7.4. Вимоги до звіту
7.4.1. Навести результати дослідів, що проводились.
7.4.2. Побудувати графіки отриманих залежностей для кожного досліду.
7.4.3. Дати порівняльну характеристику двох типів підсилювачів і детально обґрунтувати результати, що були отримані.
7.5. Завдання до самотестування і атестації
7.5.1. Обгрунтувати, чому знижується чутливість транзисторного каскаду при зміні параметрів елементів та робочої температури.
7.5.2. Розробити структурну схему підсилювача зі зворотним зв’язком і обґрунтувати вибір її складових.
7.5.3. Як обчислити величину контурного коефіцієнта підсилення на основі отриманих результатів?
7.6. Додаток
Таблиця варіантів до схем, що приведені на рис. 7.1.
Номер варіанту |
RК, кОм |
RБ, кОм |
1 |
0.5 |
200 |
2 |
1 |
210 |
3 |
2 |
220 |
4 |
3 |
230 |
5 |
4 |
240 |
6 |
5 |
250 |
7 |
6 |
260 |
8 |
7 |
270 |
9 |
7.5 |
280 |
10 |
8 |
290 |
11 |
8.5 |
300 |
12 |
9 |
310 |
13 |
9.5 |
320 |
14 |
10 |
330 |
15 |
0.5 |
340 |
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 8
Основи теорії зворотних зв’язків.
Дослідження впливу зворотних зв’язків на технічні характеристики підсилювача
8.1. Мета роботи
Вивчення основних властивостей зворотних зв’язків та їх впливу на характеристики підсилювачів.
8.2. Використання пакету EWB для виконання роботи
Схема підсилювача на рис. 8.1 має можливість забезпечити два типи зворотних зв’язків – від’ємний зворотний зв’язок по величині емітерного струму транзистора, який реалізовано за допомогою емітерного резистора, і від’ємний зворотний зв’язок по величині колекторної напруги, який досягається за рахунок конденсатора, що приєднується між колекторним і базовим виводами.
Рис. 8.1
Усі прилади, за виключенням вольтметра V2, встановлюються у режим вимірювання змінних струмів та напруг. Ємності розділювальних конденсаторів встановлюються по 20 мкФ, а джерело вхідного сигналу налагоджується на напругу 5-10 мВ при частоті 500-1000 Гц. Під час проведення дослідів необхідно весь час контролювати, щоб вольтметр V2, що відображає постійну напругу на колекторі транзистора, показував напругу, близьку до половини напруги живлення. Оскільки глибина зворотного зв’язку регулюється за рахунок величини емітерного резистора R4, то при його зміні змінюватиметься напруга на колекторі транзистора, яку необхідно встановлювати у попереднє значення за допомогою резистора R1, базового дільника напруги. Під час проведення дослідів необхідно контролювати струми і напруги в приладах, які налагоджені на вимірювання змінних складових вхідного і вихідного сигналів.
За допомогою осцилографа забезпечується візуальний контроль за якістю вихідної напруги і оцінюється коефіцієнт підсилення по напрузі паралельно з вимірюваннями за допомогою мілівольтметрів.
Bode Plotter або директива AC Analysis дають можливість вивчити вплив зворотних зв’язків на частотні характеристики підсилювача.