- •Меню File
- •Меню Edit
- •Меню Circuit
- •Меню Analysis
- •Меню Window
- •Меню Help
- •Електричні компоненти віртуальної лабораторії
- •1.3. Порядок виконання роботи
- •Лабораторна робота № 2 Дослідження схем випрямлення змінної напруги
- •2.1. Мета роботи
- •2.2. Використання пакету ewb для вивчення роботи малопотужних випрямлячів
- •2.3. Порядок виконання роботи
- •2.4. Вимоги до звіту
- •2.5. Завдання для самотестування і атестації
- •2.6. Додаток
- •3.1. Мета роботи
- •3.3. Порядок виконання роботи
- •3.4. Вимоги до звіту
- •3.5. Завдання до самотестування і атестації
- •3.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 4 Дослідження модульованих коливань і схем демодуляторів
- •4.1. Мета роботи
- •4.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •4.3. Порядок виконання роботи
- •4.4. Вимоги до звіту.
- •4.5. Завдання до самотестування і атестації
- •4.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 5 Аналогові режими роботи біполярних і польових транзисторів
- •5.1. Мета роботи
- •5.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •5.3. Порядок виконання роботи
- •5.4. Вимоги до звіту
- •5.5. Завдання до самотестування і атестації
- •5.6. Додатки
- •Польові транзистори з p-n переходом. Довідникові дані
- •Схеми для отримання сімейств вхідних та вихідних характеристик транзисторів, що досліджуються
- •Лабораторна робота № 6 Дослідження однокаскадних підсилювачів
- •6.1. Мета роботи
- •6.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •6.3. Порядок виконання роботи
- •6.4. Вимоги до звіту
- •6.5. Завдання до самотестування і атестації
- •6.6. Додаток
- •7.1. Мета роботи
- •7.3. Порядок виконання роботи
- •7.4. Вимоги до звіту
- •7.5. Завдання до самотестування і атестації
- •7.6. Додаток
- •8.1. Мета роботи
- •8.3. Порядок виконання роботи
- •8.4. Вимоги до звіту
- •8.5. Завдання до самотестування і атестації
- •8.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 9 Компенсаційні стабілізатори напруги і струму
- •9.1. Мета роботи
- •9.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •9.3. Порядок виконання роботи
- •9.4. Вимоги до звіту
- •9.5. Завдання до самотестування і атестації
- •9.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 10 Дослідження транзисторних схем підсилення потужності
- •10.1. Мета роботи
- •10.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •10.3. Порядок виконання роботи
- •10.4. Вимоги до звіту
- •10.5. Завдання до самотестування і атестації
- •10.6. Додаток
- •11.1. Мета роботи
- •11.3. Порядок виконання роботи
- •11.4. Вимоги до звіту
- •11.5. Завдання до самотестування і атестації
- •11.6. Додаток
- •12.1. Мета роботи
- •12.3. Порядок виконання роботи
- •12.4. Вимоги до звіту
- •12.5. Завдання до самотестування і атестації
- •12.6. Додатки
- •Лабораторна робота № 13 Дослідження роботи операційних підсилювачів в аналогових режимах
- •13.1. Мета роботи
- •13.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •13.3. Порядок виконання роботи
- •13.4. Вимоги до звіту
- •13.5. Питання до самотестування і атестації
- •13.6. Додаток
- •14.1. Мета роботи
- •14.4. Вимоги до звіту
- •14.5. Завдання до самотестування і атестації
- •14.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 15 Генератори синусоїдальних коливань на транзисторах
- •15.1. Мета роботи
- •15.2. Використання пакету еwв для виконання роботи
- •15.З. Порядок виконання роботи
- •15.4. Вимоги до звіту
- •15.5. Завдання до самотестування і атестації
- •15.6. Додаток
- •16.1. Мета роботи
- •16.3. Порядок виконання роботи
- •16.4. Вимоги до звіту
- •16.5. Завдання до самотестування і атестації
- •16.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 17 Конвертори повного опору. Гіратори
- •17.1. Мета роботи
- •17.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •17.3. Порядок виконання роботи
- •17.4. Вимоги до звіту
- •17.5. Завдання до самотестування і атестації
- •17.6. Додаток
- •18.1. Мета роботи
- •18.4. Вимоги до звіту
- •18.5. Завдання до самотестування і атестації
- •18.6. Додатки
- •19.1. Мета роботи
- •19.4. Вимоги до звіту
- •19.5. Завдання до самотестування і атестації
- •19.6. Додаток
- •Лабораторна робота № 20 Пристрої інтегрування та диференціювання сигналів
- •20.1. Мета роботи
- •20.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
- •20.3. Порядок виконання роботи
- •21.1. Мета роботи
- •21.4. Вимоги до звіту
- •21.5. Завдання до самотестування і атестації
- •21.6. Додаток
- •22.1. Мета роботи
- •22.4. Вимоги до звіту
- •22.5. Завдання до самотестування і атестації
- •22.6. Додаток
- •23.1. Мета роботи
- •24.1. Мета роботи
- •24.4. Вимоги до звіту
- •24.5. Завдання до самотестування і атестації
- •25.1. Мета роботи
- •25.4. Вимоги до звіту
- •25.5. Завдання до самотестування і атестації
- •25.5. Додаток
4.4. Вимоги до звіту.
4.4.1. Навести графік залежності вихідної напруги демодуляторів від вхідних параметрів (для частотного демодулятора це залежність вихідної напруги від відхилення частоти; для фазового – залежність вихідної напруги від різниці між кутами двох напруг).
4.4.2. Дати детальне обґрунтування отриманим результатам.
4.4.3. Пояснити особливості спектральних характеристик промодульованих сигналів при різних видах модуляції.
4.5. Завдання до самотестування і атестації
4.5.1. Дати пояснення амплітудної модуляції та її параметрам.
4.5.1. Дати пояснення частотної модуляції та її параметрам.
4.5.1. Дати пояснення фазової модуляції та її параметрам.
4.5.2. Побудувати часові діаграми амплітудно- та частотномодульованих сигналів при імпульсній формі несучої.
4.5.3. Дати фізичну інтерпретацію індексу модуляції.
4.5.4. Дати порівняльну характеристику спектрам напруг, модульованих за амплітудою та за частотою.
4.6. Додаток
Таблиця варіантів до схем, які приведені на рис. рис. 4.1, 4.2, 4.3, 4.5, 4.6, 4.8.
Номер варіанту |
fн , кГц |
Номер варіанту |
fн , кГц |
Номер варіанту |
fн , кГц |
1 |
10 |
6 |
500 |
11 |
1000 |
2 |
100 |
7 |
600 |
12 |
2000 |
3 |
200 |
8 |
700 |
13 |
4000 |
4 |
300 |
9 |
800 |
14 |
6000 |
5 |
400 |
10 |
900 |
15 |
8000 |
Лабораторна робота № 5 Аналогові режими роботи біполярних і польових транзисторів
5.1. Мета роботи
Вивчення засобів забезпечення активних режимів роботи біполярних і польових транзисторів для підсилення електричних сигналів в підсилювачах класу А.
5.2. Використання пакету ewb для виконання роботи
Т
Рис. 5.1.
Рис. 5.2.
До основних параметрів біполярних транзисторів належать:
Saturation current (IS) – зворотний струм колекторного переходу, А;
Forward current gain coefficient (BF) – коефіціент підсилення струму в схемі з ЗЕ h21;
Reverse current gain coefficient (BR) – коефіціент підсилення струму в схемі з ЗЕ при інверсному включенні транзистора (емітер і колектор міняються місцями);
Base ohmic resistance (RB) – об’ємний опір бази, Ом;
Collector ohmic resistance (RC) – об’ємний опір колектора, Ом;
Emitter ohmic resistance (RE) – об’ємний опір емітера, Ом;
Zero-bias B-E junction capacitance (CJE) – емність емітерного переходу при нульовій напрузі, Ф;
Zero-bias C-E junction capacitance (CJC) – емність колекторного переходу при нульовій напрузі, Ф;
Substrate capacitance (CJS) – ємність колектор-підложка, Ф;
Forward transit time (TF) – час переносу заряду через базу, с;
Revers transit (TR) – час переносу заряду через базу в інверсному включенні, с;
B-E junction grading coefficient (ME) – коефіціент плавності емітерного переходу;
B-C junction grading coefficient (MC) – коефіціент плавності колекторного переходу;
Early voltage (VA) – напруга Ерлі, близька до параметру Uк max , В;
Base-Emitter Leakage Saturation Current (ISE) – зворотний струм емітерного переходу, А;
Forward beta high-current knee-point (IKF) – струм початку спаду підсилення по струму, близький до параметру Iк max, А;
Base-emitter leakage emission coefficient (NE) – коефіціент неідеальності емітерного переходу;
B-C junction potential (VJC) – контактна різниця потенціалів переходу база-колектор, В;
B-E junction potential (VJE) – контактна різниця потенціалів переходу база-емітер, В.
Рис. 5.3
Рис. 5.4
В
Рис. 5.4.
Оскільки метою каскаду є забезпечення максимальної якості підсилення, якість вихідного сигналу необхідно аналізувати за допомогою Фур’є-аналізу.
На рис. 5.5 наведені результати Фур’є-аналізу вихідного сигналу, який зображений на осцилограмі (рис. 5.4). На нульовій частоті відображена постійна складова напруги, що відповідає значенню, яке можна побачити на вольтметрі. Перша гармонічна складова частоти 500 Гц трохи менша 3 В, що теж співпадає з показами осцилографа. Вищі гармоніки мають значно менші амплітуди і частоти, кратні частоті 500 Гц. На осцилограмі (рис. 5.6) покази вихідного сигналу для наочності зміщені по вертикальній осі на 1 В.
Рис. 5.6
Послідовно збільшуючи амплітуду вхідного сигналу і підбираючи величину базового резистора, можна знайти точку, при якій спотворення позитивної і негативної амплітуд вихідного сигналу при зростанні вхідного з’являтимуться одночасно. Така точка і буде робочою точкою транзисторного підсилювача. Це також зручніше робити за допомогою Parameter Sweep. Для неспотвореного сигналу у цій точці матиме місце мінімальний рівень вищих гармонік.
Рис. 5.7
Для схеми, що аналізується, за допомогою пристрою Bode Plotter або директиви AC Analysis можна отримати частотні характеристики. Bode Plotter підключається так, як вказано на рис. 5.7.
Вибір робочої точки для польових транзисторів розглянемо стосовно канальних транзисторів, для яких, при відсутності напруги на затворі, канал буде повністю відкритим. Схема вибору робочої точки приведена на рис. 5.10. Особливість її полягає у тому, що напругу на затворі задають опори витоку і затвору. Параметри підсилення каскаду визначаються величиною резистора стоку і крутизною стоко-затворної характеристики транзистора в робочій точці.