- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Стабилитроны
Стабилитроном называют полупроводниковый диод, напряжение на котором слабо зависит от проходящего тока. Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения.
-Й-
и.
обр
А Р<
R.
Бо--
о—г
+
Е
О
в
Рис. 1.18. Условное графическое обозначение (а), вольт-амперная характеристика (б) и схема включения (в) кремниевого стабилитрона
Принцип действия стабилитрона основан на использовании свойства р-п перехода при электрическом пробое сохранять практически постоянную величину напряжения в определенном диапазоне изменения обратного тока. Как было сказано при рассмотрении видов пробоя р-п перехода, электрический пробой является обратимым процессом и не приводит к выходу диода из строя при условии, что ток не превышает максимально допустимой величины.
Вольт-амперная характеристика кремниевого стабилитрона, его условное обозначение и схема включения приведены на рис. 1.18. В стабилитроне используется только обратная ветвь характеристики. Рабочим участком АБ является ее часть, соот
ветствующая электрическому пробою и ограниченная минимальным и максимальным токами. В стабилитронах применяется один из видов электрического пробоя: лавинный или туннельный.
Параметрами стабилитрона являются:
напряжение стабилизации UCT — напряжение на стабилитроне при заданном токе стабилизации /ст; оно практически равно напряжению пробоя;
минимальный ток стабилизации /мин — наименьший ток, при котором сохраняется устойчивое состояние пробоя; поскольку необходимо получение малого значения /мин, стабилитроны изготовляют из кремния;
максимальный ток стабилизации /макс — наибольший ток, при котором мощность, рассеиваемая на стабилитроне, не превышает максимально допустимого значения Рмакс;
D
/г макс . макс — wt »
U ст
превышение /макс приводит к тепловому пробою р-п перехода и выходу из строя стабилитрона;
дифференциальное сопротивление гд„ф — отношение приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока:
Д1У„
Гдиф— Д/ст ’
/■диф определяется в рабочей точке Р и характеризует точность стабилизации; чем оно меньше, тем лучше осуществляется стабилизация;
статическое сопротивление RCTат — сопротивление стабилитрона в рабочей точке при постоянном токе:
Г) ^ст .
Астат — ш у I ст
температурный коэффициент напряжения otT показывает изменение в процентах напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды на 1 °С.
Выпускаемые промышленностью кремниевые стабилитроны имеют напряжение стабилизации в пределах 3—200 В, минимальный ток от 1 до 10 мА, максимальный ток от 2 мА до 2 А, дифференциальное сопротивление 0,5—500 Ом.
В стабилитронах с большим напряжением стабилизации используется лавинный пробой, а в стабилитронах с малым напряжением стабилизации — туннельный.
Схема включения стабилитрона для стабилизации напряжения на нагрузке RH приведена на рис. 1.18, в. Последовательно со стабилитроном в цепь источника постоянного тока включено балластное сопротивление R6 для ограничения тока, а параллельно стабилитрону—нагрузка. Полярность источника питания Е соответствует обратному напряжению на стабилитроне.
При увеличении напряжения питания Е при постоянном RH увеличивается ток в цепи, протекающий через балластное сопротивление и стабилитрон. Напряжение на стабилитроне и на нагрузке UH — UCT остается неизменным, а избыток напряжения питания гасится на балластном сопротивлении R6. В случае изменения сопротивления нагрузки RH при постоянной величине Е ток через R6 остается неизменным, но происходит перераспределение токов между стабилитроном и нагрузкой, а напряжение на стабилитроне и нагрузке все равно остается неизменным.
Кремниевые стабилитроны используют не только для стабилизации напряжения, но и в качестве источников опорного напряжения, с которым сравнивается напряжение на нагрузке.
Существуют полупроводниковые диоды, предназначенные для стабилизации напряжения с использованием в качестве рабочего участка отрезка прямой ветви вольт-амперной характеристики, на котором прямое напряжение слабо зависит от тока. Такой полупроводниковый диод носит название стабистора.