 номинальное напряжение стабилизации.
Рис.
1.23. Конструкция кремниевых диодов
малой (а)
и средней (б) мощности и их внешний вид
(в,
г);
мощный диод ВК-50 с радиатором охлаждения
(<?); / — внешний вывод анода; 2
— трубка; 3
— стеклянный изолятор; 4
— корпус; 5
— внутренний вывод анода; 6
— алюминий; 7 — кристалл кремния
/г-типа; 8
— кристаллодержатель; 9
— внешний вывод катода; 10
— теплоотводящее основание
а б в д
Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов по значениям параметров; для стабилитронов — очередность разработки.
Примеры обозначения диодов:
ГД107Б — германиевый выпрямительный диод малой мощности, номер разработки 07, группа Б;
КД208А — кремниевый выпрямительный диод средней мощности, номер разработки 08, группа А;
КЦ405В — кремниевый выпрямительный блок средней мощности, номер разработки 05, группа В;
КС211Б — кремниевый стабилитрон малой мощности, с напряжением стабилизации 11 В, группа Б; КС147А — то же, малой мощности, с напряжением стабилизации 4,7 В, группа А; КС620А — то же, средней мощности, с напряжением стабилизации 120 В, группа А:
АИ101В — диод туннельный из арсенида галлия, предназначен для работы в усилительных схемах, номер разработки 01, группа В;
КВ110Г — кремниевый варикап, подстроечный, номер разработки 10, группа Г;
АД516Б — диод арсенидогаллиевый точечный импульсный, ^ВосовР>-150 не, номер разработки 16, группа Б.
В эксплуатации еще находятся диоды, выпущенные промышленностью до ввода в действие настоящего ГОСТ, которые имеют старые обозначения; например, выпрямительные диоды Д7Ж (германиевый), Д205, Д226В, Д245 (кремниевые), а также стабилитроны Д808, Д814А (Б, В, Г).
Диоды большой мощности, называемые силовыми, выпускаются промышленностью на токи 10 А и выше (до 2000 А) и обратные напряжения до 3500 В. Они предназначены для применения в силовых цепях электротехнических устройств в качестве вентилей. Силовые диоды имеют другую систему обозначений: например, ВК-200 — вентиль кремниевый, на прямой ток 200 А.
Конструкция и внешний вид диодов различной мощности даны на рис. 1.23.
Контрольные вопросы
Нарисуйте вольт-амперную характеристику полупроводникового диода и объясните его принцип действия.
Чем отличаются свойства германиевых и кремниевых диодов?
Перечислите и дайте формулировку основных параметров диода и покажите на вольт-амперной характеристике, как определяются сопротивления диода в прямом и обратном направлениях.
Нарисуйте вольт-амперную характеристику кремниевого стабилитрона и покажите на ней рабочий участок.
Нарисуйте схему включения стабилитрона и поясните принцип стабилизации напряжения на нагрузке.
Объясните назначение и принцип действия импульсных диодов.
Каково назначение и принцип действия туннельных диодов?
Какой прибор называют варикапом и для чего Он применяется?
Объясните буквенно-цифровую систему обозначения диодов.