- •Елена Осиповна Федосеева Галина Павловна Федосеева основы электроники и микроэлектроники
- •Роль и значение электроники
- •Классификация электронных приборов
- •Краткий исторический обзор развития электроники
- •Раздел 1. Полупроводниковые приборы
- •Глава 1.1. Электропроводность полупроводников
- •Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
- •Электропроводность беспримесных полупроводников
- •Электропроводность примесных полупроводников
- •1.1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •Глава 1.2. Электронно-дырочный переход
- •Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
- •Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •Полупроводниковые диоды
- •Устройство полупроводниковых диодов
- •Принцип действия, характеристики и параметры выпрямительных диодов
- •Стабилитроны
- •Импульсные диоды
- •Варикапы
- •Глава 1.4. Биполярные транзисторы
- •Устройство и принцип действия транзисторов
- •Схемы включения и статические характеристики транзисторов
- •Параметры транзисторов
- •Типы транзисторов и система их обозначений
- •Глава 1.5.
- •Глава 1.6.
- •Симметричные тиристоры
- •Параметры и типы тиристоров
- •Глава 1.7.
- •Вольт-амперная характеристика опт
- •Раздел 2. Электронные лампы
- •Глава 2.1.
- •2.1.2. Виды электронной эмиссии
- •Движение электрона в электрическом поле
- •Глава 2.2.
- •Параметры триода
- •Глава 2.3.
- •6 Рис. 2.11. Условное графическое обозначение тетрода (а) и схема ёго включения (б)
- •0 Первичные элентроны
- •Лучевой тетрод
- •Раздел 3.
- •Глава 3.1.
- •Электроннолучевая трубка с электростатическим управлением
- •Принцип получения изображения на экране осциллографической трубки
- •Электроннолучевая трубка с магнитным управлением
- •Параметры и система обозначений электроннолучевых трубок
- •Передающие телевизионные электроннолучевые трубки
- •Глава 3.2.
- •Виды фотоэффекта. Фотоэлектронная эмиссия
- •Vo тавив сюда значе]
- •Законы фотоэлектронной эмиссии и характеристики фотокатода
- •Фотоумножитель. Устройство и принцип действия
- •Характеристики однокаскадного фотоумножителя
- •Глава 3.3.
- •Фоторезисторы и фотогальванические элементы
- •Фотодиоды
- •Фототранзисторы и фототиристоры
- •Глава 3.4.
- •3.4.3. Типы светодиодов и их применение
- •Раздел 4. Газоразрядные приборы
- •Глава 4.1.
- •Раздел 5.
- •Глава 5.1.
- •Глава 5.2.
- •5.2.1 Основные понятия микроэлектроники
- •Глава 5.3.
- •Глава 5.4.
Типы транзисторов и система их обозначений
Транзисторы разделяют на типы в зависимости от их назначения по граничной частоте усиливаемого сигнала и по мощности, рассеиваемой на коллекторе.
По частотным свойствам транзисторы делят на низкочастотные (fa ^ 3 МГц), средней частоты (3</а^30 МГц), высокочастотные (30 </„<300 МГц) и СВЧ (fa >300 МГц).
По максимально допустимой мощности, рассеиваемой коллектором, различают транзисторы малой мощности (Ркмакс ^ 0,3 Вт), средней мощности (0,3 < Якмакс ^ 1,5 Вт) и большой мощности (Ркмакс > 1,5 Вт). Для улучшения теплоотвода транзисторов средней и большой мощности используют радиаторы охлаждения; иногда роль радиатора охлаждения может играть корпус устройства, на котором укрепляется транзистор. Внешний вид транзисторов разной мощности показан на рис. 1.37.
Система буквенно-цифровых обозначений транзисторов такая же, как для диодов. В качестве второго элемента ставится буква Т. Третий элемент — трехзначное число, определяющее группу по электрическим свойствам и порядковому
ГТ905А
Нремниевые
(п-Р-п )•
НТ805А
НТ807А
1 1 1 1 1 1 1 1 г
23456789
10
1
низкой
частоты
от
101
до
199;
средней
частоты
от
201
до
299;
высокой
частоты
и
СВЧ
от
301
до
399.
Средней
мощности
низкой
частоты
от
401
до
499;
средней
частоты
от
501
до
599;
высокой
частоты
и
СВЧ
от
601
до
699.
Большой
мощности
низкой
частоты
от
701
до
799;
средней
частоты
от
801
до
899;
высокой
частоты
и
СВЧ
от
901
до
999.
Г
ерманиевые
(рнги>)
номеру
разработки; устанавливается в
-соответствии со следующим распределением
по сотням.
Малой
мощности
Примеры
обозначения транзисторов:
ГТ108Б
— германиевый транзистор малой мощности,
низкой частоты, порядковый номер
разработки 08, группа по параметрам Б;
КТ315Г
— кремниевый транзистор малой мощности,
высокой частоты, порядковый номер
разработки 15, группа Г;
КТ808А
— кремниевый транзистор большой
мощности, средней частоты, порядковый
номер разработки 08, группа А.
В
эксплуатации еще находятся транзисторы
прежних выпусков со старыми обозначениями.
Например, МП39Б, МП41, П28 (германиевые,
малой мощности, низкой частоты), П210А
(германиевый транзистор большой
мощности, низкой частоты).
Контрольные
вопросы
Что
представляет собой биполярный
транзистор?
По
схеме включения транзистора объясните
его принцип действия как управляемого
прибора.
Объясните
процесс усиления электрических
колебаний с помощью транзистора.
Рис.
1.37. Внешний вид транзисторов разных
типов (а), со снятой крышкой корпуса (б)
и с радиатором охлаждения (в)
Какие возможны схемы включения транзистора и какими свойствами они отличаются?
Нарисуйте входные и выходные характеристики транзистора в' схеме с общим эмиттером.
Перечислите первичные и Л-параметры транзистора и покажите, как определяются коэффициенты усиления тока а и р по характеристикам.