16.3. Порядок виконання роботи

16.3.1. Досліджується схема, яку зображено на рис. 16.2. Розривається зворотний зв’язок і досліджується частотна характеристика підсилювача з селективним напівмостом Віна. Дослідження проводиться при однакових опорах R3 і R4.

16.3.2. Встановлюється величина контурного коефіцієнта підсилення на частоті квазірезонансу. Обчислюється необхідна величина контурного коефіцієнта підсилення для забезпечення умов генерації коливань.

16.3.3. За допомогою опору R4 встановлюється необхідна величина коефіцієнта підсилення, замикається контур зворотного зв’язку і запускається схема.

16.3.4. За допомогою Фур’є-аналізатора проводиться дослідження спектрального складу вихідного сигналу. При цьому необхідно провести декілька дослідів при величині коефіцієнта підсилення більшому і меншому, ніж розрахункова величина.

1

Рис. 16.5.

6.3.5. Встановлюється залежність коефіцієнта гармонік вихідного сигналу від величини контурного коефіцієнта підсилення.

16.3.6. Повторюється аналогічний цикл дослідів для схеми, що наведена на рис. 16.4.

16.4. Вимоги до звіту

16.4.1. Навести результати досліджень, які були проведені.

16.4.2. Дати детальні обґрунтування результатів проведених дослідів.

16.4.3. Порівняти два типи генераторів, що були розглянуті у лабораторній роботі.

16.5. Завдання до самотестування і атестації

16.5.1. Пояснити і детально обґрунтувати особливості і умови збудження гармонічних коливань у приведених схемах.

16.5.2. Пояснити, які обмежуючі фактори використовуються в схемі при формуванні амплітуди і частоти коливань.

16.5.3. Пояснити, яким шляхом можна визначити чутливість схеми генератора до зміни параметрів його елементів.

16.5.4. Як впливають параметри елементів на амплітуду і частоту генерованих коливань?

16.5.5. Чим визначається температурна стабільність генератора і якими шляхами її можна підвищити?

16.5.6. Чим визначається гармонічний склад коливань, що генеруються, і які можна використовувати шляхи для його покращення?

16.6.7. Привести амплітудно-частотні характеристики Т-подібного моста і дати їх фізичне обґрунтування.

16.6.8. Розробити схему низькочастотного операційного підсилювача з використанням Т-подібного моста.

16.6.9. Розробити схему резонансного підсилювача з використанням напівмоста Віна і подвійного Т-подібного моста.

16.6. Додаток

Таблиця варіантів для схем, що приведені на рис. 16.2 та рис. 16.4.

Номер варіанту	Рис. 16.2				Рис. 16.4
	R3 , Ом	R4 , Ом	C1 , мкФ	C2 , мкФ	R, Ом	C, мкФ
1	100	100	0,1	0,1	100	0,1
2	500	500	0,15	0,15	500	0,15
3	1000	1000	0,20	0,20	1000	0,20
4	1500	1500	0,25	0,25	1500	0,25
5	2000	2000	0,30	0,30	2000	0,30
6	3000	3000	0,35	0,35	3000	0,35
7	4000	4000	0,40	0,40	4000	0,40
8	5000	5000	0,45	0,45	5000	0,45
9	6000	6000	0,50	0,50	6000	0,50
10	7000	7000	0,55	0,55	7000	0,55
11	7500	7500	0,60	0,60	7500	0,60
12	8000	8000	0,65	0,65	8000	0,65
13	8500	8500	0,7	0,7	8500	0,7
14	9000	9000	0,8	0,8	9000	0,8
15	10000	10000	1,0	1,0	10000	1,0