Зачетный билет №12
1На основании закона о магнитной индукции. Изменяющееся во времени магнитное поле порождает электрическое поле.
2
3 Cp1>Cp2так как при увеличении К увеличивается и емкость С, что видно из зависимости
С2↑→ ХC ↓→UC2 ↓→Uвх к3 ↑→ Кu↑.
4
1
– без фильтра; 2 – сRCфильтром
5
Принцип функционирования:тиристор открывается схемой управления в одном полупериоде раньше, чем в другом, и тем самым "уравнивает" полупериоды.
Предназначение:тиристор служит для компенсации постоянной составляющей тока. Постоянная составляющая тока вредна тем, что намагничивает железо трансформатора и ухудшает его характеристики.
6Пробой диода — это явление резкого увеличения обратного тока через диод при достижении обратным напряжением некоторого критического для данного диода значения. В зависимости от физических явлений, приводящих к пробою, различают лавинный, туннельный и тепловой пробои.
Туннельным пробоем электронно-дырочного перехода называют электрический пробой перехода, вызванный квантовомеханическим туннелированием носителей заряда сквозь запрещённую зону полупроводника без изменения их энергии. Туннелирование электронов возможно при условии, если ширина потенциального барьера, который необходимо преодолеть электронам, достаточно мала. При одной и той же ширине запрещённой зоны (для одного и того же материала) ширина потенциального барьера определяется напряжённостью электрического поля, то есть наклоном энергетических уровней и зон. Следовательно, условия для туннелирования возникают только при определённой напряжённости электрического поля или при определённом напряжении на электронно-дырочном переходе — при пробивном напряжении. Значение этой критической напряжённости электрического поля составляет примерно 8∙105 В/см для кремниевых переходов и 3∙105 В/см — для германиевых. Так как вероятность туннелирования очень сильно зависит от напряжённости электрического поля, то внешне туннельный эффект проявляется как пробой диода.
Тепловой пробой — это пробой, развитие которого обусловлено выделением в выпрямляющем электрическом переходе тепла вследствие прохождения тока через переход. При подаче обратного напряжения практически всё оно падает на p — n-переходе, через который идёт, хотя и небольшой, обратный ток. Выделяющаяся мощность вызывает разогрев p — n-перехода и прилегающих к нему областей полупроводника. При недостаточном теплоотводе эта мощность вызывает дальнейшее увеличение тока, что приводит к пробою. Тепловой пробой, в отличие от туннельного, необратим.
7Операция И реализуется здесь многоэмиттерным транзистором Т1, а транзистор Т2служит в качестве инвертора. Многоэмиттерные транзисторы легко реализуются в интегральной технологии и служат основой ТТЛ-элементов. Если на всех входах (эмиттерах транзистора Т1) действует сигнал “1” (высокий потенциал), то все переходы эмиттер–база транзистора Т1закрыты. Потенциал базы транзистора Т2близок к нулю, а переход коллектор – база транзистора Т1отрыт приложенным в прямом направлении напряжением источника +Е. Ток коллекторного перехода транзистора Т1проходит через переход эмиттер – база транзистора Т2переводя его в режим насыщения, а на выходе появляется сигнал “0” (низкий потенциал). Если на одном из входов появится сигнал “0”, то соответствующий переход эмиттер – база транзистора Т1откроется и его базовый ток перебросится из коллекторной цепи в эмиттерную. В результате транзистор Т2закроется и на выходе появится высокий потенциал (“1”). Таким образом, сигнал “0” может быть на выходе только при сигналах “1” на всех входах, что соответствует операции И – НЕ. Назначение: Логическая проверка со всех ли входов поступает сигнал «1».
8Дешифратором(декодером) называют устройство, предназначенное для распознавания различных кодовых комбинаций (слов). Дешифратор может применяться, например, для управления работой нескольких исполнительных механизмов. Тогда для включения одного из них на входы дешифратора достаточно подать присвоенный этому механизму цифровой код.